怀特电子设计
128Kx8单片SRAM ， SMD 5962-89598
特点
15 * ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns存取时间
电池备份操作
?? 2V数据保留（ EDI88130LPS ）
＃ CS1 ，CS2 & OE ＃函数总线控制
输入和输出直接TTL兼容
组织为128Kx8
商用，工业和军用温度
范围
通孔和表面贴装封装符合JEDEC
引脚
32引脚Sidebrazed陶瓷DIP， 400密耳
（ 102包）
32引脚Sidebrazed陶瓷DIP， 600密耳
（包9 ）
32引线陶瓷SOJ （ 140包）
?? 32片陶瓷LCC四（包12 ）
32片陶瓷LCC （ 141包）
32铅陶瓷扁平封装（封装142 ）
EDI88130CS
单+ 5V （ ± 10 ％ ）供应OperationThe
EDI88130CS是一个高速，高性能
128Kx8位单片静态RAM 。
另外一个芯片使能线提供系统内存
断电在非电池时的安全备份
系统和内存的银行在高速电池
支持的系统中大量多页的内存
是必需的。
该EDI88130CS有八个双向输入输出线
提供同时访问所有位在一个字。
低功耗版本， EDI88130LPS ，提供2V数据
保持功能的电池备份应用程序。
军工产品可符合MIL- PRF-
38535.
* 15ns的存取时间是先进的信息，请联系工厂。
图1 - 引脚配置
32 DIP
32 SOJ
32 CLCC
32 FLATPACK
顶视图
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CS2#
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS1#
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
32 QUAD LCC
顶视图
A12
A14
A16
NC
V
CC
A15
CS2
引脚说明
I/O0-7
A0-16
WE＃
＃ CS1 ，CS2
OE ＃
V
CC
V
SS
NC
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
4
3
2
1
32
31
30
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
29
28
27
26
25
24
23
22
21
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS1#
I/O7
框图
存储阵列
I/O1
I/O2
V
SS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
A0-16
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I/O0-7
WE＃
CS1#
CS2
OE ＃
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启示录11
1
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绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
（环境）
产业
军事
储存温度，陶瓷
功耗
输出电流
结温，T
J
-0.2 7.0
-40至+85
-55到+125
-65到+150
1.7
40
175
单位
V
°C
°C
°C
W
mA
°C
OE ＃ CS1 CS2 ＃
X
H
X
X
X
L
H
L
H
L
L
H
X
L
H
EDI88130CS
真值表
WE＃
模式
X
待机
X
待机
H
输出取消
H
读
L
写
产量
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
动力
ICC2 ， ICC3
ICC2 ， ICC3
Icc1
Icc1
Icc1
电容
T
A
= +25°C
最大
参数
地址线
数据线
符号
C
I
C
O
条件
V
IN
= VCC或VSS时，
F = 1.0MHz的
V
OUT
= VCC或VSS时，
F = 1.0MHz的
LCC
6
8
CSOJ ， DIP ，
扁平
注意：
压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
单位
pF
pF
12
14
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
V
CC
+0.5
+0.8
单位
V
V
V
V
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
DC特性
V
CC
= 5.0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
Icc1
Icc2
Icc3
V
OL
V
OH
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
WE＃ ， CS1 ＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安， CS2 = V
IH
CS1 ＃ = V
IH
和/或CS 2 ≤ V
IL
,
V
IN
≥ V
IH
或者V
IL
CS1 ＃ = V
CC
-0.2V和/或CS 2 ≤ 0.2V
V
IN
≥ V
CC
-0.2V或V
IN
≤ 0.2V
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0mA
(15-17ns)
(20ns)
(25-55ns)
(17-55ns)
(15ns)
CS （ 17-55ns ）
CS （ 15ns的）
LPS
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.4
典型值
—
—
最大
±5
±10
300
225
200
25
60
10
15
5
0.4
—
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
3
—
—
—
—
AC测试条件
图1
VCC
图2
480
VCC
输入脉冲电平
480
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图1
Q
255
30pF
Q
255
5pF
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
注：对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的图2
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交流特性 - 读周期（ 15 20ns的）
V
CC
= 5.0V ， VSS = 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
15ns*
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
ACS
t
CLZ
t
CLZ
t
CHZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PU
t
PD
t
PD
民
15
最大
15
15
15
5
5
6
6
3
6
0
5
0
0
15
15
0
0
17
17
0
6
0
0
3
6
0
5
5
7
7
3
民
17
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出低Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
