怀特电子设计
256Kx16单片SRAM ， SMD 5962-96795
特点
256Kx16
位CMOS静态
随机访问
内存
17的访问时间， 20 ， 25 ，为35ns
数据保持功能（ LPA版）
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
44脚JEDEC批准的革命引脚
陶瓷SOJ （ 322包）
陶瓷扁平封装（封装323 ）
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
EDI816256CA
该EDI816256CA是4兆位单片CMOS静态
内存。
该EDI816256CA使用16种常见的输入和输出
线并具有输出使能引脚，工作速度更快
比读周期的地址存取时间。该装置允许
通过使用该数据字节的控制上，下字节访问
销（ LB ＃ ， UB ＃ ） 。
该器件可在一个完全密封的铅44
陶瓷SOJ和44引线陶瓷扁平。陶瓷
SOJ是引脚对引脚与商业兼容
可用塑料SOJ 。这使得用户的奢侈
设计一个电路板，可同时用于商业
和军用市场。
数据保留低功率版本（ EDI816256LPA ）
也可用于电池供电的应用。军事
产品可符合MIL- PRF-的附录A
38535.
引脚配置
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
CS ＃
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
V
SS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE＃
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE ＃
UB ＃
磅＃
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
V
SS
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A14
A13
A12
A11
A10
引脚说明
A0-17
LB ＃ （ I / O1-8 ）
瑞银（ I / O9-16 ）
I/O1-16
CS ＃
OE ＃
WE＃
V
CC
V
SS
NC
地址输入
低字节控制（ I / O1-8 ）
高字节控制（ I / O9-16 ）
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
地
无连接
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绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
（环境）
广告
产业
军事
储存温度，塑料
功耗
输出电流
结温，T
J
-0.5 7.0
0至+70
-40至+85
-55到+125
-65到+125
1.5
20
175
单位
V
°C
°C
°C
°C
W
mA
°C
CS ＃ WE＃ OE ＃ LB ＃ UB ＃
H
L
L
L
X
H
X
H
X
H
X
L
X
X
H
L
H
L
L
H
L
X
X
H
H
L
L
H
L
L
模式
不选择
产量
关闭
读
EDI816256CA
真值表
数据I / O
I / O
1-8
高Z
I / O
9-16
高Z
供应
当前
I
CC2
, I
CC3
L
L
X
写
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
数据输出
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
DATA IN
高Z
数据输出
数据输出
高Z
DATA IN
DATA IN
I
CC1
I
CC1
推荐工作条件
电容
T
A
= +25°C
参数
地址线
数据线
符号条件
CI
VIN = VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
CD / Q VIN = VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
最大
12
14
单位
pF
pF
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
—
—
最大
单位
5.5
V
0
V
VCC + 0.5V
0.8
V
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
DC特性
V
CC
= 5V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
输出低电压
输出高电压
注： DC测试条件：德维尔= 0.3V ， VIH = VCC -0.3V
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
WE＃ ， CS ＃ = V
IL
, I
I / O
= OMA ，闵周期
CS ＃ = V
IH
, V
IN
≤ V
IL
, V
IN
≥ V
IH
CS ＃ = V
CC
-0.2V
V
IN
≥ V
CC
-0.2V或V
IN
≤ 0.2V
I
OL
= 6.0毫安
I
OH
= -4.0mA
民
CA
LPA
—
—
2.4
最大
10
10
300
60
25
16
0.4
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
AC测试条件
图1
VCC
图2
VCC
输入脉冲电平
480
480
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
Q
255
30pF
Q
255
5pF
输出负载
图1
注：对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的（图2）
