初步数据表
512M位DDR2 SDRAM
EDE5108AHSE （ 64M字
×
8比特）
EDE5116AHSE （ 32M字
×
16比特）
特定网络阳离子
特点
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
时钟周期
高速数据传输是由4比特来实现
预取流水线结构
双向差分数据选通（ DQS和/ DQS ）
传输/数据接收的数据采集
接收器
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码（DM）写入数据
发布/ CAS通过可编程附加延迟
更好的命令和数据总线效率
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
可编程RDQS ， / RDQS输出制作
×
8
组织相容
×
4机构
/ DQS （ / RDQS ）可用于单端被禁用
数据选通操作
密度： 512M位
组织
16M的话
×
8位
×
4银行（ EDE5108AHSE ）
8M字
×
16位
×
4银行（ EDE5116AHSE ）
包
60球FBGA （ EDE5108AHSE ）
84球FBGA （ EDE5116AHSE ）
无铅（符合RoHS）
电源： VDD ， VDDQ
=
1.8V
±
0.1V
数据传输速率： 800Mbps的/ 667Mbps / 533Mbps / 400Mbps的
（ MAX 。 ）
1KB页大小（ EDE5108AHSE ）
行地址： A0到A13
列地址： A0到A9
2KB页大小（ EDE5116AHSE ）
行地址： A0到A12
列地址： A0到A9
四大银行内部的并发操作
接口： SSTL_18
脉冲串长度（BL） ： 4,8
突发类型（BT） ：
顺序（4,8 ）
交织（4,8 ）
/ CAS延迟（CL） ：3， 4 ，5，6
预充电：对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
驱动力：正常/弱
刷新：自动刷新，自刷新
EO
刷新周期： 8192次/ 64ms的
平均更新周期
7.8μs在0℃下
≤
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
工作温度范围
TC = 0 ° C至+ 95°C
一号文件E0908E40 （版本4.0 ）
发布日期2006年12月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
L
Pr
本产品成为了EOL于2010年6月。
Elpida
内存方面， 2006年公司
od
uc
t
EDE5108AHSE ， EDE5116AHSE
订购信息
产品型号
EDE5108AHSE-8E-E
EDE5108AHSE-8G-E
EDE5108AHSE-6E-E
EDE5108AHSE-5C-E
EDE5108AHSE-4A-E
EDE5116AHSE-8E-E
EDE5116AHSE-8G-E
EDE5116AHSE-6E-E
EDE5116AHSE-5C-E
EDE5116AHSE-4A-E
面膜
VERSION
组织
（字
×
位）
国内
银行
速度斌
（ CL - tRCD的-TRP ）
DDR2-800 （ 5-5-5 ）
DDR2-800 （ 6-6-6 ）
DDR2-667 （ 5-5-5 ）
DDR2-533 （ 4-4-4 ）
DDR2-400 （ 3-3-3 ）
DDR2-800 （ 5-5-5 ）
DDR2-800 （ 6-6-6 ）
DDR2-667 （ 5-5-5 ）
DDR2-533 （ 4-4-4 ）
DDR2-400 （ 3-3-3 ）
包
H
64M
×
8
4
60球FBGA
32M
×
16
EO
产品型号
尔必达内存
TYPE
D：单片器件
产品系列
E： DDR2
密度/银行
51 ： 512MB / 4银行
组织
08: x8
16: x16
电源，接口
答： 1.8V ， SSTL_18
84球FBGA
D E 51 08一 SE - 8E - é
环境法规
E：无铅
（符合RoHS ）
速度
8E ： DDR2-800 （ 5-5-5 ）
8G ： DDR2-800 （ 6-6-6 ）
6E ： DDR2-667 （ 5-5-5 ）
5C ： DDR2-533 （ 4-4-4 ）
4A ： DDR2-400 （ 3-3-3 ）
包
SE ： FBGA （含封底）
牧师死亡
初步数据表E0908E40 （版本4.0 ）
L
Pr
2
od
uc
t
EDE5108AHSE ， EDE5116AHSE
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
60球FBGA
（ × 8的组织）
1
A
VDD
NU / / RDQS
VSS
B
DQ6
VSSQ
DM / RDQS
DQ1 VDDQ
DQ3
VSS
/ WE
的DQ
VSSQ
DQ0
VSSQ
CK
/ CK
/ CS
A0
A4
A8
A13
VDD
DQ7
C
VDDQ
D
DQ2
DQ5
E
VDD
ODT
F
DQ6
G
VDDQ
H
DQ4
J
VDDL VREF
K
CKE
L
NC
BA0
A10
A3
A7
/ WE
BA1
A1
A5
A9
NC
/ RAS
/ CAS
A2
A6
A11
NC
/ CK
/ CS
A0
A4
A8
NC
VSS
VDD
ODT
VSS
VSSDL
CK
VDD
VSSQ
DQ3
DQ2
VSSQ
DQ5
DQ1 VDDQ
VDDQ
DQ0
VDDQ
VSSQ
LDM
LDQS VSSQ
DQ7
VDD
NC
VSS
VSSQ / LDQS VDDQ
VDDQ
DQ9 VDDQ
VDDQ
DQ8
VDDQ
C
D
E
F
VSSQ / DQS VDDQ
2
3
7
8
9
A
VDD
B
DQ14 VSSQ UDM
UDQS VSSQ DQ15
NC
VSS
VSSQ / UDQS VDDQ
1
2
84球FBGA
（ × 16组织）
3
7
8
9
EO
VDDQ
DQ4
VSSQ
VDDL VREF
CKE
BA0
A10
A3
A7
VDD
A12
G
H
J
VSS
K
L
NC
NC
BA1
A1
A5
A9
VDDQ
DQ12 VSSQ DQ11
DQ10 VSSQ DQ13
VSSDL
/ RAS
/ CAS
A2
A6
L
A11
NC
（ TOP VIEW ）
VSS
Pr
M
N
P
VSS
R
VDD
od
A12
（ TOP VIEW ）
引脚名称
A0到A13
BA0 ， BA1
DQ0到DQ15
DQS ， / DQS
UDQS ， / UDQS
LDQS ， / LDQS
RDQS ， / RDQS
/ CS
/ RAS ， / CAS ， / WE
CKE
CK ， / CK
DM
UDM ， LDM
功能
地址输入
BANK SELECT
数据输入/输出
