EDI816256CA-RP
HI-可靠性产品
256Kx16塑料单片SRAM
特点
s
256Kx16位CMOS静态
s
随机存取存储器
15访问时间， 17 ， 20 ，为25ns
数据保持功能（ LPA版）
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
s
中心电源/接地引脚（革命）
s
44脚JEDEC批准的革命引脚
塑料SOJ包装
s
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
该EDI816256CA是一个坚固的塑料256Kx16 SRAM的
允许用户利用使用的成本优势
而不是网络的牺牲CING所有的可靠性塑料部件
提供一个完整的军事设备。
该EDI816256CA使用16共同的输入和输出线，并具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该设备允许上部和下部字节访问
通过使用数据字节控制引脚（ LB ， UB ） 。
扩展温度测试与测试模式进行
关于WEDC的完全兼容256Kx16 SRAM的使用而开发的。
WEDC充分表征的设备，以确定合适的测试
模式进行测试，在极端温度。这是至关重要的
由于设备变更的操作特性时，它是
操作超出了商业保证能操作设备
茨可靠地在极端温度下的字段。用户
从WEDC的广泛expe- WEDC的耐用塑料的好处
磨练中在军事系统中使用的SRAM特性。
WEDC保证了低功耗设备将数据保留在数据Reten-
通过表征的设备，以决定适当化模式
priate测试条件。这是为在操作系统的关键 -
或低于40 ℃，并用密存储器，诸如256Kx16s.WEDC的
坚固耐用的塑料SOJ的足迹与WEDC的全兼容
军事陶瓷44引脚SOJ 。
引脚配置
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
V
SS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A5
A6
A7
A8
A9
引脚说明
A
0-17
LB
UB
I / O
1-16
CS
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
地址输入
低字节控制（I / O
1-8
)
高字节控制（I / O
9-16
)
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
地
无连接
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
V
SS
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A14
A13
A12
A11
A10
1999年5月第3版
1
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
EDI816256CA-RP
真值表
CS
H
L
L
L
WE
X
H
X
H
OE
X
H
X
L
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
模式
不选择
输出禁用
I / O
1-8
高Z
高Z
数据输出
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
DATA IN
数据I / O
I / O
9-16
高Z
高Z
高Z
数据输出
数据输出
高Z
DATA IN
DATA IN
动力
待机
活跃
读
活跃
L
L
X
写
活跃
绝对最大额定值
参数
工作温度（MIL ）。
工作温度（工业级）
储存温度
信号电压相对于V
SS
电源电压
符号
T
A
T
A
T
英镑
V
G
V
CC
民
-55
-40
-65
-0.5
-0.5
最大
+125
+85
+150
VCC + 0.5
7.0
单位
°C
°C
°C
V
V
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度（MIL ）。
工作温度（工业级）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
民
4.5
2.2
-0.3
-55
-40
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
单位
V
V
V
°C
°C
电容
(T
A
= +25°C)
参数
输入电容
输出capicitance
符号
C
IN
C
OUT
条件
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
OUT
= 0V ， F = 1.0MHz的
最大单位
6
8
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源
电源电流
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
WE ， CS = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，闵周期
CS
≥
V
IH
, V
IN
≤
V
IL
, V
IN
≥
V
IH
CS
≥
V
CC
-0.2V
V
IN
≥
V
CC
-0.2V或V
IN
≤
0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
I
OH
=-4mA
I
OL
= 8毫安
CA
LPA
民
—
—
—
—
-10
-10
2.4
—
最大
300
60
25
15
10
10
—
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
2
EDI816256CA-RP
AC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
LB ， UB访问时间
LB ， UB启用以低Z输出
LB ， UB禁止以高阻输出
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
t
BA
t
BLZ
1
1
符号
民
15
-15
最大
民
17
15
0
15
10
5
0
7
7
10
0
7
0
5
0
0
-17
最大
民
20
17
0
17
10
5
0
7
7
10
0
7
-20
最大
民
25
20
0
20
10
5
0
7
7
10
0
7
-25
最大
单位
ns
25
ns
ns
25
12
ns
ns
ns
ns
8
8
12
ns
ns
ns
ns
8
ns
t
BHZ
1
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
LB ， UB有效到结束写入的
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
t
BW
0
12
符号
民
15
12
12
10
12
0
0
0
8
0
15
-15
最大
民
17
15
15
10
15
0
0
0
8
0
16
-17
最大
民
20
15
15
10
15
0
0
0
8
0
18
-20
最大
民
25
17
17
12
17
0
0
0
8
-25
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
输出时序参考电平
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
3
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
EDI816256CA-RP
时序波形 - 读周期
地址
t
RC
t
AA
CS
t
ACS
t
CHZ
t
RC
地址
LB ， UB
t
AA
OE
t
BA
t
BLZ
t
CLZ
t
OE
t
OLZ
数据有效
t
BHZ
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
t
OHZ
数据有效
数据I / O
高阻抗
读周期1 （ CS = OE = V
IL
， UB或LB = V
IL
我们= V
IH
)
读周期2 （WE = V
IH
)
写周期 - 我们控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS
t
AH
t
BW
LB ， UB
t
AS
WE
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1 ，我们控制
写周期 - CS控
t
WC
地址
写周期 - LB ， UB控
t
WC
地址
t
AS
CS
t
AW
t
CW
t
BW
t
AH
WS32K32-XHX
t
t
AS
CS
LB ， UB
AW
t
CW
t
BW
t
AH
LB ， UB
t
WP
WE
WE
t
WP
t
DW
t
DH
数据I / O
t
DW
数据有效
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期2 ， CS控
写周期3 ， LB ， UB控
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
4
EDI816256CA-RP
44铅，塑料SOJ （ 400万）
#44
28.7 (1.130)
28.4 (1.120)
#23
11.05 (0.435)
10.16 （ 0.400 ） TYP
#1
#22
0.66 (0.026)
0.81 (0.032)
0.69 （ 0.027 ）， MIN
3.76 （ 0.148 ） MAX
0.004"最大
0.95 （ 0.0375 ） TYP
1.27
（ 0.05 ） TYP
0.38 (0.015)
0.53 (0.021)
尺寸以毫米（英寸）
订购信息
EDI 8月16日256 CA X X X
怀特电子设计
SRAM
组织， 256Kx16
技术：
CA = CMOS标准电源
LPA =低功率
访问时间（纳秒）
套餐类型：
M44 = 44引脚塑料SOJ
设备等级：
B = MIL - STD- 883标准
M =军事屏蔽
-55 ° C至+ 125°C
I =工业
-40 ° C至+ 85°C
C =商用
0 ° C至+ 70°C
5
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
11.30 (0.445)
9.14 (0.360)
9.65 (0.380)
QQ：2880707522 复制