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交流特性 - 读周期
V
CC
= 5V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
LB ＃ ， UB ＃访问时间
LB ＃ ， UB ＃启用以低Z输出
LB ＃ ， UB ＃关闭到高Z输出
注意：
1.此参数由设计保证，但未经测试。
EDI816256CA
17ns
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
民
17
最大
17
17
2
0
0
0
0
7
10
7
10
0
7
0
0
0
5
0
0
民
20
20ns
最大
20
20
7
10
7
10
0
7
0
0
0
5
0
0
民
25
25ns
最大
25
25
8
12
8
12
0
8
0
0
0
5
0
0
民
35
35ns
最大
35
35
10
15
10
15
0
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
UBLQV
t
LBLQV
t
UBLQX
t
LBLQX
t
UBHQZ
t
LBHQZ
0
0
交流特性 - 写周期
V
CC
= 5V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
符号
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
JEDEC
tAVAV
TELWH
tELEH
tAVWL
塔维尔
tAVUBL
tAVWH
tAVEH
tAVUBH
tWLWH
TWLEH
tWHAX ALE低
tEHAX
tWHDX
tEHDX
TWLQZ
tDVWH
tDVEH
TWHQX
tLBLLBH
tUBLUBH
Alt键。
TWC
TCW
TCW
TAS
TAS
TAS
TAW
TAW
TAW
TWP
TWP
tWR的
tWR的
TDH
TDH
tWHZ
TDW
TDW
TWLZ
TBW
民
17
14
14
0
0
0
14
14
14
14
14
0
0
0
0
0
10
10
0
14
17ns
最大
民
20
15
15
0
0
0
15
15
15
14
14
0
0
0
0
0
10
10
0
16
20ns
最大
民
25
17
17
0
0
0
17
17
17
15
15
0
0
0
0
0
12
12
0
18
25ns
最大
民
35
20
20
0
0
0
20
20
20
17
17
0
0
0
0
0
15
15
0
20
35ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
LB ， UB有效到结束写入的
注意：
1.此参数由设计保证，但未经测试。
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时序波形？读周期
t
AVAV
地址
EDI816256CA
t
AVQV
CS ＃
t
AVAV
地址
OE ＃
地址1
地址2
t
ELQV
t
ELQX
t
GLQV
t
GLQX
数据I / O
t
EHQZ
t
GHQZ
t
LBHQZ
t
UBHQZ
t
AVQV
数据I / O
t
AVQX
数据1
数据2
LB ＃ ， UB ＃
t
LBLQX
t
UBLQX
t
LBLQV
t
UBLQV
读周期2 （ WE＃高）
读周期1 （ WE＃高; OE ＃ ， CS ＃为低）
写周期 - WE＃控制
t
AVAV
地址
t
AVWH
t
ELWH
CS ＃
t
WHAX
LB ＃ ， UB ＃
t
LBLLBH
t
UBLUBH
t
AVWL
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
WE＃
DATA IN
数据有效
t
WLQZ
数据输出
高
t
WHQX
写周期1 ， WE ＃控制
写周期 - CS ＃控制
t
AVAV
地址
写周期 - LB ＃ ， UB ＃控制
t
AVAV
地址
t
AVEH
t
ELEH
CS ＃
t
EHAX
CS ＃
t
AVEL
WE＃
t
AVUBL
t
WLEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVUBH
t
UBLUBH
t
AVWH
t
UBHAV
t
WHAV
LB ＃ ， UB ＃
WE＃
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
DATA IN
数据输出
LB ＃ ， UB ＃
高
数据有效
DATA IN
数据有效
t
LBLLBH
t
UBLUBH
写周期2 ， CS ＃控制
t
WLQX
数据输出
高Z
数据中，未定义
高Z
写周期3 ， LB ＃ ， UB ＃控制
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-55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
唯一特性的低功率版
数据保持电压
数据保持静态电流
芯片禁用到数据保留时间（ 1 ）
手术恢复时间（ 1 ）
注意：
1.此参数由设计保证，但未经测试。
*读周期时间
EDI816256CA
数据保持特性（ EDI816256LPA ONLY）
符号
V
CC
I
CCDR
T
CDR
T
R
条件
V
CC
= 2.0V
CS ＃ = V
CC
-0.2V
V
IN
≥ V
CC
-0.2V
或V
IN
≤ 0.2V
民
2
–
0
T
AVAV
典型值
–
–
–
–
最大
–
2.2
–
–
单位
V
mA
ns
ns
数据保留 - CS ＃控制
数据保持方式
V
CC
t
CDR
CS ＃
CS ＃ = V
CC
-0.2V
4.5V
V
CC
WS32K32-XHX
4.5V
t
R
数据保留， CS ＃控制
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