EDI4161MEV-RP
1MEG X16 EDO DRAM
写周期，早，延迟写入
（ VCC = 5.0V ±10 ％ ）注1,2,5,11,12
参数
RAS \\刷新之前CAS \\设置为CAS \\
RAS \\刷新之前CAS \\按住CAS \\
预充电到CAS \\活动
中国科学院\\预充电时间访问
EDO页面周期时间
EDO页读 - 修改 - 写周期时间
CAS预充电时间（ EDO周期）
RAS脉冲宽度（ EDO循环）
RAS保持时间从CAS预充电
摹后输出禁止时间\\高
写低的Next G \\低
G低到高CAS建立时间
摹高持有CAS高
OE高脉冲宽度
摹安装之前， RAS中
HIDDEN刷新周期
与W摹延迟
W脉冲禁用中科院高
符号
TCSR
tCHR
TRPC
TCPA
TPC
TPRWC75
TCP
tRASP
tRHCP
TOD
TOEH
脚趾
tOEHC
tOEP
托德
tWHZ
tWPZ
60ns
最小最大
5
10
5
35
25
85
10
60 125K
35
0
15
12
5
10
10
0
0
10
13
70ns
最小最大
5
12
5
40
30
10
70
40
0
12
5
10
10
0
0
12
125K
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
3
6
15
注意事项：
1.为100μs的初始暂停后开机后跟任意8 ROR或CBR循环器件正常工作时实现之前是必需的，而且必须每次重复
TREF超出。
2. VIH（分钟）和VIL （最大值）是参考电平，用于测量输入信号的定时。过渡时间的VIH （分钟）和VIL （最大值）之间测得的，并假定是
3纳秒所有输入。
3.测得相当于2 TTL负载和100pF电容负载。
在TRCD （最大）范围内4.操作确保了TRAC （最大）可以得到满足。 TRCD （最大）被指定为唯一的一个参考点。如果TRCD大于指定的
TRCD （最大值）限值，则访问时间完全由TCAC控制。
5.假设这TRCD>TRCD （最大值）
6.该参数定义在该输出达到开路状态而没有被引用到VOH或VOL的时间。
7. TWCS ， TRWD ， TCWD和TAWD非限制性操作参数。它们被包括在数据表中作为唯一的电特性。如果TWCS TWCS （分钟） ，在
周期是一个早期写入和数据输出将保持高阻抗的周期的持续时间。如果TCWD TCWD （分钟） ， TRWD>TRWD （分钟）和TAWD>TAWD （分钟），然后
该循环是一个读 - 修改 - 写周期和输出的数据将包含从所选择的地址读取数据。如果上述两个条件被满足时，的条件
数据输出是不确定的。
8.任TRCH或TRRH必须满足一个读周期。
9.这些参数被引用到CAS前缘在早期的写周期，并在读 - 修改 - 写周期将W前缘。
的TRAD （最大）范围内10.操作确保了TRAC （最大值）可以得到满足。 TRAD （最大）被指定为唯一的一个参考点。如果TRAD大于指定的
TRAD （最大值）的限度，则存取时间由TAA控制。
11. 1024 （1K参考）爆裂刷新的周期必须在16毫秒之前和自刷新之后被执行，以满足刷新规范。
12. TAR， TWCR和TDHR参照的TRAD （最大值）。
13.如果OE是永久接为低电平，晚写或读 - 修改 - 写操作是不允许的，不应尝试。此外，我们必须脉动
在CAS高电平时间，以便将I / O缓冲器高Z.
14. TOFF （MAX ）定义为在所述输出达到开路条件下的时间，以及不参照VOH或VOL 。它是从RAS的上升沿引用或
CAS ，以先到为准过去。
5
EDI4161MEV - RP版1 4/98 ECO ＃ 10179
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