EDI88128CS
HI-可靠性产品
128Kx8单片SRAM ， SMD 5962-89598
特点
s
15 * ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns存取时间
s
CS和OE功能的总线控制
s
2V数据保留（ EDI88128LPS ）
s
TTL兼容的输入和输出
s
完全静态的，并没有时钟
s
组织为128Kx8
s
商用，工业和军用温度范围
s
通孔和表面贴装封装引脚JEDEC
32引脚陶瓷DIP ， 400密耳（ 102包）
32引脚陶瓷DIP ， 600密耳（包9 ）
32引线陶瓷ZIP （ 100包）
32引线陶瓷SOJ （ 140包）
32片陶瓷LCC （ 141包）
32铅陶瓷扁平封装（封装142 ）
s
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
该EDI88128CS是一个高速，高性能， 128Kx8
兆位密度的单片CMOS静态RAM 。
该设备具有8双向输入输出线，以提供
同时访问所有的位在一个字。自动功率
下特征允许芯片上的电路进入一个非常低的
待机模式，并进行速度等于带回到操作
到的地址存取时间。
低功率版本2V数据保留（ EDI88128LPS ）是
也可用于备用电池opperation 。军用产品
提供符合MIL-PRF- 38535 。
* 15ns的存取时间是先进的信息，请联系工厂。
图。 1
引脚配置
32
32
32
32
DIP
SOJ
LCC
扁平
引脚说明
I / O
0-7
A
0-16
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（ + 5V
±10%)
地
没有连接
32 ZIP
顶视图
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
I / O-
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32 V
CC
31 A15
30 NC
29我们
28 A13
27 A8
26 A9
25 A11
24 OE
23 A10
22 CS
21 I / O7
20 I / O6
19 I / O5
18 I / O4
17 I / O3
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
I / O-
I/O1
I/O2
V
SS
顶视图
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
2 V
CC
4
A15
6
NC
8
WE
10 A13
12 A8
14 A9
16 A11
18 OE
20 A10
22 CS
24 I / O7
26 I / O6
28 I / O5
30 I / O4
32个I / O3
A
-16
WE
CS
OE
V
CC
V
SS
NC
框图
存储阵列
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
-7
WE
CS
OE
2000年2月10牧师
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88128CS
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
工作温T
A
（环境）
广告
产业
军事
储存温度，塑料
功耗
输出电流
结温，T
J
0至+70
-40至+85
-55到+125
-65到+150
1.5
20
175
°C
°C
°C
°C
W
mA
°C
-0.5 7.0
单位
V
OE
X
H
L
X
CS
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
真值表
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
动力
ICC
2
， ICC3
ICC
1
ICC
1
ICC
1
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
VCC +0.5
+0.8
单位
V
V
V
V
注意：
压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于indi-的操作
符在本规范的业务部门是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
电容
(T
A
= +25°C)
最大
参数
符号
条件
CSOJ ，
单位
LCC
ZIP ， DIP ，
扁平
地址线
数据线
C
I
C
O
V
IN
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
V
OUT
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
6
8
12
14
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
DC特性
(V
CC
= 5V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
(15-17ns)
WE ， CS = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，闵周期
(20ns)
(25-55ns)
待机（ TTL ）电源电流
I
CC2
CS
≥
V
IH
, V
IN
≤
V
IL
, V
IN
≥
V
IH
CS
≥
V
CC
-0.2V
V
IN
≥
VCC -0.2V或V
IN
≤
0.2V
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0mA
(17-55ns)
(15ns)
CS （ 17-55ns ）
CS （ 15ns的）
LPS
输出低电压
输出高电压
V
OL
V
OH
全部备用电源电流
I
CC3
条件
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.4
3
—
—
—
—
典型值
—
—
最大
±5
±10
300
225
200
25
60
10
15
5
0.4
—
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
单位
注： DC测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= VCC -0.3V
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2
EDI88128CS
交流特性 - 读周期（ 15 20ns的）
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
芯片使能上电（ 1 ）
芯片使能掉电（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
ELICCH
t
EHICCL
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
0
15
0
6
0
17
0
6
0
6
0
20
3
8
0
6
0
8
15ns*
民
15
15
15
3
8
0
8
最大
民
17
17
17
3
10
17ns
最大
民
20
20
20
20ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
交流特性 - 读周期（ 25 55ns ）
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
芯片使能上电（ 1 ）
芯片使能掉电（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
ELICCH
t
EHICCL
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
0
25
0
10
0
35
0
10
0
15
0
45
3
12
0
15
0
20
0
55
25ns
民
25
25
25
3
20
0
20
0
20
最大
民
35
35
35
3
20
0
25
35ns
最大
民
45
45
45
3
20
45ns
最大
民
55
55
55
55ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC测试条件
图1
VCC
图2
VCC
480
480
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图1
注意：
对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的图2）
Q
255
30pF
Q
255
5pF
3
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EDI88128CS
交流特性 - 写周期（ 12 20ns的）
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
WLEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
15ns*
民
15
12
12
0
0
12
12
12
12
0
0
0
0
0
7
7
3
8
最大
民
17
13
13
0
0
13
13
13
13
0
0
0
0
0
7
7
3
8
17ns
最大
民
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
10
10
3
10
20ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
交流特性 - 写周期（ 25 55ns ）
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
WLEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
25ns
民
25
20
20
0
0
20
20
20
20
0
0
0
0
0
15
15
3
10
最大
民
35
25
25
0
0
25
25
30
30
0
0
0
0
0
20
20
3
13
35ns
最大
民
45
35
35
0
0
35
35
30
30
5
5
0
0
0
20
20
3
15
45ns
最大
民
55
45
45
0
0
45
45
35
35
5
5
0
0
0
25
25
3
20
55ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
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4
EDI88128CS
图。 2
时序波形 - 读周期
地址
t
AVAV
t
AVQV
CS
t
AVAV
地址
地址1
地址2
t
ELQV
t
ELQX
t
ELICCH
ICC
t
EHQZ
t
EHICCL
t
AVQV
数据I / O
t
AVQX
数据1
数据2
OE
t
GLQV
t
GLQX
数据I / O
t
GHQZ
读周期1 （WE高; OE ， CS为低电平）
读周期2 （WE高）
图。 3
写周期 - 我们控制
t
AVAV
地址
t
AVWH
t
ELWH
CS
t
WHAX
t
AVWL
WE
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
DATA IN
数据有效
t
WLQZ
数据输出
高Z
t
WHQX
写周期1 ，我们控制
图。 4
写周期 - CS控
地址
t
AVAV
WS32K32-XHX
t
AVEH
t
ELEH
t
EHAX
t
AVEL
t
WLEH
t
DVEH
t
EHDX
CS
WE
DATA IN
数据输出
高Z
数据有效
写周期2 ， CS控
5
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