怀特电子设计
2Mx32闪存模块
特点
2Mx32和2x2Mx32密度
基于AMD - AM29LV017B闪存设备
快速读取访问时间 - 为90ns
3.3V -仅重编程
扇区擦除架构
每64千字节扇区均匀
任何部门的结合可以被删除
支持整片擦除
扇区保护
硬件方法禁用任何
自写或擦除结合部门
操作
嵌入式擦除算法
自动preprograms和擦除芯片
或扇区的任意组合
嵌入式程序算法
自动计划和VERI音响ES的数据
特定网络版地址
EDI7F332MV
数据轮询和切换位功能的检测
编程或擦除周期完成
低功耗
每个设备的活动写电流30mA
5μA每个器件CMOS待机电流
典型的耐力>100,000周期
单3.0V ± 10 ％电源
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
包
80引脚SIMM （ JEDEC ）
描述
该EDI7F332MV和EDI7F2332MV组织为
2Mx32的分别之一，两家银行。该模块是
基于AMD的AM29LV017B- 2Mx8闪存设备上的TSOP
它们被安装的FR4基板上的包。
这两个模块提供90间120ns的访问时间
允许的高速微处理器的操作
无需等待。
图。 1框图
EDI7F332MV - BNC ： 2Mx32 ， 80引脚SIMM
E0#
A0-A20
G#
2M ×8
EDI7F2332MV - BNC ： 2x2Mx32 ， 80引脚SIMM
E1#
E0#
A0-A20
G#
2M ×8
2M ×8
DQ0-DQ7
W0#
2M ×8
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
W0#
2M ×8
2M ×8
W1#
2M ×8
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
W1#
2M ×8
2M ×8
W2#
2M ×8
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
W2#
2M ×8
2M ×8
W3#
DQ24-DQ31
W3#
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
九月， 2002年
第0版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
电容
(F=1.0MH
Z
, V
IN
= V
CC
或V
SS
)
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写使能线
输出使能线
符号
CA
干熄焦
CE
CW
CG
2Meg
最大
35
15
40
20
40
2x2Meg
最大
70
30
40
20
80
单位
pF
pF
pF
pF
pF
EDI7F332MV
销刀豆网络gurations
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
*待定
SIMM密度
针＃
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
引脚名称
DQ9
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
NC
V
CC
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
V
SS
针
21
22
23
24
2Meg
NC
NC
NC
E0#
2x2Meg
NC
NC
E1#
E0#
引脚名称
V
SS
V
CC
NC
G#
W0#
W1#
NC
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
针＃
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
引脚名称
*
*
*
*
V
SS
DQ29
DQ30
DQ31
W2#
NC
NC
A20
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
针＃
41
42
43
44
45
461
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
引脚名称
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
AO
W3#
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
存在检测引脚输出
针
PD1
PD2
PD3
PD4
2Meg
V
SS
NC
V
SS
V
SS
2x2Meg
NC
V
SS
V
SS
V
SS
A0-A20
E0#,E1#
W0#-W3#
G#
DQ0-DQ31
PD
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
设备检测
电源为3V ± 10％
地
无连接
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
九月， 2002年
第0版
2
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
订购信息
产品型号
EDI7F332MV90BNC
EDI7F332MV100BNC
EDI7F332MV120BNC
速度快（纳秒）
90
100
120
包
369
369
369
EDI7F332MV
注意：要订购工业级产品代替字母C
在SUF科幻X字母I.
包号。 369 ： 80引脚SIMM （ JEDEC ）
4.655 MAX 。
4.384
0.850
马克斯。
0.250
+
J2-1
J2-2
J2-3
J1
J3
R2
0.120
马克斯。
+
0.400
0.125
分钟。
P1
0.050 TYP 。
0.062 R
2.245
0.062 R
0.250
4.150
2.192
订购信息
产品型号
EDI7F2332MV90BNC
EDI7F2332MV100BNC
EDI7F2332MV120BNC
速度快（纳秒）
90
100
120
包
370
370
370
注意：要订购工业级产品代替字母C
在SUF科幻X字母I.
