怀特电子设计
128Kx8单片SRAM ， SMD 5962-89598
特点
70访问时间， 85 ， 100纳秒
可提供单芯片选择（ EDI88128 ）或
双片选（ EDI88130 ）
2V数据保留（ LP版本）
CS ＃和OE ＃功能的总线控制
TTL兼容的输入和输出
完全静态的，并没有时钟
组织为128Kx8
工业，军用和商用温度
范围
通孔和表面贴装封装符合JEDEC
引脚
32引脚陶瓷DIP ， 0.6密耳宽（包9 ）
32引线陶瓷SOJ （ 140包）
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
EDI88128C
该EDI88128C是一个高速，高性能，
单片CMOS静态RAM组织为128Kx8 。
该装置也可作为EDI88130C用
额外的片选线（ CS2 ）会自动将其
断电时，正确的逻辑电平器件
应用。
第二芯片选择线（ CS 2 ），可用于提供
在非电池掉电系统内存的安全性
备份系统和简化网络解码方案
记忆银行，其中大型多页的内存
是必需的。
该EDI88128C和EDI88130C有八双
双向输入输出线同时提供
访问所有的位在一个字。自动断电
特征允许芯片上的电路进入一个非常低的
待机模式并在重新投入运行
速度等于该地址访问时间。
低功率版本， EDI88128LP和EDI88130LP ，报价
2V的数据保留功能，电池后备opperation 。
军工产品可符合附录A的
MIL-PRF-38535.
图1 - 引脚配置
32 DIP
32 SOJ
引脚说明
I/O0-7
A0-16
WE＃
＃ CS1 ，CS2
OE ＃
V
CC
V
SS
NC
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V± 10％）的
地
没有连接
顶视图
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
I / O-
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32 V
CC
31 A15
30 NC / CS2 *
29 WE＃
28 A13
27 A8
26 A9
25 A11
24 OE ＃
23 A10
22 CS1 ＃
21 I / O7
20 I / O6
19 I / O5
18 I / O4
17 I / O3
框图
*引脚30是NC的88128或CS2为88130 。
2005年4月
启示录17
WE＃
CS1#
CS2
OE ＃
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绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
（环境）
广告
产业
军事
储存温度，塑料
功耗
输出电流
结温，T
J
-0.5 7.0
0至+70
-40至+85
-55到+125
-65到+150
1
20
175
单位
V
°C
°C
°C
°C
W
mA
°C
OE ＃ ＃ CS1 CS2 ＃ WE＃
模式
X
H
X
X
待机
X
X
L
X
待机
X
X
L
X
输出取消
H
L
H
H
输出取消
L
L
H
H
读
X
L
H
L
写
EDI88128C
真值表
产量
高Z
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
动力
ICC2 ， ICC3
ICC2 ， ICC3
Icc1
Icc1
Icc1
Icc1
注意：
压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
V
CC
+0.5
+0.8
单位
V
V
V
V
电容
T
A
= +25°C
符号
参数
地址线
C
I
输入/输出线
C
O
条件
V
IN
= V
CC
或V
SS
中，f = 1.0MHz的
V
OUT
= V
CC
或V
SS
中，f = 1.0MHz的
最大单位
12 pF的
14 pF的
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
DC特性
V
CC
= 5V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
输出低电压
输出高电压
符号条件
V
IN
= 0V至V
CC
I
LI
I
LO
V
I / O
= 0V至V
CC
， CS1 ＃ ≥ V
IH
和/或CS2 ＃ ≤ V
IL
WE＃ ， CS1 ＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，闵周期
(70-85ns)
I
CC1
CS2 ＃ = V
IH
(100ns)
I
CC2
CS1 ＃ = V
IH
和/或CS2 ＃ ≤ V
IL
, V
IN
≥ V
IH
或者V
IL
CS1 ＃ = V
CC
-0.2V和/或CS2 ＃ ≤ V
CC
+0.2V
C
I
CC3
V
IN
≥ V
CC
-0.2V或V
IN
≤ 0.2V
LP
V
OL
I
OL
= 2.1毫安
V
OH
I
OH
= -1.0mA
民
-5
-10
—
—
—
—
—
—
2.4
典型值
—
—
最大
+5
+10
120
110
10
5
1
0.4
—
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
1
—
—
—
注： DC测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
-0.3V
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交流特性 - 读周期
V
CC
= 5V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
EDI88128C
符号
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
SHQV
t
ELQX
t
SHQX
t
EHQZ
t
SLQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
ACS
t
CLZ
t
CLZ
t
CHZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
民
70
70ns
最大
70
70
70
3
3
30
30
3
25
0
0
30
0
0
3
3
3
民
85
85ns
最大
85
85
85
3
3
30
30
3
30
30
0
0
民
100
100ns
最大
100
100
100
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
30
50
30
AC测试条件
图1
图2
VCC
VCC
480
480
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图1
Q
255
30pF
Q
255
5pF
注：对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的图2
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交流特性 - 写周期
V
CC
= 5V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
片选写的结束
符号
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
SHWH
t
SHSL
t
AVWL
t
AVEL
t
AVSH
t
AVWH
t
WLWH
t
WLEH
t
WLSL
t
WHAX
t
EHAX
t
SLAX
t
WHDX
t
EHDX
t
SLDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
DVSL
t
WHQX
Alt键。
t
WC
t
CW
t
CW
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
DW
t
WLZ
民
70
60
60
60
60
0
0
0
60
35
35
35
5
5
5
0
0
0
0
35
35
35
5
30
70ns
最大
民
85
75
75
75
75
0
0
0
75
70
70
70
5
5
5
0
0
0
0
40
40
40
5
35
85ns
最大
民
100
85
85
85
85
0
0
0
85
80
80
80
5
5
5
0
0
0
0
40
40
40
5
EDI88128C
100ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
40
ns
ns
ns
ns
ns
输出写入结束活动（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
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图2 - 时序波形 - 读周期
t
AVAV
地址
EDI88128C
t
AVQV
CS1#
t
AVAV
地址
地址1
地址2
t
ELQV
t
ELQX
CS2
t
EHQZ
t
AVQV
数据I / O
t
AVQX
数据1
数据2
t
SHQV
t
SHQX
OE ＃
t
SLQZ
t
GLQV
t
GLQX
数据I / O
读周期2 （ WE＃高）
t
GHQZ
读周期1 （ WE＃高; OE ＃ ， CS ＃为低）
图3 - 写周期1
t
AVAV
地址
t
AVWL
WE＃
t
AVWH
t
WLWH
t
WHAX
CS1#
t
ELWH
CS
2
t
SHWH
DATA IN
t
DVWH
数据有效
t
WHQX
t
WHDX
t
WLQZ
数据输出
高Z
写周期1 - 后写入， WE＃控制
图4 - 写周期2
t
AVAV
地址
写周期3
t
AVAV
地址
t
AVEL
WE＃
t
WLEH
t
EHAX
WE＃
t
AVSH
t
WLSL
t
SLAX
t
ELEH
CS
1#
t
SHSL
CS1#
CS
2
CS2
t
DVEH
DATA IN
数据有效
t
EHDX
DATA IN
t
DVSL
数据有效
t
SLDX
写周期2 - 早期写入， CS
1#
控制
写周期3 - 早期写入， CS
2
控制
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