EDI88128C
HI-可靠性产品
128Kx8单片SRAM ， SMD 5962-89598
特点
s
70访问时间， 85 ， 100纳秒
s
可提供单芯片选择（ EDI88128 ）或双芯片
选择（ EDI88130 ）
s
2V数据保留（ LP版本）
s
CS和OE功能的总线控制
s
TTL兼容的输入和输出
s
完全静态的，并没有时钟
s
组织为128Kx8
s
工业，军用和商用温度范围
s
通孔和表面贴装封装引脚JEDEC
32引脚陶瓷DIP ， 0.6密耳宽（包9 ）
32引线陶瓷ZIP （ 100包）
32引线陶瓷SOJ （ 140包）
s
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
该EDI88128C是一款高速，高性能，单片
CMOS静态RAM组织为128Kx8 。
该装置也可作为EDI88130C与附加芯片
选择线（CS
2
），它会自动断电装置
当施加适当的逻辑电平。
第二芯片选择线（CS
2
）可以用来提供系统
断电在非电池中存储的安全备份
在内存的银行系统和simplifiy解码方案
在需要大的多个页面的存储器。
该EDI88128C和EDI88130C有八个双向IN-
把输出线，以提供同时访问所有的位在一个
字。了自动断电功能允许芯片上的
电路进入一个非常低的待机模式，并带回
投入运行的速度相等的地址存取时间。
低功率版本， EDI88128LP和EDI88130LP ，提供2V数据
保持功能的电池备份opperation 。军队的精良
UCT提供符合MIL -PRF- 38535的附录A中。
图。 1
引脚配置
引脚说明
32 DIP
32 SOJ
32 ZIP
I / O
0-7
A
0-16
WE
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（ + 5V
±10%)
地
没有连接
顶视图
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
I / O-
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
NC/CS2*
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
I / O-
I/O1
I/O2
V
SS
顶视图
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
V
CC
A15
NC/CS2*
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
CS
1
， CS
2
OE
V
CC
V
SS
NC
框图
存储阵列
A
-16
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
-7
WE
CS
1
CS
2
OE
*引脚30是NC的88128或CS
2
为88130 。
1999年7月13牧师
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88128C
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
工作温T
A
（环境）
广告
产业
军事
储存温度，塑料
功耗
输出电流
结温，T
J
0至+70
-40至+85
-55到+125
-65到+150
1
20
175
°C
°C
°C
°C
W
mA
°C
-0.5 7.0
单位
V
OE
X
X
X
H
L
X
CS
1
H
X
X
L
L
L
CS
2
X
L
L
H
H
H
WE
X
X
X
H
H
L
真值表
模式
待机
待机
输出取消
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
动力
ICC
2
，国际商会
3
ICC
2
，国际商会
3
ICC
1
ICC
1
ICC
1
ICC
1
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
VCC +0.5
+0.8
单位
V
V
V
V
注意：
压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于indi-的操作
符在本规范的业务部门是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
电容
(T
A
= +25°C)
参数
地址线
输入/输出线
符号
C
I
C
O
条件
V
IN
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
V
OUT
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
最大
12
14
单位
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
DC特性
(V
CC
= 5V ，T
A
= +25°C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
， CS
1
≥
V
IH
和/或CS
2
≤
V
IL
WE ， CS
1
= V
IL
, I
I / O
= 0毫安，闵周期
CS
2
= V
IH
(70-85ns)
(100ns)
C
LP
条件
民
-5
-10
—
—
—
—
—
—
2.4
1
—
—
—
典型值
—
—
最大
+5
+10
120
110
10
5
1
0.4
—
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
单位
CS
1
≥
V
IH
和/或CS
2
≤
V
IL
, V
IN
≥
V
IH
or
≤
V
IL
CS
1
≥
V
CC
-0.2V和/或CS
2
≤
VCC + 0.2V
V
IN
≥
VCC -0.2V或V
IN
≤
0.2V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
注： DC测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= VCC -0.3V
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2
EDI88128C
交流特性 - 读周期
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
SHQV
t
ELQX
t
SHQX
t
EHQZ
t
SLQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
RC
t
AA
t
ACS
t
ACS
t
CLZ
t
CLZ
t
CHZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
0
0
30
3
3
0
0
3
25
0
0
30
30
30
70ns
民
70
70
70
70
3
3
0
0
3
30
0
0
30
30
30
最大
民
85
85
85
85
3
3
0
0
3
50
30
30
85ns
最大
民
100
100
100
100
100ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC测试条件
图1
VCC
图2
VCC
480
480
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图1
注意：
对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的图2）
Q
255
30pF
Q
255
5pF
3
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EDI88128C
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
参数
写周期时间
片选写的结束
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
SHWH
t
SHSL
t
AVWL
t
AVEL
t
AVSH
t
AVWH
t
WLWH
t
WLEH
t
WLSL
t
WHAX
t
EHAX
t
SLAX
t
WHDX
t
EHDX
t
SLDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
DVSL
t
WHQX
t
WC
t
CW
t
CW
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
DW
t
WLZ
70ns
民
70
60
60
60
60
0
0
0
60
35
35
35
5
5
5
0
0
0
0
35
35
35
5
30
最大
民
85
75
75
75
75
0
0
0
75
70
70
70
5
5
5
0
0
0
0
40
40
40
5
35
85ns
最大
民
100
85
85
85
85
0
0
0
85
80
80
80
5
5
5
0
0
0
0
40
40
40
5
40
100ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
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4
EDI88128C
图。 2
时序波形 - 读周期
t
AVAV
地址
t
AVQV
CS
1
t
AVAV
地址
t
ELQV
t
ELQX
CS
2
地址2
t
EHQZ
地址1
t
SHQV
t
SHQX
OE
数据2
t
SLQZ
t
AVQV
数据I / O
t
AVQX
数据1
t
GLQV
t
GLQX
数据I / O
t
GHQZ
读周期1 （WE高; OE ， CS为低电平）
读周期2 （WE高）
图。 3
写周期1
地址
t
AVAV
t
AVWH
t
WLWH
t
AVWL
WE
t
WHAX
CS
1
t
ELWH
CS
2
t
SHWH
DATA IN
t
DVWH
t
WHQX
t
WHDX
数据有效
t
WLQZ
数据输出
高Z
写周期1 - 后写，我们控制
图。 4
WRITE循环2
t
AVAV
地址
写周期3
WS32K32-XHX
地址
t
AVAV
t
SLAX
t
AVEL
WE
t
WLEH
t
EHAX
WE
t
AVSH
t
WLSL
t
ELEH
CS
1
t
SHSL
CS
1
CS
2
CS
2
t
DVEH
DATA IN
数据有效
t
EHDX
DATA IN
t
DVSL
数据有效
t
SLDX
写周期2 - 早期写入， CS
1
控制
写周期3 - 早期写入， CS
2
控制
5
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