包号。 370 ： 80引脚SIMM （ JEDEC ）
4.655 MAX 。
4.384
R1
0.170
马克斯。
0.850
马克斯。
0.250
+
J1
J2-1
J2-2
J2-3
+
J3
153
0.400
P1
0.050 TYP 。
0.062 R
0.062 R
2.245
0.250
4.150
2.192
0.125
分钟。
0.225
分钟。
所有尺寸为英寸
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
九月， 2002年
第0版
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
EDI7F332MV
2Mx32闪存模块
描述
该EDI7F332MV和EDI7F2332MV被组织为一个和
2Mx32分别为两家银行。该模块基于
AMD的AM29LV017B- 2Mx8闪存设备TSOP封装哪
安装在FR4基板上。
这两个模块都提供了访问时间90和120ns的之间允许
用于高速微处理器，而不等待状态的操作。
图。 1
方框图
EDI7F332MV - BNC ： 2Mx32 80引脚SIMM
特点
?? 2Mx32和2x2Mx32密度
??基于AMD - AM29LV017B闪存设备
快速读取访问时间 - 为90ns
?? 3.3-伏仅重编程
扇区擦除架构
统一的每64千字节扇区
- 任何部门的结合可以被删除
同时支持整片擦除
扇区保护
??硬件方法禁用部门的任何组合
自写或擦除操作
嵌入式擦除算法
??自动preprograms和擦除芯片或任何
行业组合
嵌入式程序算法
??在指定的自动编程和校验数据
地址
??数据轮询和切换位功能的检测程序或
擦除周期结束
低功耗
??每个设备的活动写电流30mA
?? 5μA每个器件CMOS待机电流
典型的耐力＆ GT ; 100,000次
??单3.0伏± 10 ％电源
CMOS和TTL兼容输入和输出
商业和工业温度范围
包
80引脚SIMM （ JEDEC ）
W3\
W2\
W1\
E0\
A0-A20
G\
2Mx8
W0\
2Mx8
W1\
2Mx8
W2\
2Mx8
W3\
DQ24-DQ31
DQ16-DQ23
DQ8-DQ15
DQ0-DQ7
EDI7F2332MV - BNC ： 2x2Mx32 80引脚SIMM
E1\
E0\
A0-A20
G\
2Mx8
2Mx8
W0\
2Mx8
2Mx8
2Mx8
2Mx8
2Mx8
2Mx8
DQ24-DQ31
DQ16-DQ23
DQ8-DQ15
DQ0-DQ7
2002年9月修订版0A
ECO ＃ 15607
1
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
EDI7F332MV
电容
(f=1.0MHz,
VIN = VCC或VSS ）
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写使能线
输出使能线
符号
CA
干熄焦
CE
CW
CG
2Meg
最大
35
15
40
20
40
2x2Meg
最大
70
30
40
20
80
单位
pF
pF
pF
pF
pF
销刀豆网络gurations
针
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
*待定
针
名字
VSS
VCC
NC
G\
W0\
W1\
NC
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
针
#
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
针
名字
*
*
*
*
VSS
DQ29
DQ30
DQ31
W2\
NC
NC
A20
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
针
#
41
42
43
44
45
461
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
针
名字
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
AO
W3\
VSS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
针
#
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
针
名字
DQ9
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
NC
VCC
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
VSS
SIMM密度
针
2Meg 2x2Meg
21
NC
NC
22
NC
NC
23
NC
E1\
24
E0\
E0\
存在检测引脚输出
针
2Meg 2x2Meg
PD1 VSS
NC
PD2
NC
VSS
PD3 VSS
VSS
PD4 VSS
VSS
A0-A20
E0\,E1\
W0\-W3\
G\
DQ0-DQ31
PD
VCC
VSS
NC
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
设备检测
电源为3V ± 10％
地
无连接
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
2
2002年9月修订版0A
ECO ＃ 15607
EDI7F332MV
订购信息
产品型号
EDI7F332MV90BNC
EDI7F332MV100BNC
EDI7F332MV120BNC
速度
（纳秒）
90
100
120
包
369
369
369
注意：要订购工业级产品代替字母C的后缀
以字母一
包号。 369 ： 80引脚SIMM （ JEDEC ）
4.655 MAX 。
4.384
0.850
马克斯。
0.250
0.120
马克斯。
R2
J2-1
J2-2
J2-3
J1
J3
0.400
0.125
分钟。
P1
0.050 TYP 。
0.062 R
2.245
0.062 R
0.250
4.150
2.192
订购信息
产品型号
EDI7F2332MV90BNC
EDI7F2332MV100BNC
EDI7F2332MV120BNC
速度
（纳秒）
90
100
120
包
370
370
370
注意：要订购工业级产品代替字母C的后缀
以字母一
包号。 370 ： 80引脚SIMM （ JEDEC ）
4.655 MAX 。
4.384
R1
J1
J2-1
J2-2
J2-3
0.170
马克斯。
0.850
马克斯。
0.250
J3
153
0.400
P1
0.050 TYP 。
0.062 R
0.062 R
2.245
0.250
4.150
2.192
0.125
分钟。
0.225
分钟。
所有尺寸为英寸
2002年9月修订版0A
ECO ＃ 15607
3
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
数据表APPROVALS
EDI PART NO 。
批准：
胡安·古斯曼
EDI7F332MV
ECO ＃
15607
新REV
0A
日期
9/26/02
日期
9/26/02
校正在页面上
初始
L.K.
M.A.
MUKESH特里维迪
保罗·马里安
LARRY WINROTH
DAVE KELLY
马克·道尼
达沃·哈里森
TONY LEE
BOB KHEDERIAN
LUIS ESTELLA
10/2/02
10/2/02
是的
将在数据表走在WEB ？
NO
2这是个新的数据表？
将在数据表替换现有的
数据表THAT'S已经在WEB ？
如果是， IT更换DATASHEET什么？
哪个部门应该将该数据资料BE
放置在网页？
LINE ： ________
家庭：
____________
PROD.TYPE ：
________
ORG ： ___________
密度： ________
SPEED ： __________
PKG ： ____________
电压： ________
审查或改正在数据表后（ S）
请登录关在这张纸上
AND，让你改正-ON
正本（ S） 。
查看数据表后，测试工程团队将完成下面的部分。
测试程序的变化所需要的：
YES ： _________否____________日期： ___________
测试工程师SIGNATURE___________________
如果是，不释放数据表，直至TEST PROGRAM CHANGE完成。
TEST PROGRAM CHANGE竣工日期： __________
测试程序名称和REVISION_________________
测试工程师SIGNATURE__________________________
FO-00342R1.DOC
ECO ＃ 14942
1表1
QQ：2880707522 复制
