怀特电子设计
4x2Mx32闪存模块
特点
n
n
n
n
n
4x2Mx32
基于夏普LH28F016SU闪存设备
快速读取访问时间 - 80ns的
5V只有重新编程
低功耗
n
n
n
n
n
n
n
每个器件工作电流60毫安
每个器件CMOS待机电流10μA
EDI7F4342MC
描述
该EDI7F4342MC组织为四家银行2Mx32的。
该模块是基于夏普的LH28F016SU - 2Mx8
它们被安装在TSOP封装闪光装置
的FR4基板。
该模块提供80为150ns的访问时间
允许的高速微处理器的操作
无需等待。
典型的耐力>100,000周期
单5V ± 10 ％电源
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
包
n
80引脚SIMM （ JEDEC ）
*本产品如有变更，恕不另行通知。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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图。 1
框图
EDI7F4342MC
EDI7F4342MC - BNC ： 4x2Mx32 80引脚SIMM
½½½
½½½
½½½
½½½
½½½½½½
½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½½½½
½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½½½½½
½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½½½½½½
½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½½½½½½
½½½
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（ F = 1.0MHz的，V
IN
= V
CC
或V
SS
)
4x2Meg
参数
地址线
数据线
芯片&写
使能线
输出使能线
符号
CA
干熄焦
CC
CG
最大
140
60
60
140
单位
pF
pF
pF
pF
EDI7F4342MC
电容
销刀豆网络gurations
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
名字
V
SS
V
CC
NC
G#
W0#
W1#
NC
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
针
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
名字
E3#
E2#
E1#
E0#
V
SS
DQ29
DQ30
DQ31
W2#
NC
NC
NC
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
针
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
名字
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
AO
W3#
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
针
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
名字
DQ9
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
NC
V
CC
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
V
SS
A0-A19
E0#,E1#,E2#,E3#
W0#-W3#
G#
DQ0-DQ31
P
D
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
设备检测
电源5V ±10 ％
地
无连接
存在检测引脚输出
针
PD1
PD2
PD3
PD4
4X2Meg
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
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订购信息
产品型号
EDI7F4342MC80BNC
EDI7F4342MC90BNC
EDI7F4342MC100BNC
EDI7F4342MC120BNC
速度
（纳秒）
80
90
100
120
包
394
394
394
394
EDI7F4342MC
包号。 394 ： 80引脚SIMM （ JEDEC ）
½½½½½½½½½½
½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½
½½½½
½½½
½½½½½
½½
½½
½½½½½
½½½½
½½
½½
½½½½½
½½
½½½½½½½½½½
½½½½½
½½½½½
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½½½½½
½½½½½
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所有尺寸为英寸
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