数据表

512M位DDR2 SDRAM

EDE5104ABSE （ 128M词

×

4比特）

EDE5108ABSE （ 64M字

×

8比特）

EDE5116ABSE （ 32M字

×

16比特）

描述

该EDE5104ABSE是512M比特的DDR2 SDRAM

组织为33554432字

×

4位

×

4银行。

该EDE5108ABSE是512M比特的DDR2 SDRAM

组织为16777216字

×

8位

×

4银行。

它们被包装在64球FBGA （ μBGA

）封装。

该EDE5116ABSE是512M比特的DDR2 SDRAM

组织为8,388,608字

×

16位

×

4银行。

它被包装在84球FBGA （ μBGA ）封装。

特点

电源： VDD ， VDDQ

=

1.8V

±

0.1V

双倍数据速率的架构：每两次数据传输

时钟周期

双向，差分数据选通（ DQS和

/ DQS ）被发送/与数据接收的，所用

在接收器采集数据

DQS是边沿与数据一致的内容如下：中心 -

与写入的数据一致

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

命令中输入的每个正CK边缘：数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

四大银行内部的并发操作

数据掩码（DM）写入数据

突发长度： 4,8

/ CAS延迟（CL） ： 3 ，4，5

对于每一个突发访问自动预充电操作

自动刷新和自刷新模式

7.8μs平均周期刷新间隔

SSTL_18兼容的I / O

通过可编程附加延迟中科院发布

更好的命令和数据总线效率

片外驱动器阻抗调整和在复模机

终止更好的信号质量

可编程RDQS ， / RDQS输出制作

×

8

组织相容

×

4机构

/ DQS （ / RDQS ）可用于单端被禁用

数据选通操作。

FBGA （ μBGA ）封装无铅焊料

（锡 - 银 - 铜）

符合RoHS

一号文件E0323E90 （版本9.0 ）

发布日期2005年9月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面，公司2002-2005年

EDE5104ABSE ， EDE5108ABSE ， EDE5116ABSE

订购信息

产品型号

EDE5104ABSE-5C-E

EDE5104ABSE-4A-E

EDE5108ABSE-5C-E

EDE5108ABSE-4A-E

EDE5116ABSE-5C-E

EDE5116ABSE-4A-E

面膜

VERSION

B

组织

（字

×

位）

128M

×

4

64M

×

8

32M

×

16

国内

银行

4

速度斌

（ CL - tRCD的-TRP ）

DDR2-533 （ 4-4-4 ）

DDR2-400 （ 3-3-3 ）

DDR2-533 （ 4-4-4 ）

DDR2-400 （ 3-3-3 ）

DDR2-533 （ 4-4-4 ）

DDR2-400 （ 3-3-3 ）

包

64球FBGA （ μBGA ）

84球FBGA （ μBGA ）

产品型号

D E 51 04 A B SE - 5C - é

尔必达内存

TYPE

D：单片器件

产品编号

E： DDR2

环境法规

E：无铅

密度/银行

51 ： 512M / 4银行

位组织

04: x4

08: x8

16: x16

电压，接口

答： 1.8V ， SSTL_18

速度

5C ： DDR2-533 （ 4-4-4 ）

4A ： DDR2-400 （ 3-3-3 ）

包

SE ： FBGA （ μBGA与封底）

牧师死亡

数据表E0323E90 （版本9.0 ）

2

EDE5104ABSE ， EDE5108ABSE ， EDE5116ABSE

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

64球FBGA （ μBGA ）

(×8,

×4

组织）

84球FBGA （ μBGA ）

（ × 16组织）

1

A

2

NC

3

7

8

NC

9

NC

1

2

3

7

8

9

A

VDD

NC

VSS

VSSQ

/ UDQS

VDDQ

UDQS

VSSQ DQ15

VDDQ

DQ8

VDDQ

NC

B

C

D

E

B

DQ14 VSSQ UDM

C

VDDQ

DQ9

VDDQ

D

E

DQ12 VSSQ

DQ11

DQ10

VSSQ DQ13

VSSQ

/ LDQS

VDDQ

LDQS

VSSQ

VDDQ

DQ2

VSSDL

VDD

NU / / RDQS

VSS

（ NC ） *

VSSQ

/ DQS

VDDQ

的DQ

VDDQ

DQ2

VSSDL

/ RAS

/ CAS

A2

A6

A11

NC

（ TOP VIEW ）

VDD

NC

VSSQ

VSS

LDM

F

G

DQ6

DM / RDQS

（ NC ） *

VSSQ

（DM） *

VSSQ

DQ0

VSSQ

CK

/ CK

/ CS

（ NC ） *

DQ7

F

DQ6

DQ7

G

VDDQ

H

J

（ NC ） *

DQ1

VDDQ

VSSQ

DQ3

VSS

/ WE

BA1

A1

A5

A9

NC

VDDQ

（ NC ） *

VDDQ

DQ1

VDDQ

VSSQ

DQ3

DQ0

VSSQ

CK

VDDQ

DQ5

VDD

ODT

DQ4

DQ5

H

DQ4

J

VDDL

VREF

K

VDD

K

VDDL

VREF

CKE

VSS

CKE

L

ODT

L

NC

/ WE

BA1

/ RAS

/ CAS

/ CK

/ CS

NC

M

BA0

A10

BA0

M

A0

A4

VDD

N

VSS

A10

A3

A7

A1

A5

A9

A2

A6

A11

A0

A4

A8

VDD

N

VSS

P

A3

A7

P

A8

A13

VSS

R

VDD

VSS

R

VDD

A12

A12

NC

NC

NC

（ TOP VIEW ）

注： （ ） *标记的管脚是

×4

组织。

引脚名称

A0到A13

BA0 ， BA1

DQ0到DQ15

DQS ， / DQS

UDQS ， / UDQS

LDQS ， / LDQS

RDQS ， / RDQS

/ CS

/ RAS ， / CAS ， / WE

CKE

CK ， / CK

DM ， UDM ， LDM

功能

地址输入

BANK SELECT

数据输入/输出

差分数据选通信号

差分数据选通信号读

芯片选择

命令输入

时钟使能

