数据表

512M比特DDR SDRAM

EDD5108AFTA - 5 （ 64M字

×

8位， DDR 400 ）

EDD5116AFTA - 5 （ 32M字

×

16位， DDR 400 ）

描述

该EDD5108AFTA和EDD5116AFTA是512M

位的双倍数据速率（ DDR） SDRAM组织成

16777216词

×

8位

×

4银行8,388,608

WORDS

×

16位

×

4银行分别。阅读和

写入操作时，在交叉点进行

在CK和/ CK 。这种高速数据传输是

由2位预取流水线架构实现。

数据选通（DQS ），既用于读操作，写操作可用

用于高速和可靠的数据总线设计。通过设置

扩展模式寄存器中，芯片上的延迟锁定

回路（ DLL） ，可设置启用或禁用。他们是

封装在标准的66引脚塑料TSOP （ II ） 。

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

66引脚塑料TSOP （ II ）

VDD

VDD

DQ0

DQ0

VDDQ VDDQ

NC

DQ1

DQ1

DQ2

VSSQ VSSQ

NC

DQ3

DQ2

DQ4

VDDQ VDDQ

NC

DQ5

DQ3

DQ6

VSSQ VSSQ

NC

DQ7

NC

NC

VDDQ VDDQ

NC LDQS

NC

NC

VDD

VDD

NC

NC

NC

LDM

/ WE

/ WE

/ CAS

/ CAS

/ RAS

/ RAS

/ CS

/ CS

NC

NC

BA0

BA0

BA1

BA1

A10 （AP ）， A10 （ AP）

A0

A0

A1

A1

A2

A2

A3

A3

VDD

VDD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

VSS VSS

DQ15 DQ7

VSSQ VSSQ

DQ14 NC

DQ13 DQ6

VDDQ VDDQ

DQ12 NC

DQ11 DQ5

VSSQ VSSQ

DQ10 NC

DQ9 DQ4

VDDQ VDDQ

DQ8 NC

NC

NC

VSSQ VSSQ

UDQS DQS

NC

NC

VREF VREF

VSS VSS

UDM DM

/ CK / CK

CK

CK

CKE CKE

NC

NC

A12 A12

A11 A11

A9

A9

A8

A8

A7

A7

A6

A6

A5

A5

A4

A4

VSS VSS

特点

电源： VDD ， VDDQ = 2.6V

±

0.1V

数据传输速率： 400Mbps的（最大）

双倍数据速率的架构;两种数据传输每

时钟周期

双向数据选通（ DQS）被发送

/接收的数据，并在接收捕获数据

数据的输入，输出和DM与同步

的DQ

4个内部银行的并发操作

DQS是边沿与读取数据对齐的;中心

与写入的数据一致

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

命令中输入的每个正CK边缘;数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

数据掩码（DM）写入数据

自动预充电选项为每个突发访问

SSTL_2兼容的I / O

可编程的脉冲串长度（BL） ： 2，4， 8

可编程/ CAS延迟（ CL ） ： 3

可编程输出驱动强度：正常/弱

刷新周期： 8192刷新周期/ 64ms的

7.8μs最大平均周期刷新间隔

刷新2变化

自动刷新

自刷新

TSOP （ II ）封装，无铅焊料（锡铋）

符合RoHS

一号文件E0741E20 （版本2.0 ）

发布日期2005年10月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

X 16

X8

（ TOP VIEW ）

A0到A12

BA0 ， BA1

DQ0到DQ15

DQS ， LDQS ， UDQS

/ CS

/ RAS

/ CAS

/ WE

DM ， LDM ， UDM

CK

/ CK

CKE

VREF

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

NC

地址输入

银行选择地址

数据输入/输出

输入和输出数据选通

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

写使能

输入掩码

时钟输入

差分时钟输入

时钟使能

输入参考电压

电源内部电路

地上的内部电路

电源电路DQ

地面DQ电路

无连接

Elpida

内存方面， 2005年公司

EDD5108AFTA -5， EDD5116AFTA -5-

订购信息

产品型号

EDD5108AFTA-5B-E

EDD5108AFTA-5C-E

EDD5116AFTA-5B-E

EDD5116AFTA-5C-E

面膜

VERSION

F

组织

（字

×

位）

64M

×

8

32M

×

16

国内

银行

4

数据速率

Mbps的（最大）

400

JEDEC速度斌

（ CL - tRCD的-TRP ）

DDR400B （ 3-3-3 ）

DDR400C （ 3-4-4 ）

DDR400B （ 3-3-3 ）

DDR400C （ 3-4-4 ）

包

66引脚塑料

TSOP （II）的

产品型号

D D 51 08 A F TA - 5B - é

尔必达内存

环境法规

E：无铅

TYPE

D：单片器件

产品系列

D： DDR SDRAM

密度/银行

51 ： 512M / 4银行

组织

08: x8

16: x16

电源，接口

答： 2.5V ， SSTL_2

速度

5B ： DDR400B （ 3-3-3 ）

5C ： DDR400C （ 3-4-4 ）

包

TA ： TSOP （ II ）

牧师死亡

数据表E0741E20 （版本2.0 ）

2

EDD5108AFTA -5， EDD5116AFTA -5-

目录

Description.....................................................................................................................................................1

Features.........................................................................................................................................................1

引脚配置.........................................................................................................................................1

订购Information......................................................................................................................................2

产品型号..................................................................................................................................................2

电动Specifications.................................................................................................................................4

框图.............................................................................................................................................10

针Function.................................................................................................................................................11

命令操作...................................................................................................................................13

简化的状态图.............................................................................................................................20

在DDR SDRAM中运行....................................................................................................................21

