初步数据表
位512M DDR- II SDRAM
EDE5104GBSA （ 128M词
×
4比特）
EDE5108GBSA （ 64M字
×
8比特）
EDE5116GBSA （ 32M字
×
16比特）
描述
该EDE5104GB是512M比特DDR- II SDRAM
组织为33554432字
×
4位
×
4银行。
该EDE5108GB是512M比特DDR- II SDRAM
组织为16777216字
×
8位
×
4银行。
它以64球打包
μBGA
封装。
该EDE5116GB是512M比特DDR- II SDRAM
组织为8,388,608字
×
16位
×
4银行。
它被包装在84球
μBGA
封装。
特点
1.8V电源
双倍数据速率的架构：每两次数据传输
时钟周期
双向，差分数据选通（ DQS和
/ DQS ）被发送/与数据接收的，所用
在接收器采集数据
DQS是边沿与数据一致的内容如下：中心 -
与写入的数据一致
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘：数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
四大银行内部的并发操作
数据掩码（DM）写入数据
突发长度： 4,8
/ CAS延迟（CL） ： 3 ，4，5
对于每一个突发访问自动预充电操作
自动刷新和自刷新模式
7.8μs平均周期刷新间隔
1.8V （ SSTL_18兼容）I / O
通过可编程附加延迟中科院发布
更好的命令和数据总线效率
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
可编程RDQS ， / RDQS输出制作
×
8
组织相容
×
4机构
/ DQS （ / RDQS ）可用于单端被禁用
数据选通操作。
μBGA
封装是无铅焊料（锡银铜）
一号文件E0249E30 （版本3.0 ）
发布日期2002年8月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面， 2002年公司
EDE5104GBSA ， EDE5108GBSA ， EDE5116GBSA
订购信息
产品型号
EDE5104GBSA-5A-E
EDE5104GBSA-4A-E
EDE5108GBSA-5A-E
EDE5108GBSA-4A-E
EDE5116GBSA-5A-E
EDE5116GBSA-4A-E
面膜
VERSION
B
组织
（字
×
位）
128M
×
4
64M
×
8
32M
×
16
国内
银行
4
数据速率
（ Mbps）的
533
400
533
400
533
400
/ CAS延时
4, 5
3, 4, 5
4, 5
3, 4, 5
4, 5
3, 4, 5
包
64-ball
μBGA
84-ball
μBGA
产品型号
D E 51 04 G B SA - 4A - é
尔必达内存
TYPE
D：单片器件
产品编号
E： DDR - II
密度/银行
51 ： 512M / 4银行
位组织
04: x4
08: x8
16: x16
电压，接口
G： 1.8V ， SSTL_18
无铅
速度
5A ： 533Mbps
4A ： 400Mbps的
包
SA ：
μBGA
牧师死亡
初步数据表E0249E30 （版本3.0 ）
2
EDE5104GBSA ， EDE5108GBSA ， EDE5116GBSA
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
64-ball
μBGA
(×8,
×4
组织）
1
A
NC
B
C
D
E
VDD
NU / / RDQS
VSS
（ NC ） *
84-ball
μBGA
（ × 16组织）
8
NC
9
NC
A
VDD
B
DQ14 VSSQ UDM
C
VDDQ
D
E
DQ9 VDDQ
VDDQ
DQ8
VDDQ
UDQS VSSQ DQ15
NC
VSS
VSSQ / UDQS VDDQ
1
2
3
7
8
9
2
NC
3
7
DQ12 VSSQ DQ11
VDD
NC
VSSQ
VSS
LDM
DQ10 VSSQ DQ13
VSSQ / LDQS VDDQ
LDQS VSSQ
VDDQ
DQ2
VSSDL
/ RAS
/ CAS
A2
A6
A11
NC
DQ0
VSSQ
CK
/ CK
/ CS
A0
A4
A8
NC
VSS
VDD
DQ7
VDDQ
DQ5
VDD
ODT
VSSQ / DQS VDDQ
的DQ
VDDQ
DQ2
VSSDL
/ RAS
/ CAS
A2
A6
A11
NC
（ TOP VIEW ）
VSSQ
DQ0
VSSQ
CK
/ CK
/ CS
M
A0
A4
P
A8
A13
VSS
R
VDD
N
（ NC ） *
F
G
DQ6
DM / RDQS
（ NC ） *
VSSQ
（DM） *
DQ7
F
DQ6
G
VDDQ
H
DQ4
J
VSSQ
DQ3
VSS
/ WE
BA1
A1
A5
A9
NC
VDDQ
H
J
（ NC ） *
DQ1 VDDQ
VSSQ
DQ3
VSS
/ WE
BA1
A1
A5
A9
NC
VDDQ
（ NC ） *
DQ1 VDDQ
DQ4
DQ5
VDDL VREF
K
CKE
L
NC
M
A10
N
VSS
P
A7
R
VDD
A12
A3
BA0
VDD
K
ODT
L
VDDL VREF
CKE
NC
BA0
A10
VSS
A3
A7
VDD
A12
（ TOP VIEW ）
注： （ ） *标记的管脚是
×4
组织。
引脚名称
A0到A13
BA0 ， BA1
DQ0到DQ15
DQS ， / DQS
UDQS ， / UDQS
LDQS ， / LDQS
RDQS ， / RDQS
/ CS
/ RAS ， / CAS ， / WE
CKE
CK ， / CK
DM ， UDM ， LDM
功能
地址输入
BANK SELECT
数据输入/输出
差分数据选通信号
差分数据选通信号读
芯片选择
命令输入
时钟使能
差分时钟输入
写数据面膜
引脚名称
ODT
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
VREF
VDDL
VSSDL
NC *
1
NU *
2
功能
ODT控制
电源电压为内部电路
地上的内部电路
电源电压为DQ电路
地面DQ电路
参考电压
电源电压为DLL电路
地面的DLL电路
无连接
不可用
注意事项： 1.不与内部芯片连接。
2.不要使用除保留功能。
初步数据表E0249E30 （版本3.0 ）
3
EDE5104GBSA ， EDE5108GBSA ， EDE5116GBSA
目录
Description.....................................................................................................................................................1
