EDI7F4342MC
4x2Mx32闪存模块
特点
n
4x2Mx32
n
基于夏普LH28F016SU闪存设备
n
快速读取访问时间 - 80ns的
n
5伏特，只有重新编程
n
低功耗
每个器件工作电流60毫安
每个器件CMOS待机电流10μA
n
典型的耐力>100,000周期
n
单5伏± 10 ％电源
n
CMOS和TTL兼容输入和输出
n
商用和工业温度范围
n
包
80引脚SIMM （ JEDEC ）
描述
该EDI7F4342MC组织为四家银行2Mx32的。该
模块是基于夏普的LH28F016SU - 2Mx8闪存设备
这是安装在FR4基板上TSOP封装。
该模块提供80和150ns的允许的访问时间
用于高速微处理器，而不等待状态的操作。
图。 1
框图
EDI7F4342MC - BNC ： 4x2Mx32 80引脚SIMM
E3\
E2\
E1\
E0\
A0-A19
G\
2Mx8
2Mx8
2Mx8
2Mx8
DQ0-DQ7
W0\
2Mx8
2Mx8
2Mx8
2Mx8
DQ8-DQ15
W1\
2Mx8
2Mx8
2Mx8
2Mx8
DQ16-DQ23
W2\
2Mx8
2Mx8
2Mx8
2Mx8
DQ24-DQ31
W3\
2002年7月修订版1A
ECO ＃ 15432
1
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EDI7F4342MC
电容
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
4x2Meg
最大
140
60
60
140
参数
地址线
数据线
芯片&写
使能线
输出使能线
符号
CA
干熄焦
CC
CG
单位
pF
pF
pF
pF
销刀豆网络gurations
针
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
针
名字
VSS
VCC
NC
G\
W0\
W1\
NC
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
针
#
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
针
名字
E3\
E2\
E1\
E0\
VSS
DQ29
DQ30
DQ31
W2\
NC
NC
NC
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
针
#
41
42
43
44
45
461
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
针
名字
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
AO
W3\
VSS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
针
#
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
针
名字
DQ9
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
NC
VCC
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
VSS
存在检测引脚输出
针
4x2Meg
PD1
VSS
PD2
VSS
PD3
VSS
PD4
VSS
A0-A19
E0\,E1\,E2\, E3\
W0\-W3\
G\
DQ0-DQ31
PD
VCC
VSS
NC
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
设备检测
电源5V ±10 ％
地
无连接
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2
2002年7月修订版1A
ECO ＃ 15432
EDI7F4342MC
订购信息
产品型号
EDI7F4342MC80BNC
EDI7F4342MC90BNC
EDI7F4342MC100BNC
EDI7F4342MC120BNC
速度
（纳秒）
80
90
100
120
包
394
394
394
394
包号。 394 ： 80引脚SIMM （ JEDEC ）
4.655 MAX 。
4.384
0.125 DIA （2个）
0.200
马克斯。
177
冯＃
R1
R3
1.300
马克斯。
J1
R2
0.400
P1
0.050 TYP 。
2.245
1
P
0.250
4.150
2.192
4J
6J
0.125 0.225
分钟。分钟。
5J
2002年7月修订版1A
ECO ＃ 15432
3
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