EDI4164MEV-RP
HI-可靠性产品
4Mx16 EDO （扩展数据输出）动态RAM 3.3V
特点
s
访问时间： 50 ， 60和70ns的
s
4梅格x 16位CMOS动态RAM
s
包装：
50引脚塑料TSOP
s
扩展数据输出模式操作
s
单+ 3.3V （ ± 0.3V ）电源供电
s
4096环刷新
s
RAS - 只是， CAS先于RAS ，和隐藏刷新
能力
s
低工作功耗
s
低待机功耗
s
通用I / O
s
所有输入/输出TTL兼容
s
工业级（-40° C至+ 85° C）和军用（ -55 ° C至+ 125°C ）
温度范围
引脚配置
顶视图
V
CC
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
VCC
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
NC
V
CC
WE
RAS
NC
NC
NC
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
V
CC
1
50
引脚说明
V
SS
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
V
SS
LCAS
UCAS
OE
NC
NC
NC
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
V
SS
A
0-11
LCAS /
UCAS
RAS
WE
OE
DQ
1-16
V
CC
V
SS
NC
地址输入
列地址
频闪灯
行地址选通
写使能输入
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
电源（ + 3.3V ± 0.3V ）
地
无连接
25
26
1999年9月第2版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
EDI4164MEV-RP
框图
RAS
LCAS
UCAS
CAS
WE
DATA IN
卜FF器
行解码器
控制
钟
刷新计时器
刷新控制
刷新计数器
行地址缓冲器
A0-A11
上校地址缓冲器
检测放大器& IO
存储阵列
4096 x 1024 x 16
细胞
DQ1
to
DQ16
列解码器
数据输出
卜FF器
OE
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度（工业级）
工作温度（军事）
储存温度
功耗
输出电流
-0.5V至4.6V
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 150°C
1瓦
50毫安
建议的直流工作条件
(1)
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0
0
2
-0.3
典型值
3.3
0
--
--
最大单位
3.6
V
0
V
VCC +0.3 V
0.8
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
注意事项：
1.所有电压值都是相对于V
SS
.
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2
EDI4164MEV-RP
电气特性
参数
工作电流
待机电流
RAS -只刷新当前
EDO模式电流
待机电流
CAS先于RAS的刷新电流
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
IL
I
OL
V
OH
V
OL
条件
RAS和UCAS ， LCAS ，
地址单车@T
RC
=最小值。
RAS = = UCAS LCAS = WE = V
IH
UCAS LCAS = = V
IH
， RAS ，寻址
骑自行车@ T
RC
=分钟
RAS = V
IL
， UCAS或LCAS
解决自行车@ T
RC
=最小值。
RAS = = UCAS LCAS = WE = V
CC
-0.2V
RAS UCAS和LCAS或骑自行车@ T
RC
=最小值。
0V
≤
V
IN
≤
VCC + 0.3V
所有其它输入引脚= 0V
0V
≤
V
OUT
≤
VCC
I
OH
= -2.0mA
I
OL
= 2.0毫安
-5
-5
2.4
—
—
—
民
典型值
最大
180
4
180
165
2
180
5
5
—
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
注意事项：
3. I
CC1
（ AV ） ，我
CC3
（ AV ） ，我
CC4
（ AV ） ，我
CC6
依赖于周期率。最大电流的测量，以最快的循环速率。
4. I
CC1
（ AV）和I
CC4
（影音）是依赖于输出负载。指定的值与输出开路获得。
电容
（ F = 1.0MHz的，T
A
= 25 ° C，V
CC
= 3.3V)
参数
地址输入电容
输入电容（CAS ， WE ， RAS ）
输出电容（ Q）
符号
C
IN1
C
IN2
C
DQ
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
LCAS
X
H
L
H
L
L
H
L
L
UCAS
X
H
H
L
L
H
L
L
L
真值表
WE
X
X
H
H
H
L
L
L
H
OE
X
X
L
L
L
H
H
H
H
DQ1-8
高Z
高Z
DQ出
高Z
DQ出
DQ在
—
DQ在
高Z
DQ9-16
高Z
高Z
高Z
DQ出
DQ出
—
DQ在
DQ在
高Z
状态
待机
刷新
字节读
字节读
字读
字节写
字节写
字写
—
3
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EDI4164MEV-RP
时序要求 - 读，写，读 - 修改 - 写，刷新和页面模式旋回
(V
CC
=3.3V±0.3V)Notes1,2,5
50ns
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写的CycleTime
从CAS访问时间
从RAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
输出缓冲关断延迟
转换时间
RAS预充电时间