芯片使能上电（ 1 ）
芯片使能掉电（ 1 ）
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
E1LQV
t
E2HQV
t
E1LQX
t
E2HQX
t
E1HQZ
t
E2LQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
E1LICCH
t
E2HICCH
t
E1HICCL
t
E2LICCL
17ns
最大
17
17
17
5
5
EDI88130CS
20ns
民
20
最大
20
20
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
8
7
8
20
20
1.此参数由设计保证，但未经测试。
* 15ns的存取时间是先进的信息，请联系工厂。
交流特性 - 读周期（ 25 55ns ）
V
CC
= 5.0V ， VSS = 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出低Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
芯片使能上电（ 1 ）
芯片使能掉电（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
25ns
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
ACS
t
CLZ
t
CLZ
t
CHZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PU
t
PD
t
PD
民
25
最大
25
25
25
5
5
10
10
0
10
0
10
0
0
25
25
0
0
0
0
5
5
民
35
35ns
最大
35
35
35
5
5
15
15
0
15
0
15
0
0
35
35
民
45
45ns
最大
45
45
45
5
5
20
20
0
20
0
20
0
0
45
45
民
55
55ns
最大
55
55
55
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
E1LQV
t
E2HQV
t
E1LQX
t
E2HQX
t
E1HQZ
t
E2LQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
E1LICCH
t
E2HICCH
t
E1HICCL
t
E2LICCL
20
20
25
20
55
55
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交流特性 - 写周期（ 15 20ns的）
V
CC
= 5.0V ， VSS = 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
15ns*
民
15
12
12
12
12
0
0
0
12
12
12
12
0
0
0
0
0
0
0
7
7
7
3
最大
民
17
13
13
13
13
0
0
0
13
13
13
13
0
0
0
0
0
0
0
8
8
8
3
符号
JEDEC
Alt键。
t
WC
t
AVAV
t
E1LWH
t
CW
t
E1LE1H
t
CW
t
E2HWH
t
CW
t
E2HE2L
t
CW
t
AVWL
t
AS
t
AVE1L
t
AS
t
AVE2H
t
AS
t
AW
t
AVWH
t
WLWH
t
WP
t
WLE1H
t
WP
t
WLE2L
t
WP
t
WHAX
t
WR
t
E1HAX
t
WR
t
E2LAX
t
WR
t
WHDX
t
DH
t
E1HDX
t
DH
t
E2LDX
t
DH
t
WHZ
t
WLQZ
t
DVWH
t
DW
t
DVE1H
t
DW
t
DVE2L
t
DW
t
WHQX
t
WLZ
17ns
最大
EDI88130CS
20ns
民
20
15
15
15
15
0
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
0
0
10
10
10
3
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
7
8
8
交流特性 - 写周期（ 25 55ns ）
V
CC
= 5.0V ， VSS = 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
25ns
民
最大
25
20
16
16
16
0
0
0
20
20
20
20
20
0
0
0
0
0
0
0
10
15
15
15
3
符号
JEDEC
Alt键。
t
WC
t
AVAV
t
E1LWH
t
CW
t
E1LE1H
t
CW
t
E2HWH
t
CW
t
E2HE2L
t
CW
t
AVWL
t
AS
t
AVE1L
t
AS
t
AVE2H
t
AS
t
AVWH
t
AW
t
AVEH
t
AW
t
WLWH
t
WP
t
WLE1H
t
WP
t
WLE2L
t
WP
t
WHAX
t
WR
t
E1HAX
t
WR
t
E2LAX
t
WR
t
WHDX
t
DH
t
E1HDX
t
DH
t
E2LDX
t
DH
t
WLQZ
t
WHZ
t
DW
t
DVWH
t
DVE1H
t
DW
t
DVE2L
t
DW
t
WHQX
t
WLZ
35ns
民
最大
35
25
20
20
20
0
0
0
25
25
30
30
30
0
0
0
0
0
0
0
13
20
20
20
3
45ns
民
最大
45
35
25
25
25
0
0
0
35
35
30
30
30
5
5
5
0
0
0
0
15
20
20
20
3
55ns
民
最大
55
45
40
40
40
0
0
0
45
45
35
35
35
5
5
5
0
0
0
0
20
25
25
25
3
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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图2 - 时序波形 - 读周期
t
AVAV
地址
EDI88130CS
t
AVQV
CS1#
t
AVAV
地址
ICC
地址1
地址2
t
E1LQV
t
E1LQX
t
E1LICCH
t
E2HQV
CS2
t
E1HQZ
t
E1HICCL
t
E2LICCL
t
AVQV
数据I / O
t
AVQX
数据1
数据2
t
E2HICCH
t
E2HQX
OE ＃
t
GLQV
t
GLQX
数据I / O
t
GHQZ
读周期1 （ WE＃高; OE ＃ ， CS ＃为低）
读周期2 （ CS1 ＃和/或CS2控制， WE＃高）
图3 - 写周期1
t
AVAV
地址
t
AVWL
WE＃
t
AVWH
t
WLWH
t
WHAX
t
E1LWH
CS1#
CS2
t
E2HWH
t
DVWH
t
WHDX
DATA IN
t
WLQZ
数据输出
t
WHQX
写周期1 - 后写入， WE＃控制
图4 - 写周期2
t
AVAV
地址
地址
写周期3
t
AVAV
t
AVE2H
WE＃
t
AVE1L
WE＃
t
E1LE1H
t
E1HAX
t
E2HE2L
t
E2LAX
CS1#
CS1#
CS2
CS2
t
DVE1H
数据I / O
t
E1HDX
数据I / O
t
DVE2L
t
E2LDX
写周期2 - 早期写入， CS1 ＃控制
写周期3 - 早期写入， CS2控
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