初步数据表

256M位DDR2 SDRAM

EDE2508ABSE （ 32M字

×

8比特）

EDE2516ABSE （ 16M字

×

16比特）

描述

该EDE2508ABSE是256M比特的DDR2 SDRAM

组织为8,388,608字

×

8位

×

4银行。

它被包装在60球FBGA （ μBGA

）封装。

该EDE2516ABSE是256M比特的DDR2 SDRAM

组织为4,194,304字

×

16位

×

4银行。

它被包装在84球FBGA （ μBGA ）封装。

特点

电源： VDD ， VDDQ

=

1.8V

±

0.1V

双倍数据速率的架构：每两次数据传输

时钟周期

双向，差分数据选通（ DQS和

/ DQS ）被发送/与数据接收的，所用

在接收器采集数据

DQS是边沿与数据一致的内容如下：中心 -

与写入的数据一致

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

命令中输入的每个正CK边缘：数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

四大银行内部的并发操作

数据掩码（DM）写入数据

突发长度： 4,8

/ CAS延迟（ CL ） ： 4,5

对于每一个突发访问自动预充电操作

自动刷新和自刷新模式

平均更新周期

7.8μs在0℃下

≤

TC

≤ +85°C

在3.9μs

+ 85°C <

TC

≤ +95°C

SSTL_18兼容的I / O

通过可编程附加延迟中科院发布

更好的命令和数据总线效率

片外驱动器阻抗调整和在复模机

终止更好的信号质量

可编程RDQS ， / RDQS输出制作

×

8

组织相容

×

4机构

/ DQS （ / RDQS ）可用于单端被禁用

数据选通操作。

FBGA （ μBGA ）封装无铅焊料

（锡 - 银 - 铜）

一号文件E0573E30 （版本3.0 ）

发布日期2005年5月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面，公司2004-2005年

EDE2508ABSE ， EDE2516ABSE

订购信息

产品型号

EDE2508ABSE-6C-E

EDE2508ABSE-6E-E

EDE2508ABSE-5C-E

EDE2516ABSE-6C-E

EDE2516ABSE-6E-E

EDE2516ABSE-5C-E

面膜

VERSION

B

组织

（字

×

位）

32M

×

8

国内

银行

4

速度斌

（ CL - tRCD的-TRP ）

DDR2-667 （ 4-4-4 ）

DDR2-667 （ 5-5-5 ）

DDR2-533 （ 4-4-4 ）

DDR2-667 （ 4-4-4 ）

DDR2-667 （ 5-5-5 ）

DDR2-533 （ 4-4-4 ）

包

60球FBGA （ μBGA ）

16M

×

16

84球FBGA （ μBGA ）

产品型号

D E 25 08 A B SE - 6C - é

尔必达内存

TYPE

D：单片器件

产品系列

E： DDR2

环境法规

E：无铅

密度/银行

25 ： 256MB / 4银行

组织

08: x8

16: x16

电源，接口

答： 1.8V ， SSTL_18

速度

6C ： DDR2-667 （ 4-4-4 ）

6E ： DDR2-667 （ 5-5-5 ）

5C ： DDR2-533 （ 4-4-4 ）

包

SE ： FBGA （ μBGA与封底）

牧师死亡

初步数据表E0573E30 （版本3.0 ）

2

EDE2508ABSE ， EDE2516ABSE

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

60球FBGA （ μBGA ）

（ × 8的组织）

1

A

VDD

NU / / RDQS

VSS

B

DQ6

C

VDDQ

D

DQ4

E

VDDL VREF

F

CKE

G

NC

H

A10

J

VSS

K

L

VDD

A12

NC

（ TOP VIEW ）

N

VSS

P

A7

R

VDD

A12

NC

NC

NC

A9

A11

A8

VSS

A3

A5

A6

A4

NC

NC

A3

A7

A5

A9

A6

A11

A4

A8

VSS

A1

A2

A0

VDD

BA0

BA1

/ CAS

/ CS

/ WE

/ RAS

/ CK

ODT

VSS

VSSDL

CK

VDD

F

DQ6

G

VDDQ

H

DQ4

J

VDDL VREF

K

CKE

L

NC

M

A10

A1

A2

A0

VDD

BA0

BA1

/ CAS

/ CS

/ WE

/ RAS

/ CK

ODT

VSS

VSSDL

CK

VDD

VSSQ

DQ3

DQ2

VSSQ

DQ5

DQ1 VDDQ

VDDQ

DQ0

VDDQ

VSSQ

LDM

LDQS VSSQ

DQ7

VSSQ

DQ3

DQ2

VSSQ

DQ5

E

VDD

NC

VSS

VSSQ / LDQS VDDQ

DQ1 VDDQ

VDDQ

DQ0

VDDQ

D

VSSQ

DM / RDQS

的DQ

VSSQ

DQ7

C

VDDQ

DQ9 VDDQ

VDDQ

DQ8

VDDQ

VSSQ / DQS VDDQ

2

3

7

8

9

A

VDD

B

DQ14 VSSQ UDM

UDQS VSSQ DQ15

NC

VSS

VSSQ / UDQS VDDQ

1

2

84球FBGA （ μBGA ）

（ × 16组织）

3

7

8

9

DQ12 VSSQ DQ11

DQ10 VSSQ DQ13

（ TOP VIEW ）

引脚名称

A0到A12

BA0 ， BA1

DQ0到DQ15

DQS ， / DQS

UDQS ， / UDQS

LDQS ， / LDQS

RDQS ， / RDQS

/ CS

/ RAS ， / CAS ， / WE

CKE

CK ， / CK

DM ， UDM ， LDM

功能

地址输入

BANK SELECT

数据输入/输出

差分数据选通信号

差分数据选通信号读

芯片选择

命令输入

时钟使能

差分时钟输入

写数据面膜

引脚名称

ODT

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VREF

VDDL

VSSDL

NC *

NU *

1

2