RAS的低脉冲宽度
RAS CAS低后保持时间
CAS RAS低后保持时间
CAS低脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
从RAS低列地址的延迟
CAS延迟高到RAS低
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址保持时间参考的RAS
列地址到RAS设置
阅读设置时间CAS前低
阅读CAS高后保持时间
阅读RAS高后保持时间
写CAS低后保持时间
写参考RAS命令保持时间
把脉冲宽度
RAS后写低保持时间
CAS保持时间后写低
数据建立时间
数据保持时间CAS低后
数据保持时间参考RAS
更新周期（工业）
更新周期（军事）
写CAS低之前建立时间
CAS低到WE低延时
RAS低到WE低延时
列地址设置到CAS高
OE低到输出有效
CAS低到DOUT
RAS低到WE低
写高位到RAS低
地址WE低延迟
符号
t
RC
t
RWC
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
CLZ
t
关闭
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
t
REF
t
REF
t
WCS
t
CWD
t
RWD
t
ACH
t
OE
t
COH
t
WRH
t
WRP
t
AWD
民
90
126
最大
民
110
150
60ns
最大
民
130
180
70ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
13
50
25
0
0
2
30
50
13
38
8
11
9
5
0
9
0
8
40
25
0
0
0
8
40
7
13
8
0
8
40
13
50
10,000
0
0
2
40
60
15
45
10
14
12
5
0
10
0
10
45
30
0
0
0
10
45
10
15
10
0
10
45
15
60
30
15
50
10,000
0
0
2
50
70
20
50
15
20
15
5
0
10
0
15
55
35
0
0
0
15
55
15
20
15
0
15
55
20
70
35
20
50
10,000
3,4,5
3,4,10
3,10
6
6,14
2
10,000
37
25
10,000
45
30
10,000
50
35
4
10
8
8
9
9
32
16
0
30
67
15
13
3
10
10
48
3
10
10
55
0
35
79
15
32
16
0
45
94
15
15
3
10
10
65
32
16
7
7
7
13
20
7
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4
EDI4164MEV-RP
写周期，早，延迟写入
(VCC=3.3V±0.3V)Notes1,2,5
50ns
参数
RAS刷新前的CAS设置为CAS
RAS刷新之前CAS按住CAS
预充电到CAS活跃
从CAS预充电时间访问
EDO页面周期时间
EDO页读 - 修改 - 写周期时间
CAS预充电时间（ EDO周期）
RAS脉冲宽度（ EDO循环）
OE高后输出禁止时间
写低到下一页OE低
OE低到高CAS建立时间
OE高持有CAS高
OE高脉冲宽度
OE设置之前， RAS中
HIDDEN刷新周期
我们从OE延迟
WE脉冲禁用中科院高
符号
t
企业社会责任
t
CHR
t
RPC
t
注册会计师
t
PC
t
PRWC
t
CP
t
RASP
t
OD
t
OEH
t
OES
t
OEHC
t
OEP
t
ORD
t
WHZ
t
WPZ
民
5
10
5
20
47
8
50
0
8
4
5
7
0
0
10
最大
民
5
10
5
25
56
10
60
0
10
5
10
10
0
0
10
60ns
最大
民
5
15
5
30
71
10
70
0
12
5
10
10
0
0
10
70ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
28
35
40
3
125K
13
125K
15
125K
20
6
10
13
15
注意事项：
1.为200ps的初始暂停后开机后跟任意8 ROR或CBR循环器件正常工作时实现之前是必需的，并且必须重复
每当吨
REF
被超过。
2. V
IH
（MIN）和V
IL
（最大值）是参考电平，用于测量输入信号的定时。过渡时间V之间测量
IH
（MIN）和V
IL
（ max）和被
假设为3ns的所有输入。
3.测量用相当于1个TTL负载和100pF的负载。
内的T 4.操作
RCD
（最大值）限制确保了吨
RAC
（MAX），可以得到满足。吨
RCD
（最大）被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
大于指定的
t
RCD
（最大值）限值，则访问时间专门用t控制
CAC
.
5.假设那件T
RCD
≥
t
RCD
（最大）
6.该参数定义在该输出达到开路状态，不参考V的时间
OH
或V
OL
.
7. t
WCS
, t
RWD
, t
CWD
和T
AWD
都是非限制性的操作参数。它们被包括在数据表中作为唯一的电特性。如果T
WCS
≥
t
WCS
（分钟），则
周期是一个早期写入和数据输出将保持高阻抗的周期的持续时间。如果T
CWD
≥
t
CWD
（分钟） ，T
RWD
＆ GT ;吨
RWD
（MIN）和叔
AWD
＆ GT ;吨
AWD
（分钟），则周期是一个读 - 修改 - 写周期和输出的数据将包含从所选择的地址读取数据。如果上述两个条件是
满意，对数据进行的条件是不确定的。
8.无论吨
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
9.这些参数被引用到CAS的前缘在早期的写周期，并在OE控制的写入周期对WE的下降沿和读 - 修改 - 写
周期。
内的T 10.Operation
拉德
（最大值）限制确保了吨
RAC
（MAX），可以得到满足。吨
拉德
（最大）被指定为唯一的一个参考点。如果T
拉德
大于指定的
t
拉德
（最大值）限值，则访问时间为t控制
AA
.
5
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