差分数据选通信号
引脚名称
功能
ODT
ODT控制
VDD
VSS
电源电压为内部电路
地上的内部电路
uc
电源电压为DQ电路
地面DQ电路
输入参考电压
电源电压为DLL电路
VDDQ
VSSQ
VREF
VDDL
VSSDL
NC *
NU *
1
差分数据选通信号读
芯片选择
命令输入
时钟使能
差分时钟输入
写数据面膜
地面的DLL电路
无连接
不可用
t
2
注意事项： 1.不与内部芯片连接。
2.不要使用除保留功能。
初步数据表E0908E40 （版本4.0 ）
3
EDE5108AHSE ， EDE5116AHSE
目录
Specifications.................................................................................................................................................1
Features.........................................................................................................................................................1
订购Information......................................................................................................................................2
产品型号..................................................................................................................................................2
引脚配置.........................................................................................................................................3
电动Specifications.................................................................................................................................5
框图.............................................................................................................................................28
针Function.................................................................................................................................................29
命令操作...................................................................................................................................31
简化的状态图.............................................................................................................................39
DDR2 SDRAM的操作........................................................................................................................40
包装图........................................................................................................................................77
推荐焊接Conditions..........................................................................................................79
EO
初步数据表E0908E40 （版本4.0 ）
L
Pr
od
uc
t
4
EDE5108AHSE ， EDE5116AHSE
电气规格
所有电压参考VSS （ GND）
正确的设备运行达到之前执行开机和初始化序列。
绝对最大额定值
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
符号
VDD
VDDQ
VIN
VOUT
TSTG
PD
IOUT
等级
1.0
到2.3
0.5
到2.3
0.5
到2.3
0.5
到2.3
55
+100
1.0
50
单位
V
V
V
V
°C
W
mA
笔记
1
1
1
1
1, 2
1
1
EO
输出电压
储存温度
功耗
短路输出电流
注意事项： 1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他
超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2.储存温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
L
符号
TC
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
工作温度条件
参数
工作温度
注意事项： 1.工作温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
2.支持0 ° C至+ 85°C ，带AC和DC规格。
支持0 ° C至+ 85°C ，并能扩展到+ 95°C ，在加倍自动刷新命令
频率为32ms的周期（ tREFI = 3.9μs ），并经由A7 "1"于较高温度的自刷新进入
EMRS （2） 。
初步数据表E0908E40 （版本4.0 ）
Pr
等级
0至+95
单位
°C
笔记
1, 2
od
5
uc
t
QQ：2881677436 复制