功能

ODT控制

电源电压为内部电路

地上的内部电路

电源电压为DQ电路

地面DQ电路

输入参考电压

电源电压为DLL电路

地面的DLL电路

无连接

不可用

注意事项： 1.不与内部芯片连接。

2.不要使用除保留功能。

初步数据表E0573E30 （版本3.0 ）

3

EDE2508ABSE ， EDE2516ABSE

目录

Description.....................................................................................................................................................1

Features.........................................................................................................................................................1

订购Information......................................................................................................................................2

产品型号..................................................................................................................................................2

引脚配置.........................................................................................................................................3

电动Specifications.................................................................................................................................5

框图.............................................................................................................................................15

针Function.................................................................................................................................................16

命令操作...................................................................................................................................18

简化的状态图.............................................................................................................................25

DDR2 SDRAM的操作........................................................................................................................26

包装图........................................................................................................................................62

推荐焊接Conditions..........................................................................................................64

初步数据表E0573E30 （版本3.0 ）

4

EDE2508ABSE ， EDE2516ABSE

电气规格

所有电压参考VSS （ GND）

正确的设备运行达到之前执行开机和初始化序列。

绝对最大额定值

参数

电源电压

电源电压输出

电源电压为DLL

输入电压

输出电压

储存温度

功耗

短路输出电流

符号

VDD

VDDQ

VDDL

VIN

VOUT

TSTG

PD

IOUT

等级

1.0

to

+2.3

0.5

to

+2.3

0.5

to

+2.3

0.5

to

+2.3

0.5

to

+2.3

55

to

+100

1.0

50

单位

V

V

V

V

V

°C

W

mA

笔记

1

1

1

1

1

1, 2

1

1

注意事项： 1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏

该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他

超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光

在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。

2.储存温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

工作温度条件

参数

工作温度

符号

TC

等级

0

+95

单位

°C

笔记

1, 2

注意事项： 1.工作温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。

2.支持0 ° C至+ 85°C ，带AC和DC规格。

支持0 ° C至+ 85°C ，并能扩展到+ 95°C ，在加倍自动刷新命令

频率为32ms的周期（ tREFI = 3.9μs ），并经由A7 "1"于较高温度的自刷新进入

EMRS （2） 。

初步数据表E0573E30 （版本3.0 ）

5