EDI88130CS
HI-可靠性产品
128Kx8单片SRAM ， SMD 5962-89598
特点
s
15 * ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns存取时间
s
电池备份操作
?? 2V数据保留（ EDI88130LPS ）
s
CS
1
， CS
2
& OE功能的总线控制
s
输入和输出直接TTL兼容
s
组织为128Kx8
s
商用，工业和军用温度范围
s
通孔和表面贴装封装引脚JEDEC
32引脚Sidebrazed陶瓷DIP ， 400密耳（ 102包）
32引脚Sidebrazed陶瓷DIP ， 600密耳（包9 ）
32铅陶瓷SOJ （ 140包）
32片陶瓷LCC四（包12 ）
32片陶瓷LCC （ 141包）
32铅陶瓷扁平封装（封装142 ）
该EDI88130CS是一个高速，高性能， 128Kx8位
整体静态RAM 。
另外一个芯片使能线提供了系统内存的安全性
断电在非电池时备份系统和内存
银行在高速电池供电的系统中大量mul-
的存储器tiple页是必需的。
该EDI88130CS有八个双向输入输出线
提供同时访问所有的位在一个字。
低功耗版本， EDI88130LPS ，提供2V数据保留
功能的电池备份应用程序。
军工产品可符合MIL -PRF- 38535 。
* 15ns的存取时间是先进的信息，请联系工厂。
s
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
图。 1
引脚配置
32 DIP
32 SOJ
32 CLCC
32 FLATPACK
32 QUAD LCC
引脚说明
I / O
0-7
A
0-16
WE
CS
1
， CS
2
29
28
27
26
25
24
23
22
21
顶视图
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
CS
2
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（ + 5V
±10%)
地
没有连接
顶视图
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
I / O-
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32 V
CC
31 A15
30 CS2
29我们
28 A13
27 A8
26 A9
25 A11
24 OE
23 A10
22 CS1
21 I / O7
20 I / O6
19 I / O5
18 I / O4
17 I / O3
4
3
2
1
32
31
30
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
1
I / O
7
OE
V
CC
V
SS
NC
框图
存储阵列
I / O
1
I / O
2
V
SS
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
A
-16
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
-7
WE
CS
1
CS
2
OE
2001年7月10牧师
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88130CS
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
工作温T
A
（环境）
产业
军事
储存温度，陶瓷
功耗
输出电流
结温，T
J
-0.2 7.0
-40至+85
-55到+125
-65到+150
1.7
40
175
单位
V
°C
°C
°C
W
mA
°C
OE
X
X
H
L
X
CS
1
H
X
L
L
L
CS
2
X
L
H
H
H
X
X
H
H
L
真值表
WE
模式
待机
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
动力
ICC
2
，国际商会
3
ICC
2
，国际商会
3
ICC
1
ICC
1
ICC
1
注意：
压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于indi-的操作
符在本规范的业务部门是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
电容
(T
A
= +25°C)
最大
参数
地址线
数据线
符号
C
I
C
O
条件
V
IN
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
V
OUT
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
LCC
6
8
CSOJ ， DIP ，
单位
扁平
12
14
pF
pF
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
VCC +0.5
+0.8
单位
V
V
V
V
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
DC特性
(V
CC
= 5V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
WE ， CS
1
= V
IL
, I
I / O
= 0毫安， CS
2
= V
IH
CS
1
≥
V
IH
和/或CS
2
≤
V
IL
,
V
IN
≥
V
IH
or
≤
V
IL
CS
1
≥
V
CC
-0.2V和/或CS
2
≤
0.2V
V
IN
≥
VCC -0.2V或V
IN
≤
0.2V
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0mA
(15-17ns)
(20ns)
(25-55ns)
(17-55ns)
(15ns)
CS （ 17-55ns ）
CS （ 15ns的）
LPS
条件
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.4
典型值
—
—
最大
±5
