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EDF1AS , EDF1BS , EDF1CS , EDF1DS
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威世通用半导体
微型玻璃钝化超快速
表面贴装桥式整流器
特点
UL认证,文件编号E54214
适合自动放置
超快反向恢复时间高
频率
高浪涌电流能力
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
260℃峰值
材料分类:为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
~
~
~
~
机箱样式DFS
典型应用
在AC / DC桥式全波整流一般用途
对于开关电源,照明ballaster ,适配器,电池充电器,家用
家用电器,办公设备,以及电信
应用程序。
DFS
1A
50 V, 100 V, 150 V, 200 V
50 A
5 μA
1.05 V
50纳秒
150 °C
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
在我
F
= 1.0 A
t
rr
T
J
马克斯。
二极管的变化
机械数据
案例:
DFS
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准的商用级
终端:
雾锡电镀引脚,焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性:
作为标记体
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
在T最大正向平均整流输出电流
A
= 40 °C
(1)
峰值正向浪涌电流单半正弦波叠加
额定负荷
额定值融合(T < 8.3毫秒)
工作结存储温度范围
(1)
脉冲试验: 300毫秒脉冲宽度, 1 %的占空比
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
I
2
t
T
J
, T
英镑
EDF1AS
50
35
50
EDF1BS
100
70
100
1.0
50
10
- 55至+ 150
EDF1CS
150
106
150
EDF1DS
200
140
200
单位
V
V
V
A
A
A
2
s
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大正向
每个二极管的压降
最大DC反向电流在额定
每个二极管的阻断电压DC
按最大反向恢复时间
二极管
测试条件
1.0 A
(1)
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
F
= 0.5 A,I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
符号
V
F
I
R
t
rr
EDF1AS
EDF1BS
1.05
5.0
1.0
50
EDF1CS
EDF1DS
单位
V
μA
mA
ns
(1)
脉冲试验: 300毫秒脉冲宽度, 1 %的占空比
修订: 19 - 8 - 13
文档编号: 88578
1
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威世通用半导体
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
典型热阻
(1)
符号
R
θJA
R
θJL
EDF1AS
EDF1BS
38
12
EDF1CS
EDF1DS
单位
° C / W
(1)
PCB安装有0.2" X 0.2" (5.0毫米× 5.0毫米)铜焊盘区
订购信息
(例)
首选的P / N
EDF1DS-E3/45
EDF1DS-E3/77
单位重量(g )
0.406
0.406
首选包装代码
45
77
基地数量
50
1500
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
1.0
10
平均正向输出电流( A)
0.75
0.51 X 0.51" ( 13× 13mm)的
铜垫
0.5
电容式
负载
5.0
I
pk
= 10
I
AV
20
正向电流(A )
I
PK
/I
AV
=
π
电阻
或电感性负载
1
0.1
T
J
= 25 °C
脉冲宽度= 300微秒
1 %占空比
0.01
0.4
0.25
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
环境温度( ℃)
正向电压( V)
图。 1 -
降额曲线输出整流电流
图。 3 -
典型的正向特性每二极管
60
峰值正向浪涌电流( A)
50
瞬时反向漏
电流( μA )
T
J
= 150 °C
单正弦波
1000
100
40
T
J
= 125 °C
30
10
20
1
T
J
= 25 °C
0.1
0
20
40
60
80
100
10
1.0循环
0
1
10
100
环,在60赫兹的
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 2 -
最大非重复性峰值正向浪涌
目前每二极管
图。 4 -
典型的反向漏电特性每二极管
修订: 19 - 8 - 13
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威世通用半导体
30
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
结电容(pF )
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
100
1000
反向电压( V)
图。 5 -
典型结电容每二极管
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
机箱样式DFS
0.205 (5.2)
0.195 (5.0)
贴装焊盘拉YOUT
0.047 (1.20)
0.040 (1.02)
0.047最小。
(1.20分钟)
0.060最小。
( 1.52分钟)
0.404 (10.3)
0.386 (9.80)
0.335 (8.51)
0.320 (8.13)
0.404最大。
( 10.26最大值。 )
45°
0.255 (6.5)
0.245 (6.2)
0.205 (5.2)
0.195 (5.0)
0.130 (3.3)
0.120 (3.05)
0.013 (0.330)
0.009 (0.241)
0.060 (1.524)
0.040 (1.016)
0.013 (0.330)
0.003 (0.076)
修订: 19 - 8 - 13
文档编号: 88578
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法律免责声明
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日前,Vishay
放弃
全部产品,产品规格及数据如有更改,恕不另行通知,以改善
可靠性,功能,设计或其他原因。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理商和雇员,和所有代表及其或其各自的(统称个人,
“威世” ) ,包含在任何数据或任何其他的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前,Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证,声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内, Vishay不承担( i)任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用, ( ii)任何及所有责任,包括但不限于特殊,
间接或附带损失,及(iii)任何和所有的暗示担保,包括适销性和针对特定担保
目的,非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求,常常放置在日前,Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任,以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性,适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异,而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数,包括典型参数,必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明,否则Vishay产品不用于医疗,救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售未明确指示可在这些应用中使用的Vishay产品的客户这样做在自己的风险。请
Vishay授权人员联系以获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前,Vishay Intertechnology,Inc.是在此证明,所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制,根据安理会的指令,欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
(EEE ) - 重铸,除非另外指定为不符合要求的。
请注意,某些日前,Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认,
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.是在此证明,所有被认定为无卤素产品遵循无卤
要求按照JEDEC JS709A标准。请注意,某些日前,Vishay文档可能仍然会参考
在IEC 61249-2-21定义。我们确认所有的产品确定为符合IEC 61249-2-21
符合JEDEC JS709A标准。
修订: 02 - OCT- 12
1
文档编号: 91000
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EDF1DS-E3/45
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地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
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23+
12000
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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DFS
原厂一级代理,原装现货
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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全新原装现货,原厂代理。
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EDF1DS-E3/45
Vishay Semiconductors
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