Features.........................................................................................................................................................1
订购Information......................................................................................................................................2
产品型号..................................................................................................................................................2
引脚配置.........................................................................................................................................3
电动Specifications.................................................................................................................................5
框图.............................................................................................................................................10
针Function.................................................................................................................................................11
命令操作...................................................................................................................................13
简化的状态图.............................................................................................................................20
DDR -II的操作SDRAM.......................................................................................................................21
包装图........................................................................................................................................54
推荐焊接条件..........................................................................................................54
初步数据表E0249E30 （版本3.0 ）
4
EDE5104GBSA ， EDE5108GBSA ， EDE5116GBSA
电气规格
所有电压参考VSS （ GND）
正确的设备运行达到之前执行开机和初始化序列。
绝对最大额定值
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
输出电压
工作温度（环境）
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
VDD
VDDQ
VIN
VOUT
TA
TSTG
PD
IOUT
等级
-0.5到+2.3
-0.5到+2.3
-0.5到+2.3
-0.5到+2.3
0至+70
-55到+150
1.0
50
单位
V
V
V
V
°C
°C
W
mA
记
1
1
1
1
1
1
1
1
注： 1.强调大于“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他
超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件（ SSTL_18 ）
有没有具体的器件VDD电源电压要求SSTL_18合规性。然而，在所有
条件VDDQ必须小于或等于VDD。
参数
电源电压
电源电压输出
输入参考电压
终止电压
DC输入逻辑高
DC输入低
AC输入逻辑高
AC输入低
符号
VDD
VDDQ
VREF
VTT
VIH （DC）的
VIL （DC）的
VIH （AC）的
VIL （AC）的
分钟。
1.7
1.7
0.49
×
VDDQ
VREF - 0.04
VREF + 0.125
–0.3
VREF + 0.250
典型值。
1.8
1.8
马克斯。
1.9
1.9
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
笔记
4
4
1, 2
3
0.50
×
VDDQ 0.51
×
VDDQ
VREF
VREF + 0.04
VDDQ + 0.3V
VREF - 0.125
VREF - 0.250
注：1. VREF的值可以由用户进行选择，以提供最佳的噪声容限的系统。通常
VREF值预计是约0.5
×
发送设备和VREF的VDDQ预期
在VDDQ跟踪变化。
2.峰值到峰值AC噪声对VREF不得超过
±2%
VREF （DC）。
3. VTT的发送装置的必须跟踪接收装置的VREF。
4. VDDQ轨道与VDD ， VDDL跟踪与VDD 。 AC参数测量VDD ， VDDQ和
VDDL绑在一起。
初步数据表E0249E30 （版本3.0 ）
5
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