±10
300
225
200
25
60
10
15
5
0.4
—
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
待机（ TTL ）电源电流
I
CC2
全部备用电源电流
输出低电压
输出高电压
I
CC3
V
OL
V
OH
3
—
—
—
—
AC测试条件
图1
VCC
图2
VCC
480
480
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
V
SS
至3.0V
3ns
1.5V
图1
注意：
对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的图2）
Q
255
30pF
Q
255
5pF
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
2
EDI88130CS
交流特性 - 读周期（ 15 20ns的）
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出低Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
芯片使能上电（ 1 ）
芯片使能掉电（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
AVQV
t
E1LQV
t
E2HQV
t
E1LQX
t
E2HQX
t
E1HQZ
t
E2LQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
E1LICCH
t
E2HICCH
t
E1HICCL
t
E2LICCL
t
RC
t
AA
t
ACS
t
ACS
t
CLZ
t
CLZ
t
CHZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PU
t
PD
t
PD
0
0
15
15
0
5
0
0
17
17
3
6
0
6
0
0
20
20
5
5
6
6
3
6
0
8
15ns*
民
15
15
15
15
5
5
7
7
3
7
最大
民
17
17
17
17
5
5
8
8
17ns
最大
民
20
20
20
20
20ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
* 15ns的存取时间是先进的信息，请联系工厂。
交流特性 - 读周期（ 25 55ns ）
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出低Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
芯片使能上电（ 1 ）
芯片使能掉电（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
AVQV
t
E1LQV
t
E2HQV
t
E1LQX
t
E2HQX
t
E1HQZ
t
E2LQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
E1LICCH
t
E2HICCH
t
E1HICCL
t
E2LICCL
t
RC
t
AA
t
ACS
t
ACS
t
CLZ
t
CLZ
t
CHZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PU
t
PD
t
PD
0
0
25
25
0
10
0
0
35
35
0
10
0
15
0
0
45
45
5
5
10
10
0
15
0
20
0
0
55
55
25ns
民
25
25
25
25
5
5
15
15
0
20
0
20
最大
民
35
35
35
35
5
5
20
20
0
25
35ns
最大
民
45
45
45
45
5
5
20
20
45ns
最大
民
55
55
55
55
55ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88130CS
交流特性 - 写周期（ 15 20ns的）
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
符号
JEDEC
t
AVAV
t
E1LWH
t
E1LE1H
t
E2HWH
t
E2HE2L
t
AVWL
t
AVE1L
t
AVE2H
t
AVWH
t
WLWH
t
WLE1H
t
WLE2L
t
WHAX
t
E1HAX
t
E2LAX
t
WHDX
t
E1HDX
t
E2LDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVE1H
t
DVE2L
t
WHQX
15ns*
Alt键。
t
WC
t
CW
t
CW
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
DW
t
WLZ
民
15
12
12
12
12
0
0
0
12
12
12
12
0
0
0
0
0
0
0
7
7
7
3
最大
民
17
13
13
13
13
0
0
0
13
13
13
13
0
0
0
0
0
0
0
8
8
8
3
17ns
最大
民
20
15
15
15
15
0
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
0
0
10
10
10
3
20ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
7
8
8
输出写入结束活动（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
交流特性 - 写周期（ 25 55ns ）
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
WC
t
E1LWH
t
CW
t
E1LE1H
t
CW
t
E2HWH
t
CW
t
E2HE2L
t
CW
t
AVWL
t
AS
t
AVE1L
t
AS
t
AVE2H
t
AS
t
AVWH
t
AW
t
AVEH
t
AW
t
WLWH
t
WP
t
WLE1H
