怀特电子设计
512Kx8单片SRAM ， SMD 5962-95600
特点
访问时间的15 ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns
数据保持功能（ LPA版）
TTL兼容的输入和输出
完全静态的，并没有时钟
组织为512Kx8
商用，工业和军用温度范围
32脚JEDEC批准进化引脚
陶瓷Sidebrazed 600万DIP （包9 ）
陶瓷Sidebrazed 400万DIP （ 326包）
陶瓷32引脚扁平封装（封装344 ）
陶瓷薄型扁平封装（封装321 ）
陶瓷SOJ （ 140包）
36脚JEDEC批准的革命引脚
陶瓷扁平封装（封装316 ）
陶瓷SOJ （ 327包）
陶瓷LCC （ 502包）
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
*本产品如有变更，恕不另行通知。
EDI88512CA
该EDI88512CA是4兆位单片CMOS
静态RAM 。
32引脚DIP引脚排列坚持以JEDEC进化
标准为四兆位器件。所有的32引脚封装
是引脚对引脚升级为单芯片使能128K
×8 ，则EDI88128CS 。引脚1和30成为高
为了地址。
36引脚引脚排列革命也坚持了
JEDEC标准为四兆的设备。该中心
pin电源和地引脚有助于减少高噪声
高性能系统。 36引脚引脚排列也允许
用户在升级到未来的2Mx8 。
数据保留低功率版本（ EDI88512LPA ）
也可用于电池供电的应用。军事
产品可符合附录A的MIL-
PRF-38535.
图。 1
引脚配置
32针
顶视图
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE ＃
I/O7
I/O6
VSS
VCC
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
引脚说明
I / O
0-7
A0
-18
36针
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
CS ＃
I/O0
I/O1
VCC
VSS
I/O2
I/O3
WE＃
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
36针
9
10
革命的
11
12
13
14
15
16
17
18
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32针
进化
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
WE＃
CS ＃
OE ＃
V
CC
V
SS
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V± 10％）的
地
没有连接
框图
存储阵列
A
0-18
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
0-7
WE＃
CS ＃
OE ＃
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2004年10月
启示录11
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
工作温T
A
（环境）
广告
产业
军事
储存温度，塑料
功耗
输出电流
结温，T
J
0
≤
T
A
≤
+70
-40
≤
T
A
≤
+85
-55
≤
T
A
≤
+125
-65
≤
T
A
≤
+150
1.5
20
175
°C
°C
°C
°C
W
mA
°C
价值
-0.5
≤
T
A
≤
7.0
单位
V
OE ＃
X
H
L
X
CS ＃
H
L
L
L
WE＃
X
H
H
L
EDI88512CA
真值表
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
动力
ICC
2
，国际商会
3
Icc1
Icc1
Icc1
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
3.0
+0.8
单位
V
V
V
V
注意：
应力大于“绝对最大额定值” ，可能引起
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
电容
(T
A
= +25°C)
参数
地址线
数据线
符号
C
I
C
O
条件
V
IN
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
V
OUT
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
最大
12
14
单位
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
DC特性
(V
CC
= 5V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
输出低电压
输出高电压
注： DC测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= VCC -0.3V
符号
I
LI
I
LO
I
CC
1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH
V
IN
= 0V至V
CC
V
I
/
O
= 0V至V
CC
条件
民
-10
-10
(17ns)
（ 20 -55ns ）
—
—
—
CA
LPA
—
—
—
2.4
最大
10
10
250
225
60
25
20
0.4
—
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
WE＃ ， CS ＃ = V
IL
, I
I
/
O
= 0毫安，闵周期
CS ＃
≥
V
IH
, V
IN
≤
V
IL
, V
IN
≥
V
IH
CS ＃
≥
V
CC
-0.2V
V
IN
≥
VCC -0.2V或V
IN
≤
0.2V
I
OL
= 6.0毫安
I
OH
= -4.0mA
AC测试条件
图1
VCC
图2
输入脉冲电平
VCC
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图1
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
480
480
输出负载
注：对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的图2）
Q
255
30pF
Q
255
5pF
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2004年10月
启示录11
2
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
交流特性 - 读周期
(V
CC
= 5.0V ， VSS = 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C)
15ns
民
15
15
15
2
0
0
8
0
0
7
0
0
7
7
3
0
0
8
0
0
8
7
最大
17ns
民
17
17
17
3
0
0
10
0
0
10
8
最大
20ns
民
20
20
20
3
0
0
12
0
0
15
10
最大
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
25ns
民
25
25
25
3
0
0
15
15
最大
35ns
民
35
35
35
最大
EDI88512CA
45ns
民
45
45
45
3
0
0
25
0
0
20
0
0
20
3
0
0
最大
55ns
民
55
55
55
20
30
20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤
+125°C)
15ns
民
15
13
13
0
0
13
13
13
13
0
0
0
0
0
8
8
0
8
最大
17ns
民
17
14
14
0
0
14
14
14
14
0
0
0
0
0
8
8
0
8
最大
20ns
民
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
10
10
0
8
最大
符号
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
WLEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
Alt键。
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
25ns
最小最大
25
17
17
0
0
17
17
17
17
0
0
0
0
0
12
12
0
10
35ns
民
35
25
25
0
0
25
25
25
25
0
0
0
0
0
20
20
0
25
最大
45ns
民
45
30
30
0
0
30
30
30
30
0
0
0
0
0
25
25
0
30
最大
55ns
民
55
50
50
0
0
50
50
45
45
0
0
0
0
0
40
30
0
30
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2004年10月
启示录11
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
图。 2时序波形 - 读周期
t
AVAV
地址
EDI88512CA
t
AVQV
t
AVAV
地址
地址1
地址2
CS ＃
t
ELQV
t
ELQX
OE ＃
t
EHQZ
t
AVQV
数据I / O
t
AVQX
数据
1
数据2
t
GLQV
t
GLQX
数据输出
t
GHQZ
读周期1 （ WE＃高; OE ＃ ， CS ＃为低）
读周期2 （ WE＃高）
图。 3写周期 - WE＃控制
t
AVAV
地址
t
AVWH
t
ELWH
CS ＃
t
WHAX
t
AVWL
WE＃
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
DATA IN
数据有效
t
WLQZ
数据输出
高Z
t
WHQX
写周期1 ， WE ＃控制
图。 4写周期 - CS ＃控制
t
AVAV
地址
t
AVEH
t
ELEH
CS ＃
t
EHAX
t
AVEL
WE＃
t
WLEH
t
DVEH
t
EHDX
DATA IN
数据输出
高Z
数据有效
写周期2 ， CS ＃控制
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2004年10月
启示录11
4
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
数据保持特性（ EDI88512LPA ONLY）
(-55°C
≤
T
A
≤
+125°C)
条件
V
CC
= 2.0V
CS ＃
≥
V
CC
-0.2V
V
IN
≥
V
CC
-0.2V
或V
IN
≤
0.2V
特征
只有低功率版
数据保持电压
数据保持静态电流
芯片禁用到数据保存时间
手术恢复时间
符号
V
CC
I
CCDR
t
CDR
T
R
民
2
–
0
t
AVAV
典型值
–
–
–
–
最大
–
2
–
–
EDI88512CA
单位
V
mA
ns
ns
图。 5数据保留 - CS ＃控制
数据保持方式
V
CC
t
CDR
CS ＃
CS ＃ = V
CC
-0.2V
4.5V
V
CC
WS32K32-XHX
4.5V
t
R
数据保留， CS ＃控制
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2004年10月
启示录11
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
QQ：2881677436 复制
