EDI88128V-RP
HI-可靠性产品
128Kx8塑料单片3.3V SRAM
特点
s
15访问时间， 20日，为25ns
s
TTL兼容的输入和输出
s
全静态操作
s
中心的电源和地引脚
s
工业和军用温度范围
s
JEDEC批准的革命引脚
32引脚塑料SOJ （包7 ）
s
单+ 3.3V （ ± 10 ％ ）电源供电
WEDC的耐用塑料128Kx8 SRAM中，用户可以
利用采用了塑料组件的成本优势
同时不牺牲所有的可靠性提供了充分的军事
装置。
扩展温度测试与测试模式进行
关于WEDC的完全兼容128Kx8 SRAM的使用而开发的。
WEDC充分表征的设备，以确定合适的测试
模式进行测试，在极端温度。这是至关重要的
由于设备变更的操作特性时，它是
操作超出了商业级温度范围。使用的COM
商用测试方法并不能保证操作的设备
可靠地在极端温度下的字段。 WEDC的用户
从WEDC在丰富的经验，坚固耐用的塑料的好处
表征的SRAM用于军事系统。
图。 1
引脚配置
顶视图
A0
A1
A2
A3
CS
I/O0
I/O1
V
CC
V
SS
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
V
SS
V
CC
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
引脚说明
I / O
0-7
A
0-16
WE
CS
OE
V
CC
V
SS
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（ + 3.3V
±10%)
地
没有连接
框图
存储阵列
NC
A
-16
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
-7
WE
CS
OE
1999年7月第1版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88128V-RP
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
工作温T
A
（环境）
广告
产业
军事
储存温度，塑料
功耗
输出电流
结温，T
J
0至+70
-40至+85
-55到+125
-65到+125
1.5
20
175
°C
°C
°C
°C
W
mA
°C
-0.5到4.6
单位
V
OE
X
H
L
X
CS
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
真值表
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
动力
ICC
2
，国际商会
3
ICC
1
ICC
1
ICC
1
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0
0
2.2
-0.3
典型值
3.3
0
—
—
最大
3.6
0
6.0
+0.8
单位
V
V
V
V
注意：
压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于indi-的操作
符在本规范的业务部门是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
电容
(T
A
= +25°C)
参数
地址线
数据线
符号
C
I
C
O
条件
V
IN
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
V
OUT
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
最大
6
8
单位
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
DC特性
(V
CC
= 5V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
WE ， CS = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，闵周期
CS
≥
V
IH
, V
IN
≤
V
IL
, V
IN
≥
V
IH
CS
≥
V
CC
-0.2V
V
IN
≥
VCC -0.2V或V
IN
≤
0.2V
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0mA
条件
民
-10
-10
—
—
—
—
2.4
最大
+10
+10
170
30
10
0.4
—
A
A
mA
mA
mA
V
V
单位
注： DC测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= VCC -0.3V
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2
EDI88128V-RP
交流特性 - 读周期
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
0
0
7
3
0
3
7
0
0
8
7
15ns
民
15
15
15
3
0
3
8
0
0
10
8
最大
民
20
20
20
3
0
3
10
10
20ns
最大
民
25
25
25
25ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
符号
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
WLEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
Alt键。
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
民
15
10
10
0
0
10
10
10
10
0
0
0
0
0
7
7
0
7
15ns
最大
民
20
12
12
0
0
12
12
12
12
0
0
0
0
0
10
10
0
8
20ns
最大
民
25
17
17
0
0
17
17
17
17
0
0
0
0
0
12
12
0
10
25ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC测试条件
图1
VCC
图2
VCC
480
480
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图1
注意：
对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的图2）
Q
255
30pF
Q
255
5pF
3
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图。 2
时序波形 - 读周期
t
AVAV
地址
t
AVQV
t
AVAV
地址
地址1
地址2
CS
t
ELQV
t
ELQX
OE
t
EHQZ
t
AVQV
数据I / O
t
AVQX
数据1
数据2
t
GLQV
t
GLQX
数据I / O
t
GHQZ
读周期1 （WE高; OE ， CS为低电平）
读周期2 （WE高）
图。 3
写周期 - 我们控制
t
AVAV
地址
t
AVWH
t
ELWH
CS
t
WHAX
t
AVWL
WE
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
DATA IN
数据有效
t
WLQZ
数据输出
高Z
t
WHQX
写周期1 ，我们控制
图。 4
写周期 - CS控
地址
t
AVAV
WS32K32-XHX
t
AVEH
t
ELEH
t
EHAX
t
AVEL
t
WLEH
t
DVEH
t
EHDX
CS
WE
DATA IN
数据输出
高Z
数据有效
写周期2 ， CS控
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包7 ：
32引脚塑料SOJ
0.835
0.819
0.146
0.130
0.409
0.394
0.448
0.422
0.374
0.358
引脚1指示
0.045
0.033
0.031
0.024
0.021
0.013
0.050
典型值
0.025
民
所有尺寸为英寸
订购信息
EDI 8 8 128 V X X X
怀特电子设计
SRAM
组织， 128Kx8
3.3V电源
访问时间（纳秒）
套餐类型：
M = 32引脚Plasticic SOJ （包7 ）
设备等级：
M =军事屏蔽
I =工业
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
5
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