t
WP
t
WLE2L
t
WP
t
WHAX
t
WR
t
E1HAX
t
WR
t
E2LAX
t
WR
t
WHDX
t
DH
t
E1HDX
t
DH
t
E2LDX
t
DH
t
WLQZ
t
WHZ
t
DVWH
t
DW
t
DW
t
DVE1H
t
DVE2L
t
DW
t
WHQX
t
WLZ
25ns
民
25
20
16
16
0
0
0
20
20
20
20
20
0
0
0
0
0
0
0
15
15
15
3
0
0
0
25
25
30
30
30
0
0
0
0
0
0
0
20
20
20
3
最大
民
35
25
20
20
0
0
0
35
35
30
30
30
5
5
5
0
0
0
0
20
20
20
3
35ns
最大
民
45
35
25
25
0
0
0
45
45
35
35
35
5
5
5
0
0
0
0
25
25
25
3
45ns
最大
民
55
45
40
40
55ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
16
20
25
40
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
10
13
15
20
输出写入结束活动（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
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4
EDI88130CS
图。 2
时序波形 - 读周期
地址
t
AVAV
t
AVQV
CS
1
t
E1LQV
t
E1LQX
t
E1LICCH
t
E1HQZ
t
E1HICCL
t
E2LICCL
t
AVAV
地址
地址1
地址2
ICC
t
E2HQV
CS
2
t
E2HICCH
t
E2HQX
t
AVQV
数据I / O
t
AVQX
数据1
数据2
OE
t
GLQV
t
GLQX
数据I / O
t
GHQZ
读周期1 （WE高; OE ， CS为低电平）
读周期2 （ CS
1
和/或CS
2
控制， WE高）
图。 3
写周期1
地址
t
AVAV
t
AVWH
t
WLWH
t
AVWL
WE
t
WHAX
t
E1LWH
CS
1
CS
2
t
E2HWH
t
DVWH
t
WHDX
DATA IN
t
WLQZ
数据输出
t
WHQX
写周期1 - 后写，我们控制
图。 4
地址
写周期2
t
AVAV
写周期3
t
AVAV
地址
t
AVE1L
WE
t
E1LE1H
t
E1HAX
WS32K32-XHX
t
t
AVE2H
E2HE2L
t
E2LAX
WE
CS
1
CS
1
CS
2
CS
2
t
DVE1H
数据I / O
t
E1HDX
数据I / O
t
DVE2L
t
E2LDX
写周期2 - 早期写入， CS
1
控制
写周期3 - 早期写入， CS
2
控制
5
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EDI88130CS
HI-可靠性产品
128Kx8单片SRAM ， SMD 5962-89598
特点
s
15 * ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns存取时间
s
电池备份操作
?? 2V数据保留（ EDI88130LPS ）
s
CS
1
， CS
2
& OE功能的总线控制
s
输入和输出直接TTL兼容
s
组织为128Kx8
s
商用，工业和军用温度范围
s
通孔和表面贴装封装引脚JEDEC
32引脚Sidebrazed陶瓷DIP ， 400密耳（ 102包）
32引脚Sidebrazed陶瓷DIP ， 600密耳（包9 ）
32铅陶瓷SOJ （ 140包）
32片陶瓷LCC四（包12 ）
32片陶瓷LCC （ 141包）
32铅陶瓷扁平封装（封装142 ）
该EDI88130CS是一个高速，高性能， 128Kx8位
整体静态RAM 。
另外一个芯片使能线提供了系统内存的安全性
断电在非电池时备份系统和内存
银行在高速电池供电的系统中大量mul-
的存储器tiple页是必需的。
该EDI88130CS有八个双向输入输出线
提供同时访问所有的位在一个字。
低功耗版本， EDI88130LPS ，提供2V数据保留
功能的电池备份应用程序。
军工产品可符合MIL -PRF- 38535 。
* 15ns的存取时间是先进的信息，请联系工厂。
s
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
图。 1
引脚配置
32 DIP
32 SOJ
32 CLCC
32 FLATPACK
32 QUAD LCC
引脚说明
I / O
0-7
A
0-16
WE
CS
1
， CS
2
29
28
27
26
25
24
23
22
21
顶视图
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
CS
2
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（ + 5V
±10%)
地
没有连接
顶视图
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
I / O-
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32 V
CC
31 A15
30 CS2
29我们
28 A13
27 A8
26 A9
25 A11
24 OE
23 A10
22 CS1
21 I / O7
20 I / O6
19 I / O5
18 I / O4
17 I / O3
4
3
2
1
32
31
30
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
1
I / O
7
OE
V
CC
V
SS
NC
框图
存储阵列
I / O
1
I / O
2
V
SS
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
A
-16
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
