怀特电子设计
4MB同步卡EDGE DIMM
特点
4x128Kx64同步
访问速度（ S） ：吨
KHQV
= 9.5 ， 10 ， 11 ， 12 ，为15ns
流通结构
时钟控制注册的银行启用（ E1 ＃ ，
E2#, E3#, E4#)
时钟控制注册地址
时钟控制的注册全局写（ GW ＃ ）
Aysnchronous输出使能（G ＃ ）
内部自定时写
黄金无铅封装
3.3V + 10 ％， - 5 ％工作
访问速度（ S） ：吨
KHQV
= 9.5 ， 10 ， 11 ， 12 ，为15ns
通用数据的I / O
高电容（ 30pF的）驱动器，在额定访问
速度
单总阵列时钟
多Vcc和GND
EDI2GG464128V
描述
该EDI2KG64128VxxD是一个同步的SRAM ，
60位卡边DIMM （ 120触点）模块，
组织为4x128Kx64 。该模块包含八个
（ 8 ）同步突发RAM器件，封装在
行业标准的JEDEC 14mmx20mm TQFP放在
一个多层FR4基板。该模块架构
德网络定义为一个同步只，流通型，早期写
装置。该模块提供了高性能，超
在每比特好处科幻吨成本比的BiCMOS快速存取时间
异步SRAM的器件。以及改进的
每比特成本，采用同步或同步脉冲串
设备或模块可以缓解内存子系统
设计通过减少或缓解了内存控制器
要求。
同步操作是相对于外部
提供的时钟，注册地址，注册全球
写，注册启用以及异步
输出使能。所有的读写操作，该模块
对四字（ 64位运算）执行。
写周期是内部自定时的，由发起
一个时钟上升沿。此功能减轻了设计者的
发展外部写脉冲宽度电路的任务。
引脚名称
DQ0-DQ63
A015
E1#, E2#,
E3#, E4#
CK
GW ＃
G#
VCC
VSS
NC
输入/输出总线
地址总线
银行同步启用
阵列时钟
全球同步的写使能
异步输出使能
3.3V电源
地
无连接
*本产品如有变更，恕不另行通知。
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1
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引脚配置
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
EDI2GG464128V
V
SS
A
0
A
1
A
2
A
3
V
CC
A
4
A
5
A
6
A
7
V
SS
A
8
V
SS
CK
V
SS
E
4
#
V
CC
E
3
#
G#
V
SS
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
V
SS
DQ
16
DQ
17
DQ
18
DQ
19
V
CC
DQ
24
DQ
25
DQ
26
DQ
27
V
SS
DQ
32
DQ
33
DQ
34
DQ
35
V
CC
DQ
40
DQ
41
DQ
42
DQ
43
V
SS
DQ
48
DQ
49
DQ
50
DQ
51
V
CC
DQ
56
DQ
57
DQ
58
DQ
59
V
SS
V
SS
A
16
A
15
A
14
A
13
V
CC
A
12
A
11
A
10
A
9
V
SS
俄罗斯足协
V
SS
NC
V
SS
E
2
#
V
CC
E
1
#
GW ＃
V
SS
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
V
CC
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
DQ
23
DQ
22
DQ
21
DQ
20
V
CC
DQ
31
DQ
30
DQ
29
DQ
28
V
SS
DQ
39
DQ
38
DQ
34
DQ
37
V
CC
DQ
47
DQ
46
DQ
45
DQ
44
V
SS
DQ
55
DQ
54
DQ
53
DQ
52
V
CC
DQ
63
DQ
62
DQ
61
DQ
60
V
SS
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功能框图
EDI2GG464128V
A
0-16
GW ＃
G#
128Kx32
GW ＃
G#
＃ CLK
DQ
128Kx32
GW ＃
G#
＃ CLK
DQ
E
1
#
128Kx32
GW ＃
G#
＃ CLK
DQ
128Kx32
GW ＃
G#
＃ CLK
DQ
E
2
#
128Kx32
GW ＃
G#
＃ CLK
DQ
128Kx32
GW ＃
G#
＃ CLK
DQ
E
3#
128Kx32
GW
G#
＃ CLK
DQ
128Kx32
GW
G#
＃ CLK
DQ
E
4#
DQ
0-63
CLK