定时Waveforms.......................................................................................................................................39

包装图........................................................................................................................................45

推荐焊接Conditions..........................................................................................................46

数据表E0741E20 （版本2.0 ）

3

EDD5108AFTA -5， EDD5116AFTA -5-

电气规格

所有电压参考VSS （ GND） 。

上电后，等待超过200微秒，然后，在序列和CBR （自动）执行开机前更新

实现器件正常工作。

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于VSS的电压

电源电压相对于Vss

短路输出电流

功耗

工作环境温度

储存温度

符号

VT

VDD

IOS

PD

TA

TSTG

等级

-1.0到+3.6

-1.0到+3.6

50

1.0

0至+70

-55到+125

单位

V

V

mA

W

°C

°C

记

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

推荐工作条件（ TA = 0 ° C至+ 70 ° C）

参数

电源电压

符号

VDD ，

VDDQ

VSS ，

VSSQ

VREF

VTT

VIH （DC）的

VIL （DC）的

VIN （DC）的

VIX （ DC ）

VID （DC）的

分钟。

2.5

0

0.49

×

VDDQ

VREF - 0.04

VREF + 0.15

–0.3

–0.3

0.5

×

VDDQ

0.2V

0.36

典型值。

2.6

0

0.50

×

VDDQ

VREF

—

—

—

0.5

×

VDDQ

—

马克斯。

2.7

0

0.51

×

VDDQ

VREF + 0.04

VDDQ + 0.3

VREF - 0.15

VDDQ + 0.3

单位

V

V

V

V

V

V

V

2

3

4

笔记

1

输入参考电压

终止电压

输入高电压

输入低电压

输入电压电平，

CK和/ CK投入

输入差分交叉点

电压，CK和/ CK的输入端

输入差分电压，

CK和/ CK投入

0.5

×

VDDQ + 0.2V V

VDDQ + 0.6

V

5, 6

注：1 。

2.

3.

4.

5.

6.

VDDQ必须小于或等于VDD。

VIH被允许超过VDD上升到3.6V的时间短于或等于5ns的。

VIL允许外展低于VSS下降到-1.0V的期间短于或等于5ns的。

VIN （ DC ）指定一个允许直流执行每个差分输入。

VID （直流）指定需要用于切换输入的差分电压。

VIH （ CK ）分以上假设VREF + 0.18V ， VIL （ CK ）下的最大VREF假设 - 0.18V

如果测量。

数据表E0741E20 （版本2.0 ）

4

EDD5108AFTA -5， EDD5116AFTA -5-

直流特性1 （ TA = 0 ° C至+ 70 ° C， VDD ， VDDQ = 2.6V ± 0.1V ， VSS ， VSSQ = 0V）

马克斯。

参数

工作电流（ ACT-

PRE ）

工作电流

（ ACT - READ - PRE ）

闲置功耗降低待机

当前

符号

IDD0

IDD1

IDD2P

GRADE

×

8

120

160

5

30

25

30

60

215

215

220

5

400

×

16

120

160

5

30

25

30

60

215

215

220

5

400

单位

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

测试条件

笔记

CKE

≥

VIH ，

1, 2, 9

的tRC =的tRC （分钟）

CKE

≥

VIH， BL = 4 ，CL = 3，

1, 2, 5

的tRC =的tRC （分钟）

CKE

≤

VIL

CKE

≥

VIH ， / CS

≥

VIH

DQ ， DQS ， DM = VREF

CKE

≥

VIH ， / CS

≥

VIH

DQ ， DQS ， DM = VREF

CKE

≤

VIL

CKE

≥

VIH ， / CS

≥

VIH

tRAS的= tRAS的（最大）

4

4, 5

4, 10

3

3, 5, 6

浮动空闲待机电流IDD2F

安静的空闲待机电流

IDD2Q

主动关闭电源待机

IDD3P

当前

主动待机电流

工作电流

（突发读取操作）

工作电流

（突发写操作）

自动刷新当前

自刷新电流

工作电流

（ 4银行交织）

IDD3N

IDD4R

IDD4W

IDD5

IDD6

IDD7A

CKE

≥

VIH ，BL = 2， CL = 3 1，2， 5,6

CKE

≥

VIH ，BL = 2， CL = 3 1，2， 5,6

tRFC = tRFC （分钟） ，

输入

≤

VIL或

≥

VIH

输入

≥

VDD - 0.2 V

输入

≤

0.2 V

BL = 4

1, 5, 6, 7

注：1.这些IDD数据条件下， DQ引脚没有连接下测得的。

2.一家银行的操作。

3.一家银行主动。

4.所有的银行闲置。

5.命令/地址转换一次每一个时钟周期。

6. DQ ， DM和DQS过渡两次每一个时钟周期。

7.4银行主动。只有一个银行的的tRC = tRC的运行（分钟）

8.在该表上的IDD数据测量关于TCK = TCK （分钟）的总称。

9.命令/地址转换一次，每两个时钟周期。

10.命令/地址稳定在

≥

VIH或

≤

VIL 。

直流特性2 （ TA = 0 ° C至+ 70 ° C， VDD ， VDDQ = 2.6V ± 0.1V ， VSS ， VSSQ = 0V）

参数

输入漏电流

输出漏电流

输出高电流

输出低电流

符号

ILI

国际劳工组织

IOH

IOL

分钟。

–2

–5

–15.2

15.2

马克斯。

2

5

—

—

单位

A

A

mA

mA

测试条件

VDD

≥

VIN

≥

VSS

VDDQ

≥

VOUT

≥

VSS

VOUT = 1.95V

VOUT = 0.35V

笔记

数据表E0741E20 （版本2.0 ）

5