-7
WE
CS
1
CS
2
OE
2001年7月10牧师
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88130CS
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
工作温T
A
（环境）
产业
军事
储存温度，陶瓷
功耗
输出电流
结温，T
J
-0.2 7.0
-40至+85
-55到+125
-65到+150
1.7
40
175
单位
V
°C
°C
°C
W
mA
°C
OE
X
X
H
L
X
CS
1
H
X
L
L
L
CS
2
X
L
H
H
H
X
X
H
H
L
真值表
WE
模式
待机
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
动力
ICC
2
，国际商会
3
ICC
2
，国际商会
3
ICC
1
ICC
1
ICC
1
注意：
压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于indi-的操作
符在本规范的业务部门是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
电容
(T
A
= +25°C)
最大
参数
地址线
数据线
符号
C
I
C
O
条件
V
IN
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
V
OUT
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
LCC
6
8
CSOJ ， DIP ，
单位
扁平
12
14
pF
pF
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
VCC +0.5
+0.8
单位
V
V
V
V
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
DC特性
(V
CC
= 5V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
WE ， CS
1
= V
IL
, I
I / O
= 0毫安， CS
2
= V
IH
CS
1
≥
V
IH
和/或CS
2
≤
V
IL
,
V
IN
≥
V
IH
or
≤
V
IL
CS
1
≥
V
CC
-0.2V和/或CS
2
≤
0.2V
V
IN
≥
VCC -0.2V或V
IN
≤
0.2V
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0mA
(15-17ns)
(20ns)
(25-55ns)
(17-55ns)
(15ns)
CS （ 17-55ns ）
CS （ 15ns的）
LPS
条件
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.4
典型值
—
—
最大
±5
±10
300
225
200
25
60
10
15
5
0.4
—
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
待机（ TTL ）电源电流
I
CC2
全部备用电源电流
输出低电压
输出高电压
I
CC3
V
OL
V
OH
3
—
—
—
—
AC测试条件
图1
VCC
图2
VCC
480
480
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
V
SS
至3.0V
3ns
1.5V
图1
注意：
对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的图2）
Q
255
30pF
Q
255
5pF
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2
EDI88130CS
交流特性 - 读周期（ 15 20ns的）
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出低Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
芯片使能上电（ 1 ）
芯片使能掉电（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
AVQV
t
E1LQV
t
E2HQV
t
E1LQX
t
E2HQX
t
E1HQZ
t
E2LQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
E1LICCH
t
E2HICCH
t
E1HICCL
t
E2LICCL
t
RC
t
AA
t
ACS
t
ACS
t
CLZ
t
CLZ
t
CHZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PU
t
PD
t
PD
0
0
15
15
0
5
0
0
17
17
3
6
0
6
0
0
20
20
5
5
6
6
3
6
0
8
15ns*
民
15
15
15
15
5
5
7
7
3
7
最大
民
17
17
17
17
5
5
8
8
17ns
最大
民
20
20
20
20
20ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
* 15ns的存取时间是先进的信息，请联系工厂。
交流特性 - 读周期（ 25 55ns ）
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出低Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
芯片使能上电（ 1 ）
芯片使能掉电（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
AVQV
t
E1LQV
t
E2HQV
t
E1LQX
t
E2HQX
t
E1HQZ
t
E2LQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
