初步数据表

256M位DDR2 SDRAM

EDE2508ACSE （ 32M字

×

8比特）

EDE2516ACSE （ 16M字

×

16比特）

特定网络阳离子

特点

双倍数据速率体系结构;两种数据传输每

时钟周期

高速数据传输是由4比特来实现

预取流水线结构

双向差分数据选通（ DQS和/ DQS ）

传输/数据接收的数据采集

接收器

DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点

与写入的数据一致

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

命令中输入的每个正CK边缘;数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

数据掩码（DM）写入数据

发布/ CAS通过可编程附加延迟

更好的命令和数据总线效率

片外驱动器阻抗调整和在复模机

终止更好的信号质量

可编程RDQS ， / RDQS输出制作

×

8

组织相容

×

4机构

/ DQS （ / RDQS ）可用于单端被禁用

数据选通操作

密度： 256M位

组织

8M字

×

8位

×

4银行（ EDE2508ACSE ）

4M字

×

16位

×

4银行（ EDE2516ACSE ）

包

60球FBGA （ EDE2508ACSE ）

84球FBGA （ EDE2516ACSE ）

无铅（符合RoHS）

电源： VDD ， VDDQ

=

1.8V

±

0.1V

数据传输速率： 800Mbps的/ 667Mbps / 533Mbps （最大）

1KB的页面大小

行地址： A0到A12

列地址： A0到A9 （ EDE2508ACSE ）

A0到A8 （ EDE2516ACSE ）

四大银行内部的并发操作

接口： SSTL_18

脉冲串长度（BL） ： 4,8

突发类型（BT） ：

顺序（4,8 ）

交织（4,8 ）

/ CAS延迟（ CL ） ： 4,5

预充电：对于每个突发自动预充电选项

ACCESS

驱动力：正常/弱

刷新：自动刷新，自刷新

EO

一号文件E0948E30 （版本3.0 ）

发布日期2007年4月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

刷新周期： 8192次/ 64ms的

平均更新周期

7.8μs在0℃下

≤

TC

≤ +85°C

在3.9μs

+ 85°C <

TC

≤ +95°C

工作温度范围

TC = 0 ° C至+ 95°C

L

Pr

本产品成为了EOL于2010年6月。

Elpida

内存方面，公司2006-2007年

od

uc

t

EDE2508ACSE ， EDE2516ACSE

订购信息

产品型号

EDE2508ACSE-8E-E

EDE2508ACSE-6E-E

EDE2508ACSE-5C-E

EDE2516ACSE-8E-E

EDE2516ACSE-6E-E

EDE2516ACSE-5C-E

面膜

VERSION

C

组织

（字

×

位）

32M

×

8

国内

银行

4

速度斌

（ CL - tRCD的-TRP ）

DDR2-800 （ 5-5-5 ）

DDR2-667 （ 5-5-5 ）

DDR2-533 （ 4-4-4 ）

DDR2-800 （ 5-5-5 ）

DDR2-667 （ 5-5-5 ）

DDR2-533 （ 4-4-4 ）

包

60球FBGA

16M

×

16

84球FBGA

EO

产品型号

尔必达内存

TYPE

D：单片器件

产品系列

E： DDR2

密度/银行

25 ： 256MB / 4银行

组织

08: x8

16: x16

电源，接口

答： 1.8V ， SSTL_18

D E 25 08 A C SE - 8E - é

环境法规

E：无铅

（符合RoHS ）

速度

8E ： DDR2-800 （ 5-5-5 ）

6E ： DDR2-667 （ 5-5-5 ）

5C ： DDR2-533 （ 4-4-4 ）

初步数据表E0948E30 （版本3.0 ）

L

Pr

2

包

SE ： FBGA

牧师死亡

od

uc

t

EDE2508ACSE ， EDE2516ACSE

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

60球FBGA

（ × 8的组织）

1

A

VDD

NU / / RDQS

VSS

B

DQ6

VSSQ

DM / RDQS

DQ1 VDDQ

DQ3

VSS

/ WE

的DQ

VSSQ

DQ0

VSSQ

CK

/ CK

/ CS

A0

A4

A8

NC

VDD

DQ7

C

VDDQ

D

DQ2

DQ5

E

VDD

ODT

F

DQ6

G

VDDQ

H

DQ4

J

VDDL VREF

K

CKE

L

NC

BA0

A10

A3

A7

/ WE

BA1

A1

A5

A9

NC

/ RAS

/ CAS

A2

A6

A11

NC

/ CK

/ CS

A0

A4

A8

NC

VSS

VDD

ODT

VSS

VSSDL

CK

VDD

VSSQ

DQ3

DQ2

VSSQ

DQ5

DQ1 VDDQ

VDDQ

DQ0

VDDQ

VSSQ

LDM

LDQS VSSQ

DQ7

VDD

NC

VSS

VSSQ / LDQS VDDQ

VDDQ

DQ9 VDDQ

VDDQ

DQ8

VDDQ

C

D

E

F

VSSQ / DQS VDDQ

2

3

7

8

9

A

VDD

B

DQ14 VSSQ UDM

UDQS VSSQ DQ15

NC

VSS

VSSQ / UDQS VDDQ

1

2

84球FBGA

（ × 16组织）

3

7

8

9

EO

VDDQ

DQ4

VSSQ

VDDL VREF

CKE

BA0

A10

A3

A7

VDD

A12

G

H

J

VSS

K

L

NC

NC

BA1

A1

A5

A9

VDDQ

DQ12 VSSQ DQ11

DQ10 VSSQ DQ13

VSSDL

/ RAS

/ CAS

A2

A6

L

A11

NC

（ TOP VIEW ）

VSS

Pr

M

N

P

VSS

R

VDD

od

A12

（ TOP VIEW ）

引脚名称

A0到A12

BA0 ， BA1

DQ0到DQ15

DQS ， / DQS

UDQS ， / UDQS

LDQS ， / LDQS

RDQS ， / RDQS

/ CS

/ RAS ， / CAS ， / WE

CKE

CK ， / CK

DM

UDM ， LDM

功能

地址输入

BANK SELECT

数据输入/输出

差分数据选通信号

引脚名称

功能

ODT

ODT控制

VDD

VSS

电源电压为内部电路