差分时钟输入

写数据面膜

引脚名称

ODT

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VREF

VDDL

VSSDL

NC *

NU *

1

2

功能

ODT控制

电源电压为内部电路

地上的内部电路

电源电压为DQ电路

地面DQ电路

输入参考电压

电源电压为DLL电路

地面的DLL电路

无连接

不可用

注意事项： 1.不与内部芯片连接。

2.不要使用除保留功能。

数据表E0323E90 （版本9.0 ）

3

EDE5104ABSE ， EDE5108ABSE ， EDE5116ABSE

目录

Description.....................................................................................................................................................1

Features.........................................................................................................................................................1

订购Information......................................................................................................................................2

产品型号..................................................................................................................................................2

引脚配置.........................................................................................................................................3

电动Specifications.................................................................................................................................5

框图.............................................................................................................................................15

针Function.................................................................................................................................................16

命令操作...................................................................................................................................18

简化的状态图.............................................................................................................................25

DDR2 SDRAM的操作........................................................................................................................26

包装图........................................................................................................................................62

推荐焊接Conditions..........................................................................................................64

数据表E0323E90 （版本9.0 ）

4

EDE5104ABSE ， EDE5108ABSE ， EDE5116ABSE

电气规格

绝对最大额定值

参数

电源电压

电源电压输出

输入电压

输出电压

储存温度

功耗

短路输出电流

符号

VDD

VDDQ

VIN

VOUT

TSTG

PD

IOUT

等级

1.0

到2.3

0.5

到2.3

0.5

到2.3

0.5

到2.3

55

+100

1.0

50

单位

V

V

V

V

°C

W

mA

笔记

1

1

1

1

1, 2

1

1

注意事项： 1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏

该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他

超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光

在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。

2.储存温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

工作温度条件

参数

工作温度

符号

TC

等级

0至+85

单位

°C

笔记

1, 2

注意事项： 1.工作温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。

2.操作温度范围是其中所有的DRAM规格将支持的温度。出

此温度范围侧，即使它仍然是应力条件允许的范围内，上部分有些偏差

的操作规范可能需要。

在操作过程中，必须保持在0 DRAM的情况下，温度至+ 85 ℃在所有其他

规格参数。

数据表E0323E90 （版本9.0 ）

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