初步数据表
512M位DDR2 SDRAM
EDE5104AHSE （ 128M词
×
4比特）
特定网络阳离子
密度： 512M位
组织
32M的话
×
4位
×
4银行
包
60球FBGA
无铅（符合RoHS）
电源： VDD ， VDDQ
=
1.8V
±
0.1V
数据传输速率： 667Mbps （最大）
1KB的页面大小
行地址： A0到A13
列地址： A0到A9 ， A11
四大银行内部的并发操作
接口： SSTL_18
脉冲串长度（BL） ： 4,8
突发类型（BT） ：
顺序（4,8 ）
交织（4,8 ）
/ CAS延迟（CL） ： 3 ，4，5
预充电：对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
驱动力：正常/弱
刷新：自动刷新，自刷新
特点
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
时钟周期
高速数据传输是由4比特来实现
预取流水线结构
双向差分数据选通（ DQS和/ DQS ）
传输/数据接收的数据采集
接收器
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码（DM）写入数据
发布/ CAS通过可编程附加延迟
更好的命令和数据总线效率
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
/ DQS可以用于单端数据选通被禁用
手术
刷新周期： 8192次/ 64ms的
平均更新周期
7.8μs在0℃下
≤
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
工作温度范围
TC = 0 ° C至+ 95°C
一号文件E0999E10 （版本1.0 ）
发布日期2006年12月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面， 2006年公司
EDE5104AHSE
订购信息
产品型号
EDE5104AHSE-6E-E
面膜
VERSION
H
组织
（字
×
位）
128M
×
4
国内
银行
4
速度斌
（ CL - tRCD的-TRP ）
DDR2-667 （ 5-5-5 ）
包
60球FBGA
产品型号
D E 51 04 A ^ h SE - 6E - é
尔必达内存
TYPE
D：单片器件
产品系列
E： DDR2
密度/银行
51 ： 512MB / 4银行
组织
04: x4
包
SE ： FBGA （含封底）
电源，接口
答： 1.8V ， SSTL_18
牧师死亡
环境法规
E：无铅
（符合RoHS ）
速度
6E ： DDR2-667 （ 5-5-5 ）
初步数据表E0999E10 （版本1.0 ）
2
EDE5104AHSE
目录
Specifications.................................................................................................................................................1
Features.........................................................................................................................................................1
订购Information......................................................................................................................................2
产品型号..................................................................................................................................................2
引脚配置.........................................................................................................................................3
电动Specifications.................................................................................................................................5
框图.............................................................................................................................................18
针Function.................................................................................................................................................19
命令操作...................................................................................................................................21
简化的状态图.............................................................................................................................28
DDR2 SDRAM的操作........................................................................................................................29
包装图........................................................................................................................................66
推荐焊接Conditions..........................................................................................................67
初步数据表E0999E10 （版本1.0 ）
4
EDE5104AHSE
电气规格
所有电压参考VSS （ GND）
正确的设备运行达到之前执行开机和初始化序列。
绝对最大额定值
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
输出电压
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
VDD
VDDQ
VIN
VOUT
TSTG
PD
IOUT
等级
1.0
到2.3
0.5
到2.3
0.5
到2.3
0.5
到2.3
55
+100
1.0
50
单位
V
V
V
V
°C
W
mA
笔记
1
1
1
1
1, 2
1
1
注意事项： 1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他
超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2.储存温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
工作温度条件
参数
工作温度
符号
TC
等级
0至+95
单位
°C
笔记
1, 2
注意事项： 1.工作温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
2.支持0 ° C至+ 85°C ，带AC和DC规格。
支持0 ° C至+ 85°C ，并能扩展到+ 95°C ，在加倍自动刷新命令
频率为32ms的周期（ tREFI = 3.9μs ），并经由A7 "1"于较高温度的自刷新进入
EMRS （2） 。
初步数据表E0999E10 （版本1.0 ）
5
QQ：2881677436 复制