地上的内部电路

uc

电源电压为DQ电路

地面DQ电路

输入参考电压

电源电压为DLL电路

VDDQ

VSSQ

VREF

VDDL

VSSDL

NC *

NU *

1

差分数据选通信号读

芯片选择

命令输入

时钟使能

差分时钟输入

写数据面膜

地面的DLL电路

无连接

不可用

t

2

注意事项： 1.不与内部芯片连接。

2.不要使用除保留功能。

初步数据表E0948E30 （版本3.0 ）

3

EDE2508ACSE ， EDE2516ACSE

目录

Specifications.................................................................................................................................................1

Features.........................................................................................................................................................1

订购Information......................................................................................................................................2

产品型号..................................................................................................................................................2

引脚配置.........................................................................................................................................3

电动Specifications.................................................................................................................................5

框图.............................................................................................................................................28

针Function.................................................................................................................................................29

命令操作...................................................................................................................................31

简化的状态图.............................................................................................................................39

DDR2 SDRAM的操作........................................................................................................................40

包装图........................................................................................................................................77

推荐焊接Conditions..........................................................................................................79

EO

初步数据表E0948E30 （版本3.0 ）

L

Pr

od

uc

t

4

EDE2508ACSE ， EDE2516ACSE

电气规格

所有电压参考VSS （ GND）

正确的设备运行达到之前执行开机和初始化序列。

绝对最大额定值

参数

电源电压

电源电压输出

电源电压为DLL

输入电压

符号

VDD

VDDQ

VDDL

VIN

VOUT

TSTG

PD

IOUT

等级

1.0

到2.3

0.5

到2.3

0.5

to

+2.3

0.5

到2.3

0.5

到2.3

55

+100

1.0

50

单位

V

V

V

V

V

°C

W

mA

笔记

1

1

1

1

1

1, 2

1

1

EO

输出电压

储存温度

功耗

短路输出电流

注意事项： 1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏

该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他

超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光

在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。

2.储存温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。

L

符号

TC

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

工作温度条件

参数

工作温度

注意事项： 1.工作温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。

2.支持0 ° C至+ 85°C ，带AC和DC规格。

支持0 ° C至+ 85°C ，并能扩展到+ 95°C ，在加倍自动刷新命令

频率为32ms的周期（ tREFI = 3.9μs ），并经由A7 "1"于较高温度的自刷新进入

EMRS （2） 。

初步数据表E0948E30 （版本3.0 ）

Pr

等级

0至+95

单位

°C

笔记

1, 2

od

5

uc

t