怀特电子设计
2Mx32闪存模块
描述
该EDI7F332MC和EDI7F2332MC被组织为一个
和2Mx32分别为两家银行。该模块基于
在AMD的AM29F016 - 2Mx8闪存设备TSOP封装
其上安装一个的FR4基板上。
这两个模块都提供了90和为150ns的访问时间
允许的高速微处理器操作而不
等待状态。
EDI7F332MC
图。 1
方框图
EDI7F322MC - BNC ： 2Mx32 80引脚SIMM
½½½
½½½½½½
½½
½½½½
½½½
½½½½
½½½
½½½½
½½½
½½½½
½½½
½½½½½½½½½
½½½½½½½½½
½½½½½½½½
½½½½½½½
特点
n
n
n
n
n
2Mx32和2x2Mx32密度
基于AMD - AM29F016闪存设备
快速读取访问时间 - 为90ns
5V -只有Reprogamming
扇区擦除架构
n
n
n
n
n
每64千字节扇区均匀
任何部门的结合可以被删除
还支持整片擦除
硬件方法禁用任何
自写或擦除结合行业
操作
自动preprograms和擦除芯片
或扇区的任意组合
自动计划和VERI音响ES的数据
指定的地址
扇区保护
n
嵌入式擦除算法
n
EDI7F2322MC - BNC ： 2x2Mx32 80引脚SIMM
½½½
½½½
½½½½½½
½½
½½½½
½½½½
½½½
½½½½
½½½½
½½½
½½½½
½½½½
½½½
½½½½
½½½½
½½½
½½½½½½½½½
½½½½½½½½½
½½½½½½½½
½½½½½½½
n
嵌入式程序算法
n
n
n
数据轮询和切换位功能的检测
编程或擦除周期完成
低功耗
n
n
每个器件工作电流60毫安
每个器件CMOS待机电流10μA
n
n
n
n
n
典型的耐力> 100,000次
单5V ± 10 ％电源
CMOS和T
TL
Compatable输入和输出
商用和工业温度范围
包
n
80引脚SIMM （ JEDEC ）
1
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2002年9月
牧师4A
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
（ F = 1.0MHz的，V
IN
= V
CC
或V
SS
)
2Meg
参数
地址线
数据线
芯片&写
使能线
输出使能线
符号
CA
干熄焦
CC
CG
最大
35
15
15
35
2x2Meg
最大
70
30
30
70
单位
pF
pF
pF
pF
EDI7F332MC
电容
销刀豆网络gurations
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
*待定
SIMM密度
针
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
符号
DQ9
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
NC
V
CC
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
V
SS
针
21
22
23
24
2Meg
NC
NC
NC
E0#
2x2Meg
NC
NC
E1#
E0#
符号
V
SS
V
CC
NC
G#
W0#
W1#
NC
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
针
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
符号
*
*
*
*
V
SS
DQ29
DQ30
DQ31
W2#
NC
NC
A20
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
针
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
符号
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
W3#
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
存在检测引脚输出
针
PD1
PD2
PD3
PD4
2Meg
V
SS
NC
V
SS
V
SS
2x2Meg
NC
V
SS
V
SS
V
SS
A0-A20
E0#, E1#
W0#-W3#
G#
DQ0-DQ31
P
D
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
设备检测
电源5V ±10 ％
地
无连接
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牧师4A
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怀特电子设计
订购信息
产品型号
EDI7F332MC90BNC
EDI7F332MC100BNC
EDI7F332MC120BNC
EDI7F332MC150BNC
速度
（纳秒）
90
100
120
150
包
369
369
369
369
EDI7F332MC
注意：要订购的工业级产品代替字母C的后缀与
字母I
包号。 369 ： 80引脚SIMM （ JEDEC ）
½½½½½½½½½½
½½½½½
½½½½½½
½½½½
½½½½½
½½½½½
½½½½
½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½
½½
½½½½½
½½½½½
½½½½
½½
½½½½½½½½½½
½½½½½½½
½½½½½
½½½½½
½½½½½½½
½½½½½
½½½½½
订购信息
产品型号
EDI7F2332MC90BNC
EDI7F2332MC100BNC
EDI7F2332MC120BNC
EDI7F2332MC150BNC
速度
（纳秒）
90
100
120
150
包
370
370
370
370
包号。 370 ： 80引脚SIMM （ JEDEC ）
½½½½½½½½½½
½½½½½
½½
½½½½½
½½½½
½½½½½½
½½½½
½½½½½
½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½
½½½
½½½½½
½½½½½
½½½½
½½½½½
½½½½
½½
½½½½½½½½½½
½½½½½½½
½½½½½
½½½½½
½½½½½½½
½½½½½
½½½½½
所有尺寸为英寸
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EDI7F332MC
2Mx32闪存模块
描述
该EDI7F332MC和EDI7F2332MC被组织为一个和
2Mx32分别为两家银行。该模块基于
AMD的AM29F016 - 2Mx8闪存设备TSOP封装哪
安装在FR4基板上。
这两个模块都提供了访问时间90为150ns之间允许
用于高速微处理器，而不等待状态的操作。
图。 1
方框图
EDI7F332MC - BNC ： 2Mx32 80引脚SIMM
特点
?? 2Mx32和2x2Mx32密度
??基于AMD - AM29F016闪存设备
快速读取访问时间 - 为90ns
5伏，只重编程
扇区擦除架构
统一的每64千字节扇区
- 任何部门的结合可以被删除
同时支持整片擦除
扇区保护
??硬件方法禁用部门的任何组合
自写或擦除操作
嵌入式擦除算法
??自动preprograms和擦除芯片或任何
