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怀特电子设计
4x1Mx32闪存模块
特点
n
n
n
n
n
4x1Mx32
基于AMD - AM29F080闪存设备
快速读取访问时间 - 80ns的
5V只有重新编程
扇区擦除架构
n
n
n
n
n
每64千字节扇区均匀
任何部门的结合可以被删除
还支持整片擦除
硬件方法禁用任何
自写或擦除结合行业
操作
自动预先计划和擦除
芯片或扇区的任意组合
自动计划和VERI音响ES的数据
指定的地址
EDI7F4331MC
描述
该EDI7F4331MC组织为四家银行1Mx32的。
该模块是基于AMD的AM29F080 - 1Mx8闪光
设备中TSOP封装被安装在FR4
基材。
该模块提供80为150ns的访问时间
允许的高速微处理器的操作
无需等待。
扇区保护
*本产品如有变更,恕不另行通知。
n
嵌入式擦除算法
n
n
嵌入式程序算法
n
n
n
数据轮询和切换位功能的检测
编程或擦除周期完成
低功耗
n
n
每个器件工作电流60毫安
每个器件CMOS待机电流10μA
n
n
n
n
n
典型的耐力>100,000周期
单5V ± 10 %电源
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
n
80引脚SIMM ( JEDEC )
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2002年9月修订版1A
1
怀特电子设计公司 ( 602 ) 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
图。 1
框图
EDI7F4331MC
EDI7F4331MC - BNC : 4x1Mx32 80引脚SIMM
½½½
½½½
½½½
½½½
½½½½½½
½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½½½½
½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½½½½½
½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½½½½½½
½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½½½½½½
½½½
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2002年9月修订版1A
2
怀特电子设计公司 ( 602 ) 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
( F = 1.0MHz的,V
IN
= V
CC
或V
SS
)
1Meg
参数
地址线
数据线
芯片&写
使能线
输出使能线
符号
CA
干熄焦
CC
CG
最大
140
60
60
140
单位
pF
pF
pF
pF
EDI7F4331MC
电容
销刀豆网络gurations
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
名字
V
SS
V
CC
NC
G#
W0#
W1#
NC
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
名字
E3#
E2#
E1#
E0#
V
SS
DQ29
DQ30
DQ31
W2#
NC
NC
NC
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
名字
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
AO
W3#
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
名字
DQ9
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
NC
V
CC
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
V
SS
A0-A19
E0#,E1#,
E2#, E3#
W0#-W3#
G#
DQ0-DQ31
P
D
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
设备检测
电源5V ±10 %
无连接
存在检测引脚输出
PD1
PD2
PD3
PD4
4X1Meg
NC
NC
V
SS
V
SS
21
22
23
24
SIMM密度
4x1Meg
E3#
E2#
E1#
E0#
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
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3
怀特电子设计公司 ( 602 ) 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
订购信息
产品型号
EDI7F4331MC80BNC
EDI7F4331MC90BNC
EDI7F4331MC100BNC
EDI7F4331MC120BNC
EDI7F4331MC150BNC
速度
(纳秒)
80
90
100
120
150
394
394
394
394
394
EDI7F4331MC
注意:要订购工业级产品代替字母C的后缀
以字母一
包号。 394 : 80引脚SIMM ( JEDEC )
½½½½½½½½½½
½½½½½
½½½½½
½½½½
½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½½½
½½
½½½½½
½½½½
½½
½½
½½
½½½½½
½½
½½½½½½½½½½
½½½½½
½
½
½½½½½
½½½½½
½½½½½
½
½
½½½½½
½½½½½
½½½½ ½½½½
½
所有尺寸为英寸
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2002年9月修订版1A
4
怀特电子设计公司 ( 602 ) 437-1520 www.wedc.com
EDI7F4331MC
4x1Mx32闪存模块
描述
该EDI7F4331MC组织为四家银行1Mx32的。该
模块基于AMD的AM29F080 - 1Mx8闪存器件中
这是安装在FR4基板上TSOP封装。
该模块提供了访问时间80之间为150ns允许
的高速微处理器操作,而不等待状态。
图。 1
框图
EDI7F4331MC - BNC : 4x1Mx32 80引脚SIMM
E3\
E2\
E1\
E0\
A0-A19
G\
特点
?? 4x1Mx32
基于AMD - AM29F080闪存设备
快速读取访问时间 - 80ns的
5伏,只重编程
