怀特电子设计
512Kx8塑料单片CMOS SRAM
特点
512Kx8位CMOS静态
随机存取存储器
访问的17 ， 20 ，时间为25ns
数据保持功能（ LPA版）
扩展级温度测试
数据保持功能测试
36脚JEDEC批准的革命引脚
塑料SOJ （ 319包）
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
EDI88512CA-RP
WEDC的坚固耐用的塑料512Kx8 SRAM ，使
用户可以利用使用的成本优势
而不是网络的牺牲CING所有的可靠性塑料部件
提供一个完整的军事设备。
扩展温度测试与检验进行
关于WEDC使用而开发的模式是完全符合
512Kx8的SRAM 。 WEDC完全表征设备
以确定在适当的测试图案的测试
极端温度。这是因为临界
设备变更的操作特性时，它是
超越了商业性担保的设备操作的
可靠的网络连接场在极端温度下运行。
中WEDC的耐用塑料好处科幻吨，从WEDC的用户
为使用的SRAM特性丰富的经验
军事系统。
WEDC保证了低功耗设备将数据保留在数据
通过表征该设备以确定保留模式
合适的试验条件。这是系统的关键
密存储器操作在或低于-40 ℃，并用
如512Kx8s 。
WEDC的坚固耐用的塑料SOJ是兼容的足迹
与WEDC的充分的军事陶瓷36引脚SOJ 。
图。 1 - 引脚配置
引脚说明
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
CS ＃
I/O0
I/O1
VCC
VSS
I/O2
I/O3
WE＃
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE ＃
I/O7
I/O6
VSS
VCC
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
I / O
0-7
A
0-18
WE＃
CS ＃
OE ＃
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V± 10％）的
地
框图
V
CC
V
SS
36pin
革命的
NC
存储阵列
没有连接
A
-18
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
-7
WE＃
CS ＃
OE ＃
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绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
军事
储存温度，塑料
功耗
输出电流
结温， TJ
0至+70
-40至+85
-55到+125
-65到+150
1.5
20
175
°C
°C
°C
°C
W
mA
°C
-0.5 7.0
单位
V
OE ＃
X
H
L
X
CS ＃
H
L
L
L
WE＃
X
H
H
L
EDI88512CA-RP
真值表
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
动力
ICC2 ， ICC3
Icc1
Icc1
Icc1
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5
+0.8
单位
V
V
V
V
注意：
压力大于下"Absolute最大Ratings"上市可能会造成永久性的损害
到设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他
高于在本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电容
T
A
= +25°C
参数
地址线
数据线
符号
CI
CO
条件
VIN = VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
VIN = VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
最大
6
8
单位
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
DC特性
V
CC
= 5V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出高Volltage
输出低电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
V
OH
V
OL
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= V
SS
到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= V
SS
到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OH
= -4.0mA ，V
CC
= 4.5
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
2.4
0.4
民
最大
10
10
180
15
单位
A
A
mA
mA
V
V
注： DC测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
-0.3V
AC测试条件
图1
VCC
图2
VCC
480
480
Q
255
30pF
Q
255
5pF
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
VSS至3.0V
5ns
1.5V
图1
注：对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的（图2）
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交流特性 - 读周期
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， 0℃下≤
A
≤ +70°C
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
EDI88512CA-RP
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
17ns
民
17
17
17
3
0
0
8
0
0
7
0
0
7
3
0
0
最大
民
20
20ns
最大
民
25
20
20
3
8
0
0
10
0
8
0
25ns
最大
单位
ns
25
25
ns
ns
ns
10
ns
ns
12
ns
ns
10
ns
交流特性 - 写周期
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， 0℃下≤
A
≤ +70°C
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
WLEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
17ns
民
17
14
14
0
0
14
14
14
14
0
0
0
0
0
8
8
0
8
最大
民
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
10
10
0
20ns
最大
民
25
17
17
0
0
17
17
17
17
0
0
0
0
8
0
12
12
0
25ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
ns
ns
ns
ns
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图。 2 - 时序波形 - 读周期
EDI88512CA-RP
t
AVAV
地址
t
AVQV
CS ＃
t
AVAV
地址
地址1
地址2
t
ELQV
t
ELQX
OE ＃
t
EHQZ
t
AVQV
数据I / O
t
AVQX
数据1
数据2
t
GLQV
t
GLQX
数据输出
t
GHQZ
读周期1 （ WE＃高; OE ＃ ， CS ＃为低）
读周期2 （ WE＃高）
图。 3 - 写周期 - WE＃控制
t
AVAV
地址
t
AVWH
t
ELWH
CS ＃
t
WHAX
t
AVWL
WE＃
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
DATA IN
数据有效
t
WLQZ
数据输出
高Z
t
WHQX
写周期1 ， WE ＃控制
图。 4 - 写周期 - CS ＃控制
t
AVAV
地址
t
AVEH
t
ELEH
CS ＃
WS32K32-XHX
t
EHAX
t
AVEL
WE＃
t
WLEH
t
DVEH
t
EHDX
DATA IN
数据输出
高Z
数据有效
写周期2 ， CS ＃控制
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-55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
特征
只有低功率版
数据保持电压
数据保持静态电流
芯片禁用到数据保存时间
手术恢复时间
符号
V
DD
I
CCDR
T
CDR
T
R
条件
V
DD
= 2.0V
CS ＃ = V
DD
-0.2V
V
IN
≥ V
DD
-0.2V
或V
IN
≤ 0.2V
民
2
–
0
T
AVAV
EDI88512CA-RP
数据保持特性（ EDI88512LPA ONLY）
典型值
–
–
–
最大
–
2
–
–
单位
V
mA
ns
ns
图。 5 - 数据保留 - CS ＃控制
数据保持方式
VCC
4.5V
V
DD
4.5V
t
CDR
CS ＃
CS ＃ = V
DD
-0.2V
t
R
数据保留， CS ＃控制
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