行业组合
嵌入式程序算法
??在指定的自动编程和校验数据
地址
??数据轮询和切换位功能的检测程序或
擦除周期结束
低功耗
每个器件工作电流60毫安
每个器件CMOS待机电流10μA
典型的耐力＆ GT ; 100,000次
??单5伏± 10 ％电源
CMOS和TTL兼容输入和输出
商业和工业温度范围
包
80引脚SIMM （ JEDEC ）
E0\
A0-A20
G\
2Mx8
W0\
2Mx8
W1\
2Mx8
W2\
2Mx8
W3\
EDI7F2332MC - BNC ： 2x2Mx32 80引脚SIMM
E1\
E0\
A0-A20
G\
2Mx8
2Mx8
W0\
2Mx8
2Mx8
W1\
2Mx8
2Mx8
W2\
2Mx8
2Mx8
W3\
DQ24-DQ31
DQ16-DQ23
DQ8-DQ15
DQ0-DQ7
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
2002年9月修订版4A
ECO ＃ 15612
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怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
EDI7F332MC
电容
(f=1.0MHz,
VIN = VCC或VSS ）
参数
地址线
数据线
芯片&写
使能线
输出使能线
符号
CA
干熄焦
CC
CG
2Meg
最大
35
15
15
35
2x2Meg
最大
70
30
30
70
单位
pF
pF
pF
pF
销刀豆网络gurations
针
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
*待定
针
名字
VSS
VCC
NC
G\
W0\
W1\
NC
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
针
#
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
针
名字
*
*
*
*
VSS
DQ29
DQ30
DQ31
W2\
NC
NC
A20
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
针
#
41
42
43
44
45
461
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
针
名字
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
AO
W3\
VSS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
针
#
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
针
名字
DQ9
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
NC
VCC
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
VSS
SIMM密度
针
2Meg 2x2Meg
21
NC
NC
22
NC
NC
23
NC
E1\
24
E0\
E0\
存在检测引脚输出
针
2Meg 2x2Meg
PD1 VSS
NC
PD2
NC
VSS
PD3 VSS
VSS
PD4 VSS
VSS
A0-A20
E0\,E1\
W0\-W3\
G\
DQ0-DQ31
PD
VCC
VSS
NC
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
设备检测
电源5V ±10 ％
地
无连接
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EDI7F332MC
订购信息
产品型号
EDI7F332MC90BNC
EDI7F332MC100BNC
EDI7F332MC120BNC
EDI7F332MC150BNC
速度
（纳秒）
90
100
120
150
包
369
369
369
369
注意：要订购工业级产品代替字母C的后缀
以字母一
包号。 369 ： 80引脚SIMM （ JEDEC ）
4.655 MAX 。
4.384
0.850
马克斯。
0.250
0.120
马克斯。
R2
J2-1
J2-2
J2-3
J1
J3
0.400
0.125
分钟。
P1
0.050 TYP 。
0.062 R
2.245
0.062 R
0.250
4.150
2.192
订购信息
产品型号
EDI7F2332MC90BNC
EDI7F2332MC100BNC
EDI7F2332MC120BNC
EDI7F2332MC150BNC
速度
（纳秒）
90
100
120
150
包
370
370
370
370
注意：要订购工业级产品代替字母C的后缀
以字母一
包号。 370 ： 80引脚SIMM （ JEDEC ）
4.655 MAX 。
4.384
R1
J1
J2-1
J2-2
J2-3
0.170
马克斯。
0.850
马克斯。
0.250
J3
153
0.400
P1
0.050 TYP 。
0.062 R
0.062 R
2.245
0.250
4.150
2.192
0.125
分钟。
0.225
分钟。
所有尺寸为英寸
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数据表APPROVALS
EDI PART NO 。
批准：
胡安·古斯曼
MUKESH特里维迪
保罗·马里安
LARRY WINROTH
DAVE KELLY
马克·道尼
达沃·哈里森
TONY LEE
BOB KHEDERIAN
LUIS ESTELLA
是的
将在数据表走在WEB ？
NO
LINE ： ________
家庭：
____________
PROD.TYPE ：
________
ORG ： ___________
密度： ________
SPEED ： __________
PKG ： ____________
电压： ________
10/2/02
EDI7F332MC
ECO ＃
15612
新REV
4A
日期
9/26/02
日期
9/26/02
校正在页面上
初始
L.K.
M.A.
10/2/02
2这是个新的数据表？
将在数据表替换现有的
数据表THAT'S已经在WEB ？
如果是， IT更换DATASHEET什么？
哪个部门应该将该数据资料BE
放置在网页？
审查或改正在数据表后（ S）
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AND，让你改正-ON
正本（ S） 。
查看数据表后，测试工程团队将完成下面的部分。
测试程序的变化所需要的：
YES ： _________否____________日期： ___________
测试工程师SIGNATURE___________________
如果是，不释放数据表，直至TEST PROGRAM CHANGE完成。
TEST PROGRAM CHANGE竣工日期： __________
测试程序名称和REVISION_________________
测试工程师SIGNATURE__________________________
FO-00342R1.DOC
ECO ＃ 14942
1表1
QQ：2880707522 复制