扇区擦除架构
统一的每64千字节扇区
- 任何部门的结合可以被删除
同时支持整片擦除
扇区保护
??硬件方法禁用部门的任何组合
自写或擦除操作
嵌入式擦除算法
??自动preprograms和擦除芯片或任何
行业组合
嵌入式程序算法
??在指定的自动编程和校验数据
地址
??数据轮询和切换位功能的检测程序或
擦除周期结束
低功耗
每个器件工作电流60毫安
每个器件CMOS待机电流10μA
典型的耐力& GT ; 100,000次
??单5伏± 10 %电源
CMOS和TTL兼容输入和输出
商业和工业温度范围
80引脚SIMM ( JEDEC )
1Mx8
1Mx8
1Mx8
1Mx8
DQ0-DQ7
W0\
1Mx8
1Mx8
1Mx8
1Mx8
DQ8-DQ15
W1\
1Mx8
1Mx8
1Mx8
1Mx8
DQ16-DQ23
W2\
1Mx8
1Mx8
1Mx8
1Mx8
DQ24-DQ31
W3\
2002年9月修订版1A
ECO # 15632
1
怀特电子设计公司 ( 508 ) 366-5151 www.whiteedc.com
EDI7F4331MC
电容
( F = 1.0MHz的, VIN = VCC或VSS )
参数
地址线
数据线
芯片&写
使能线
输出使能线
符号
CA
干熄焦
CC
CG
1Meg
最大
140
60
60
140
单位
pF
pF
pF
pF
销刀豆网络gurations
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
名字
VSS
VCC
NC
G\
W0\
W1\
NC
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
#
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
名字
E3\
E2\
E1\
E0\
VSS
DQ29
DQ30
DQ31
W2\
NC
NC
NC
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
#
41
42
43
44
45
461
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
名字
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
AO
W3\
VSS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
#
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
名字
DQ9
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
NC
VCC
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
VSS
SIMM
21
22
23
24
密度
4x1Meg
E3\
E2\
E1\
E0\
存在检测引脚输出
4X1Meg
PD1
NC
PD2
NC
PD3
VSS
PD4
VSS
A0-A19
E0\,E1\,
E2\, E3\
W0\-W3\
G\
DQ0-DQ31
PD
VCC
VSS
NC
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
设备检测
电源5V ±10 %
无连接
怀特电子设计公司 ( 508 ) 366-5151 www.whiteedc.com
2
2002年9月修订版1A
ECO # 15632
EDI7F4331MC
订购信息
产品型号
EDI7F4331MC80BNC
EDI7F4331MC90BNC
EDI7F4331MC100BNC
EDI7F4331MC120BNC
EDI7F4331MC150BNC
速度
(纳秒)
80
90
100
120
150
394
394
394
394
394
注意:要订购工业级产品代替字母C的后缀
以字母一
包号。 394 : 80引脚SIMM ( JEDEC )
4.655 MAX 。
4.384
0.125 DIA (2个)
0.200
马克斯。
177
冯#
R1
R3
1.300
马克斯。
J1
R2
0.400
P1
0.050 TYP 。
2.245
1
P
0.250
4.150
2.192
4J
6J
0.125 0.225
分钟。分钟。
5J
所有尺寸为英寸
2002年9月修订版1A
ECO # 15632
3
怀特电子设计公司 ( 508 ) 366-5151 www.whiteedc.com
数据表APPROVALS
EDI PART NO 。
批准:
胡安·古斯曼
EDI7F4331MC
ECO #
15632
新REV
1A
日期
9/30/02
日期
9/30/02
初始
L.K.
校正在页面上
MUKESH特里维迪
M.A.
保罗·马里安
LARRY WINROTH
DAVE KELLY
马克·道尼
达沃·哈里森
TONY LEE
BOB KHEDERIAN
LUIS ESTELLA
10/2/02
10/2/02
是的
将在数据表走在WEB ?
NO
2这是个新的数据表?
将在数据表替换现有的
数据表THAT'S已经在WEB ?
如果是, IT更换DATASHEET什么?
哪个部门应该将该数据资料BE
放置在网页?
LINE : ________
家庭:
____________
PROD.TYPE :
________
ORG : ___________
密度: ________
SPEED : __________
PKG : ____________
电压: ________
审查或改正在数据表后( S)
请登录关在这张纸上
AND,让你改正-ON
正本( S) 。
查看数据表后,测试工程团队将完成下面的部分。
测试程序的变化所需要的:
YES : _________否____________日期: ___________
测试工程师SIGNATURE___________________
如果是,不释放数据表,直至TEST PROGRAM CHANGE完成。
TEST PROGRAM CHANGE竣工日期: __________
测试程序名称和REVISION_________________
测试工程师SIGNATURE__________________________
FO-00342R1.DOC
ECO # 14942
1表1
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EDI7F4331MC80BNC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
EDI7F4331MC80BNC
√ 欧美㊣品
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