E1LICCH
t
E2HICCH
t
E1HICCL
t
E2LICCL
t
RC
t
AA
t
ACS
t
ACS
t
CLZ
t
CLZ
t
CHZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PU
t
PD
t
PD
0
0
25
25
0
10
0
0
35
35
0
10
0
15
0
0
45
45
5
5
10
10
0
15
0
20
0
0
55
55
25ns
民
25
25
25
25
5
5
15
15
0
20
0
20
最大
民
35
35
35
35
5
5
20
20
0
25
35ns
最大
民
45
45
45
45
5
5
20
20
45ns
最大
民
55
55
55
55
55ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
3
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EDI88130CS
交流特性 - 写周期（ 15 20ns的）
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
符号
JEDEC
t
AVAV
t
E1LWH
t
E1LE1H
t
E2HWH
t
E2HE2L
t
AVWL
t
AVE1L
t
AVE2H
t
AVWH
t
WLWH
t
WLE1H
t
WLE2L
t
WHAX
t
E1HAX
t
E2LAX
t
WHDX
t
E1HDX
t
E2LDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVE1H
t
DVE2L
t
WHQX
15ns*
Alt键。
t
WC
t
CW
t
CW
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
DW
t
WLZ
民
15
12
12
12
12
0
0
0
12
12
12
12
0
0
0
0
0
0
0
7
7
7
3
最大
民
17
13
13
13
13
0
0
0
13
13
13
13
0
0
0
0
0
0
0
8
8
8
3
17ns
最大
民
20
15
15
15
15
0
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
0
0
10
10
10
3
20ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
7
8
8
输出写入结束活动（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
交流特性 - 写周期（ 25 55ns ）
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
WC
t
E1LWH
t
CW
t
E1LE1H
t
CW
t
E2HWH
t
CW
t
E2HE2L
t
CW
t
AVWL
t
AS
t
AVE1L
t
AS
t
AVE2H
t
AS
t
AVWH
t
AW
t
AVEH
t
AW
t
WLWH
t
WP
t
WLE1H
t
WP
t
WLE2L
t
WP
t
WHAX
t
WR
t
E1HAX
t
WR
t
E2LAX
t
WR
t
WHDX
t
DH
t
E1HDX
t
DH
t
E2LDX
t
DH
t
WLQZ
t
WHZ
t
DVWH
t
DW
t
DW
t
DVE1H
t
DVE2L
t
DW
t
WHQX
t
WLZ
25ns
民
25
20
16
16
0
0
0
20
20
20
20
20
0
0
0
0
0
0
0
15
15
15
3
0
0
0
25
25
30
30
30
0
0
0
0
0
0
0
20
20
20
3
最大
民
35
25
20
20
0
0
0
35
35
30
30
30
5
5
5
0
0
0
0
20
20
20
3
35ns
最大
民
45
35
25
25
0
0
0
45
45
35
35
35
5
5
5
0
0
0
0
25
25
25
3
45ns
最大
民
55
45
40
40
55ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
16
20
25
40
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
10
13
15
20
输出写入结束活动（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
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图。 2
时序波形 - 读周期
地址
t
AVAV
t
AVQV
CS
1
t
E1LQV
t
E1LQX
t
E1LICCH
t
E1HQZ
t
E1HICCL
t
E2LICCL
t
AVAV
地址
地址1
地址2
ICC
t
E2HQV
CS
2
t
E2HICCH
t
E2HQX
t
AVQV
数据I / O
t
AVQX
数据1
数据2
OE
t
GLQV
t
GLQX
数据I / O
t
GHQZ
读周期1 （WE高; OE ， CS为低电平）
读周期2 （ CS
1
和/或CS
2
控制， WE高）
图。 3
写周期1
地址
t
AVAV
t
AVWH
t
WLWH
t
AVWL
WE
t
WHAX
t
E1LWH
CS
1
CS
2
t
E2HWH
t
DVWH
t
WHDX
DATA IN
t
WLQZ
数据输出
t
WHQX
写周期1 - 后写，我们控制
图。 4
地址
写周期2
t
AVAV
写周期3
t
AVAV
地址
t
AVE1L
WE
t
E1LE1H
t
E1HAX
WS32K32-XHX
t
t
AVE2H
E2HE2L
t
E2LAX
WE
CS
1
CS
1
CS
2
CS
2
t
DVE1H
数据I / O
t
E1HDX
数据I / O
t
DVE2L
t
E2LDX
写周期2 - 早期写入， CS
1
控制
写周期3 - 早期写入， CS
2
控制
5
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