数据表
512M位DDR2 SDRAM
EDE5116AFSE （ 32M字
×
16比特）
描述
该EDE5116AFSE是512M比特的DDR2 SDRAM
组织为8,388,608字
×
16位
×
4银行。
它被包装在84球FBGA （ μBGA
）封装。
特点
电源： VDD ， VDDQ
=
1.8V
±
0.1V
双倍数据速率的架构：每两次数据传输
时钟周期
双向，差分数据选通（ DQS和
/ DQS ）被发送/与数据接收的，所用
在接收器采集数据
DQS是边沿与数据一致的内容如下：中心 -
与写入的数据一致
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘：数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
四大银行内部的并发操作
数据掩码（DM）写入数据
突发长度： 4,8
/ CAS延迟（CL） ： 3 ，4，5
对于每一个突发访问自动预充电操作
自动刷新和自刷新模式
平均更新周期
7.8μs在0℃下
≤
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
SSTL_18兼容的I / O
通过可编程附加延迟中科院发布
更好的命令和数据总线效率
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
/ DQS可以用于单端数据选通被禁用
操作。
FBGA （ μBGA ）封装无铅焊料
（锡 - 银 - 铜）
符合RoHS
一号文件E0705E20 （版本2.0 ）
发布日期2005年7月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面， 2005年公司
EDE5116AFSE
订购信息
产品型号
EDE5116AFSE-6E-E
EDE5116AFSE-5C-E
EDE5116AFSE-4A-E
面膜
VERSION
F
组织
（字
×
位）
32M
×
16
国内
银行
4
速度斌
（ CL - tRCD的-TRP ）
DDR2-667 （ 5-5-5 ）
DDR2-533 （ 4-4-4 ）
DDR2-400 （ 3-3-3 ）
包
84球FBGA （ μBGA ）
产品型号
D E 51 16 A F SE - 6E - é
尔必达内存
TYPE
D：单片器件
产品系列
E： DDR2
环境法规
E：无铅
密度/银行
51 ： 512MB / 4银行
组织
16: x16
速度
6E ： DDR2-667 （ 5-5-5 ）
5C ： DDR2-533 （ 4-4-4 ）
4A ： DDR2-400 （ 3-3-3 ）
包
SE ： FBGA （ μBGA与封底）
牧师死亡
电源，接口
答： 1.8V ， SSTL_18
数据表E0705E20 （版本2.0 ）
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EDE5116AFSE
目录
Description.....................................................................................................................................................1
Features.........................................................................................................................................................1
订购Information......................................................................................................................................2
产品型号..................................................................................................................................................2
引脚配置.........................................................................................................................................3
电动Specifications.................................................................................................................................5
框图.............................................................................................................................................15
针Function.................................................................................................................................................16
命令操作...................................................................................................................................18
简化的状态图.............................................................................................................................25
DDR2 SDRAM的操作........................................................................................................................26
包装图........................................................................................................................................62
推荐焊接Conditions..........................................................................................................63
数据表E0705E20 （版本2.0 ）
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EDE5116AFSE
电气规格
所有电压参考VSS （ GND）
正确的设备运行达到之前执行开机和初始化序列。
绝对最大额定值
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
输出电压
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
VDD
VDDQ
VIN
VOUT
TSTG
PD
IOUT
等级
1.0
到2.3
0.5
到2.3
0.5
到2.3
0.5
到2.3
55
+100
1.0
50
单位
V
V
V
V
°C
W
mA
笔记
1
1
1
1
1, 2
1
1
注意事项： 1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他
超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2.储存温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
工作温度条件
参数
工作温度
符号
TC
等级
0至+95
单位
°C
笔记
1, 2
注意事项： 1.工作温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
2.支持0 ° C至+ 85°C ，带AC和DC规格。
支持0 ° C至+ 85°C ，并能扩展到+ 95°C ，在加倍自动刷新命令
频率为32ms的周期（ tREFI = 3.9μs ），并经由A7 "1"于较高温度的自刷新进入
EMRS （2） 。
数据表E0705E20 （版本2.0 ）
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