EDI2GG464128V
4x128Kx64同步SRAM卡边缘DIMM ， 3.3V
特点
s
4x128Kx64同步
s
访问速度（ S） ：吨
KHQV
= 9.5 ， 10 ， 11 ， 12 ，为15ns
s
流通结构
s
时钟控制注册的银行启用（ E1 \\ E2 \\ ， E3 ， E4 \\ ）
s
时钟控制注册地址
s
时钟控制的注册全局写（ GW \\ ）
s
Aysnchronous输出使能（G \\ ）
s
内部自定时写
s
黄金无铅封装
s
3.3V
±10%,
-5 ％操作
s
通用数据的I / O
s
高电容（ 30pF的）驱动器，额定访问速度
s
单总阵列时钟
s
多的Vcc和Vss
该EDI2GG464128VxxD是同步SRAM ， 60位
卡边DIMM （ 120触点）模块，组织成4x128Kx64 。
该模块包含八（8 ）同步突发RAM器件，
包装行业标准的JEDEC 14mmx20mm TQFP
放置在一个多层的FR4基板。该模块架构
定义为仅同步的流通，早DE-写
副。该模块提供了高性能，超快速的访问
在每比特效益成本比的BiCMOS异步SRAM次
基于设备。以及每比特成本提高，使用
同步或同步突发设备或模块可以缓解
内存子系统的设计通过减少或减轻记忆
控制器的要求。
同步操作是相对于外部提供的
时钟，注册地址，注册全局写，注册
启用以及异步输出使能。所有的阅读和
写操作，该模块上的四字执行（ 64
位操作） 。
写周期是内部自定时的，由上升发起
时钟边沿。此功能减轻了设计者的人员开发的任务
展中外部写脉冲宽度电路。
1998年11月修订版0
ECO ＃ 10855
1
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
EDI2GG464128V
引脚配置
V
SS
A
0
A
1
A
2
A
3
V
CC
A
4
A
5
A
6
A
7
V
SS
A
8
V
SS
CLK
V
SS
E
4
\
V
CC
E
3
\
G\
V
SS
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
V
SS
DQ
16
DQ
17
DQ
18
DQ
19
V
CC
DQ
24
DQ
25
DQ
26
DQ
27
V
SS
DQ
32
DQ
33
DQ
34
DQ
35
V
CC
DQ
40
DQ
41
DQ
42
DQ
43
V
SS
DQ
48
DQ
49
DQ
50
DQ
51
V
CC
DQ
56
DQ
57
DQ
58
DQ
59
V
SS
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
V
SS
A
16
A
15
A
14
A
13
V
CC
A
12
A
11
A
10
A
9
V
SS
俄罗斯足协
V
SS
NC
V
SS
E
2
\
V
CC
E
1
\
GW \\
V
SS
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
V
CC
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
DQ
23
DQ
22
DQ
21
DQ
20
V
CC
DQ
31
DQ
30
DQ
29
DQ
28
V
SS
DQ
39
DQ
38
DQ
34
DQ
37
V
CC
DQ
47
DQ
46
DQ
45
DQ
44
V
SS
DQ
55
DQ
54
DQ
53
DQ
52
V
CC
DQ
63
DQ
62
DQ
61
DQ
60
V
SS
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2
EDI2GG464128V
功能框图
A
0-16
GW \\
G\
引脚名称
128Kx64
GW \\
G\
ê \\ CLK
DQ
128Kx64
GW \\
G\
ê \\ CLK
DQ
DQ
0-63
A
0-15
E
1
-
4
\
CLK
输入/输出总线
地址总线
银行同步启用
阵列时钟
全球同步发表
启用
异步输出使能
3.3V电源
地
无连接
E
1
\
GW \\
128Kx64
GW \\
G\
ê \\ CLK
DQ
128Kx64
GW \\
G\
ê \\ CLK
DQ
G\
VCC
VSS
E
2
\
NC
128Kx64
GW \\
G\
ê \\ CLK
DQ
128Kx64
GW \\
G\
E\
CLK
DQ
E
3
\
128Kx64
GW \\
G\
ê \\ CLK
DQ
128Kx64
GW \\
G\
ê \\ CLK
DQ
E
4
\
DQ
0-63
CLK
引脚说明
DIMM的引脚
3, 5, 7, 9, 13, 15,
17, 19, 20, 23, 18,
16, 14, 10, 8, 6
38
27
36, 32
35, 31
37
各个
各个
各个
符号
A
0-15
TYPE
输入
同步
输入
同步
输入
同步
输入
同步
输入
输入/输出
供应
地
描述
地址：这些输入注册和必须满足建立和保持周围CLK的上升沿时间。
突发计数器产生与A相关内部地址
0
AND A
1
，爆发和等待周期。
全局写：此低电平输入允许一个完整的72位写发生独立的BWE \\和BWX \\线
且必须满足的建立和保持周围CLK的上升沿时间。
时钟：此信号寄存器中的地址，数据，芯片启用，其上升沿写控制和脉冲串的控制输入
边缘。所有同步输入必须满足建立和保持全天候的上升沿时间。
银行启用：这些低电平输入用来使每一个人银行和门ADSP \\ 。
输出使能：此低电平有效的异步输入使能数据输出驱动器。
数据输入/输出：第一个字节被DQ
0-7
，第二个字节是DQ
8-15
，第三个字节是DQ
16-23
，第四个字节为DQ
24-31
，第五
字节是DQ
32-39
，第六个字节是DQ
40-47
，第七个字节是DQ
48-55
和八个字节是DQ
56-64
.
