初步数据表

512M比特DDR SDRAM

高品质产品

EDD5116AFTA -H （ 32M字

×

16比特）

特定网络阳离子

密度： 512M位

组织

8M字

×

16位

×

4银行

封装： 66引脚塑料TSOP （ II ）

无铅（符合RoHS）

电源：

DDR400 ： VDD ， VDDQ

=

2.6V

±

0.1V

DDR333 ： VDD ， VDDQ

=

2.5V

±

0.2V

数据传输速率： 400Mbps的/ 333Mbps （最大）

四大银行内部的并发操作

接口： SSTL_2

脉冲串长度（BL） ： 2，4， 8

突发类型（BT） ：

顺序（ 2，4， 8）

交织（ 2，4， 8）

/ CAS延迟（CL） ： 2 ，2.5％， 3

预充电：对于每个突发自动预充电选项

ACCESS

驱动力：正常/弱

刷新：自动刷新，自刷新

刷新周期： 8192次/ 64ms的

平均更新周期： 7.8μs

工作环境温度范围

TA = 0°C至+ 70°C

特点

双倍数据速率体系结构;两种数据传输每

时钟周期

高速数据传输是通过2位来实现

预取流水线结构

双向数据选通（ DQS）被发送

/接收的数据，并在接收捕获数据

数据的输入，输出和DM与同步

的DQ

DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点

与写入的数据一致

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

命令中输入的每个正CK边缘;数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

数据掩码（DM）写入数据

一号文件E0957E30 （版本3.0 ）

发布日期2006年11月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面， 2006年公司

EDD5116AFTA-H

订购信息

产品型号

EDD5116AFTA-5BH-E

EDD5116AFTA-6BH-E

面膜

VERSION

F

组织

（字

×

位）

32M

×

16

国内

银行

数据速率

Mbps的（最大）

400

333

JEDEC速度斌

（ CL - tRCD的-TRP ）

DDR400B （ 3-3-3 ）

DDR333B （ 2.5-3-3 ）

包

66引脚塑料

TSOP （II）的

产品型号

D D 51 16 A F TA - 5B - é

尔必达内存

环境法规

E：无铅

（符合RoHS ）

详细信息

H：高品质

速度

5B ： DDR400B （ 3-3-3 ）

6B ： DDR333B （ 2.5-3-3 ）

包

TA ： TSOP （ II ）

牧师死亡

TYPE

D：单片器件

产品系列

D： DDR SDRAM

密度/银行

51 ： 512M / 4银行

组织

16: x16

电源，接口

答： 2.5V ， SSTL_2

速度等级的兼容性

速度等级

-5B

-6B

下行速度等级的兼容性

-5B

DDR400B （ 3-3-3 ）

-5C

DDR400C （ 3-4-4 ）

-6B

DDR333B （ 2.5-3-3 ）

-6B

DDR333B （ 2.5-3-3 ）

-7A

DDR266A （ 2-3-3 ）

-7A

DDR266A （ 2-3-3 ）

-7B

DDR266B （ 2.5-3-3 ）

-7B

DDR266B （ 2.5-3-3 ）

初步数据表E0957E30 （版本3.0 ）

2

EDD5116AFTA-H

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

66引脚塑料TSOP （ II ）

VDD

DQ0

VDDQ

DQ1

DQ2

VSSQ

DQ3

DQ4

VDDQ

DQ5

DQ6

VSSQ

DQ7

NC

VDDQ

LDQS

NC

VDD

NC

LDM

/ WE

/ CAS

/ RAS

/ CS

NC

BA0

BA1

A10(AP)

A0

A1

A2

A3

VDD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

（ TOP VIEW ）

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

VSS

DQ15

VSSQ

DQ14

DQ13

VDDQ

DQ12

DQ11

VSSQ

DQ10

DQ9

VDDQ

DQ8

NC

VSSQ

UDQS

NC

VREF

VSS

UDM

/ CK

CK

CKE

NC

A12

A11

A9

A8

A7

A6

A5

A4

VSS

引脚名称

A0到A12

BA0 ， BA1

DQ0到DQ15

LDQS ， UDQS

/ CS

/ RAS

/ CAS

/ WE

UDM ， LDM

功能

地址输入

银行选择地址

数据输入/输出

输入和输出数据选通

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

写使能

输入掩码

引脚名称

CK

/ CK

CKE

VREF

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

NC

功能

时钟输入

差分时钟输入

时钟使能

输入参考电压

电源内部电路

地上的内部电路

电源电路DQ

地面DQ电路

无连接

初步数据表E0957E30 （版本3.0 ）

3

EDD5116AFTA-H

目录

Specifications.................................................................................................................................................1

Features.........................................................................................................................................................1

订购Information......................................................................................................................................2

产品型号..................................................................................................................................................2

速度等级Compatibility............................................................................................................................2

引脚配置.........................................................................................................................................3

电动Specifications.................................................................................................................................5

框图.............................................................................................................................................13

针Function.................................................................................................................................................14

命令操作...................................................................................................................................16

简化的状态图.............................................................................................................................23

在DDR SDRAM中运行....................................................................................................................24

定时Waveforms.......................................................................................................................................43

包装图........................................................................................................................................49

推荐焊接Conditions..........................................................................................................50

初步数据表E0957E30 （版本3.0 ）

4

EDD5116AFTA-H

电气规格

所有电压参考VSS （ GND） 。

上电后，等待超过200微秒，然后，在序列和CBR （自动）执行开机前更新

实现器件正常工作。

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于VSS的电压

电源电压相对于Vss

短路输出电流

功耗

工作环境温度

储存温度

符号

VT

VDD

IOS

PD

TA

TSTG

等级

-1.0到+3.6

-1.0到+3.6

50

1.0

0至+70

-55到+125

单位

V

V

mA

W

°C

°C

记

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

推荐工作条件（ TA = 0 ° C至+ 70 ° C）

参数

电源电压

符号

VDD ， VDDQ

VDD ， VDDQ

VSS ， VSSQ

输入参考电压

终止电压

输入高电压

输入低电压

VREF

VTT

VIH （DC）的

VIL （DC）的

速度

DDR400

DDR333

分钟。

2.5

2.3

0

0.49

×

VDDQ

VREF - 0.04

VREF + 0.15

–0.3

–0.3

0.5

×

VDDQ

0.2V

0.36

典型值。

2.6

2.5

0

0.50

×

VDDQ

VREF

—

—

—

0.5

×

VDDQ

—

马克斯。

2.7

2.7

0

0.51

×

VDDQ

VREF + 0.04

VDDQ + 0.3

VREF - 0.15

VDDQ + 0.3

0.5

×

VDDQ +

0.2V

VDDQ + 0.6

单位

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

5, 6

2

3

4

笔记

1

1

输入电压电平，

VIN （DC）的

CK和/ CK投入

输入差分交叉点

VIX （ DC ）

电压，CK和/ CK的输入端

输入差分电压，

VID （DC）的

CK和/ CK投入

注：1 。

2.

3.

4.

5.

6.

VDDQ必须小于或等于VDD。

VIH被允许超过VDD上升到3.6V的时间短于或等于5ns的。

VIL允许外展低于VSS下降到-1.0V的期间短于或等于5ns的。

VIN （ DC）指定各差分输入的允许直流偏移。

VID （直流）指定需要用于切换输入的差分电压。

VIH （ CK ）分以上假设VREF + 0.18V ， VIL （ CK ）下的最大VREF假设 - 0.18V

如果测量。

初步数据表E0957E30 （版本3.0 ）

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