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引脚说明
DIMM的引脚
3, 5, 7, 9, 13,
15, 17, 19, 20,
23, 18, 16, 14,
10, 8, 6
38
27
36, 32,
35, 31
37
各个
各个
各个
符号
TYPE
输入
同步
输入
同步
输入
同步
输入
同步
输入
输入/输出
供应
地
描述
EDI2GG464128V
A0-A15
地址：这些输入注册和必须满足建立和保持时间周围的上升沿
CK 。突发计数器产生与A相关内部地址
0
AND A
1
，爆发和等待周期。
全局写：此低电平输入允许一个完整的72位写发生独立的BWE ＃和BWX ＃
行，并且必须满足建立和保持周围CK的上升沿时间。
时钟：这个信号寄存器的地址，数据，芯片启用，在写控制和突发控制输入其
上升沿。所有同步输入必须满足建立和保持全天候的上升沿时间。
银行启用：这些低电平输入用来使每个同步的银行和门
ADSP ＃ 。
输出使能：此低电平有效的异步输入使能数据输出驱动器。
数据输入/输出：第一个字节被DQ
0-7
，第二个字节是DQ
8-15
，第三个字节是DQ
16-23
，第四个字节为DQ
24-31
,
网络FTH字节是DQ
32-39
，第六个字节是DQ
40-47
，第七个字节是DQ
48-55
和八个字节是DQ
56-64
.
核心供电： + 3.3V -5 ％ / + 10 ％
地
GW ＃
CK
E1#, E2#
E3#, E4#
G#
DQ0-63
VCC
VSS
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同步ONLY - 真值表
手术
同步写银行1
同步读银行1
同步写银行2
同步读银行2
同步写银行3
同步读银行3
同步写银行4
同步读银行4
贪睡模式
E1#
L
L
H
H
H
H
H
H
X
E2#
H
H
L
L
H
H
H
H
X
E3#
H
H
H
H
L
L
H
H
X
E4#
H
H
H
H
H
H
L
L
X
GW ＃
L
H
L
H
L
H
L
H
X
EDI2GG464128V
G#
H
L
H
L
H
L
H
L
X
CK
DQ
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
X
高-Z
绝对最大额定值*
在相对于VSS VCC电压
V
IN
储存温度
工作温度（商业）
工作温度（工业级）
短路输出电流
-0.5V至+ 4.6V
-0.5V到VCC + 0.5V
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
20毫安
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高
输入低
输入漏
输出漏
输出高我
OH
= -4mA
输出低电平我
OL
= 8毫安
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
民
3.14
0.0
2.2
-0.3
-2
-2
2.4
-
典型值
3.3
0.0
3.0
0.0
1
1
-
-
最大
3.6
0.0
V
CC
+ 0.3
0.8
2
2
-
0.4
单位
V
V
V
V
A
A
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于操作指示
在本规范阳离子业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
DC电气特性 - 读周期
描述
电源电流
电源电流
设备选择，无操作
贪睡模式
CMOS待机
时钟运行，取消
*待定
符号
Icc1
ICC
IccZZ
Icc3
ICCK
典型值
1.55
.75
200
400
600
9.5
2.8
1.8
300
500
900
10
2.2
1.5
300
500
900
最大
11
2.2
1.3
300
500
900
12
2.7
1.3
300
500
900
15
2.0
1.0
300
500
900
单位
A
A
mA
mA
mA
AC测试负载
DQ
Z0 == 50
Z0 50W
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入和输出时序参考。
输出测试等效项
I / O
VSS至3.0V
1.25
看到网络连接gure左
单位
V
V
V
50
VT = 1.25V
图1 - 输出负载等效
2004年10月
第1版
5
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