核心供电： + 3.3V -5 ％ / + 10 ％
地
GW \\
CLK
E1, E2\
E3\, E4\
G\
DQ
0-63
VCC
VSS
3
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EDI2GG464128V
同步ONLY - 真值表
手术
同步写银行1
同步读银行1
同步写银行2
同步读银行2
同步写银行3
同步读银行3
同步写银行4
同步读银行4
贪睡模式
E1\
L
L
H
H
H
H
H
H
X
E2\
H
H
L
L
H
H
H
H
X
E3\
H
H
H
H
L
L
H
H
X
E4\
H
H
H
H
H
H
L
L
X
GW \\
L
H
L
H
L
H
L
H
X
G\
H
L
H
L
H
L
H
L
X
CLK
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
X
DQ
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
绝对最大额定值*
在相对于VSS VCC电压
VIN
储存温度
工作温度（商业）
工作温度（工业级）
短路输出电流
-0.5V至+ 4.6V
-0.5V到VCC + 0.5V
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
20毫安
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高
输入低
输入漏
输出漏
高输出（I
OH
= -4mA ）
输出低（我
OL
= 8毫安）
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
IL
I
国际劳工组织
V
OH
V
OL
民
3.14
0.0
2.2
-0.3
-2
-2
2.4
-
典型值
3.3
0.0
3.0
0.0
1
1
-
-
最大
3.6
0.0
V
CC
+0.3
0.8
2
2
-
0.4
单位
V
V
V
V
A
A
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在
这些或任何其他条件比那些在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
DC电气特性 - 读周期
描述
电源电流
电源电流
设备选择，无操作
符号
ICC
1
ICC
ICC
ZZ
ICC
3
ICC
K
典型值
1.55
0.75
200
400
600
9.5
2.8
1.8
300
500
900
10
2.2
1.5
300
500
900
最大
11
2.2
1.3
300
500
900
12
2.7
1.3
300
500
900
15
2.0
1.0
300
500
900
单位
A
A
mA
mA
mA
贪睡模式
CMOS待机
时钟运行，取消
*待定
AC测试电路
参数
AC测试条件
I / O
V
SS
3.0
1.25
见图，左
单位
V
V
产量
Z0 == 50
Z0 50
输入脉冲电平
输入和输出时序水平
输出测试等效项
50
VT = 1.5V
1.25V
AC输出负载等效
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4
EDI2GG464128V
读周期时序参数
描述
时钟周期时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟到输出有效
时钟输出无效
时钟到输出低Z
输出使能到输出有效
输出使能到输出低-Z
输出使能到输出高阻
地址设置
银行启用设置
地址保持
银行保持启用
*待定
符号
t
KHKH
t
KHKL
t
KLKH
t
KHQV
t
KHQX1
t
KHQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
AVKH
t
EVKH
t
KHAX
t
KHEX
民
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
9.5ns
最大
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
10ns
民
12
5
5
10
3
2
4
0
4
2.5
2.5
1.0
1.0
2.5
2.5
1.0
1.0
0
3
2
最大
民
12
5
5
11ns
最大
民
15
5
5
11
3
2
5
0
5
2.5
2.5
1.0
1.0
12ns
最大
民
20
6
6
12
3
2
5
0
5
2.5
2.5
1.0
1.0
15ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
6
5
写周期时序参数
描述
时钟周期时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
地址设置
地址保持
银行启用设置
银行保持启用
全局写使能设置
全局写使能保持
数据设置
数据保持
*待定
符号
t
KHKH
t
KHKL
t
KLKH
t
AVKH
t
KHAX
t
EVKH
t
KHEX
t
WVKH
t
KHWX
t
DVKH
t
KHDX
民
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
9.5ns
最大
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
10ns
民
12
5
5
2.5
1.0
2.5
1.0
2.5
1.0
2.5
1.0
最大
民
12
5
5
2.5
1.0
2.5
1.0
2.5
1.0
2.5
1.0
11ns
最大
民
15
5
5
2.5
1.0
2.5
1.0
2.5
1.0
2.5
1.0
12ns
最大
民
20
6
6
2.5
1.0
2.5
1.0
2.5
1.0
2.5
1.0
15ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
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