初步数据表
512M DDR位移动RAM
WTR （宽温度范围）
EDD51161DBH -TS （ 32M字
×
16比特）
特定网络阳离子
密度： 512M位
组织： 8M字
×
16位
×
4银行
包装： 60球FBGA
无铅（符合RoHS）和无卤素
电源： VDD ， VDDQ
=
1.7V至1.95V
数据传输速率： 400Mbps的/ 333Mbps （最大）
2KB页大小
行地址： A0到A12
列地址： A0到A9
四大银行内部的并发操作
接口： LVCMOS
脉冲串长度（BL） ： 2，4， 8
突发类型（BT） ：
顺序（ 2，4， 8）
交织（ 2，4， 8）
/ CAS延迟（ CL ） ： 3
预充电：对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
驱动力：正常， 1/2，1/4
刷新：自动刷新，自刷新
刷新周期： 8192次/ 64ms的
平均更新周期： 7.8μs
工作环境温度范围
TA =
25°C
至+ 85°C
特点
DLL未实现
低功耗
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
一个时钟周期
高速数据传输是通过2位来实现
预取流水线结构
双向数据选通（ DQS）被发送
/接收的数据，并在接收捕获数据。
数据的输入，输出和DM与同步
的DQ
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
命令中输入的每个正CK边缘：数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码（DM）写入数据
突发终止突发停止命令和
预充电命令
工作温度范围宽
TA =
25°C
至+ 85°C
不支持低于低功耗功能是
帕塔尔阵列自刷新（ PASR ）
自动温度补偿自刷新
深度掉电模式
一号文件E1453E20 （版本2.0 ）
发布日期2009年10月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面， 2009年公司
EDD51161DBH-TS
订购信息
产品型号
EDD51161DBH-5BTS-F
EDD51161DBH-6ETS-F
DIE
调整
D
组织
（字
×
位）
32M
×
16
国内
银行
4
数据速率
Mbps的（最大）
400
333
/ CAS延时
3
3
包
60球FBGA
产品型号
D D 51 16 1个D BH - 5B TS - F
尔必达内存
环境法规
F：无铅（符合RoHS）
和无卤
详细规格
TS ： WTR （
-
25
°
C至+ 85
°
C)
TYPE
D：单片器件
产品系列
D： DDR RAM手机
密度/银行
51 ： 512MB / 4银行
组织
16: x16
电源，接口
1 ： 1.8V ， LVCMOS ， W / O型低功耗功能
速度
5B ： DDR400 （ 3-3-3 ）
6E ： DDR333 （ 3-3-3 ）
包
BH ： FBGA
牧师死亡
初步数据表E1453E20 （版本2.0 ）
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EDD51161DBH-TS
目录
Specifications.................................................................................................................................................1
Features.........................................................................................................................................................1
订购Information......................................................................................................................................2
产品型号..................................................................................................................................................2
引脚配置.........................................................................................................................................3
电动Specifications.................................................................................................................................5
框图.............................................................................................................................................12
针Function.................................................................................................................................................13
命令操作...................................................................................................................................15
简化的状态图.............................................................................................................................21
在DDR内存的移动操作.............................................................................................................22
定时Waveforms.......................................................................................................................................46
包装图........................................................................................................................................55
推荐焊接Conditions..........................................................................................................56
初步数据表E1453E20 （版本2.0 ）
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EDD51161DBH-TS
电气规格
所有电压参考VSS （ GND） 。
上电后，等待超过200微秒，然后，在序列和CBR （自动）执行开机前更新
实现器件正常工作。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
VT
VDD
IOS
PD
TA
TSTG
等级
-0.5到+2.3
-0.5到+2.3
50
1.0
-25至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
记
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件（ TA =
25°C
至+ 85°C ）
参数
电源电压
引脚
符号
VDD ，
VDDQ
VSS ，
VSSQ
所有其他输入VIH
引脚
CK ， / CK
VIL
VIN （DC）的
VIX
VID （DC）的
VID （AC）的
DQ ， DM ， DQS VIHD （ DC ）
Vild （直流）
VIHD （AC）的
VILD （AC）的
分钟。
1.7
0
0.8
×
VDDQ
–0.3
–0.3
0.4
×
VDDQ
0.4
×
VDDQ
0.6
×
VDDQ
0.7 × VDDQ
–0.3
0.8 × VDDQ
–0.3
典型值。
1.8
0
—
—
—
马克斯。
1.95
0
VDDQ + 0.3
0.2
×
VDDQ
VDDQ + 0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
6
5
5
笔记
1
输入高电压
输入低电压
直流输入电压电平
AC输入微分截面
点电压
直流输入电压差
AC输入电压差
DC输入高电压
DC输入低电压
交流输入高电压
AC输入低电压
0.5
×
VDDQ 0.6
×
VDDQ
—
—
—
—
—
—
VDDQ + 0.6
VDDQ + 0.6
VDDQ + 0.3
0.3
×
VDDQ
VDDQ + 0.3
0.2
×
VDDQ
注：1 。
2.
3.
4.
5.
VDDQ必须等于VDD。
VIH （最大） = 2.3V （脉冲宽度
≤
5ns).
VIL （分钟） = -0.5V （脉冲宽度
≤
5ns).
简称VSS和VSSQ所有的电压必须是相同的电势。
VID （DC）和VID （AC）是关于CK的输入电平与输入之间的差的量值
上/ CK水平。
6. VIX的值预计为0.5
×
VDDQ和必须跟踪变化的相同的DC电平。
初步数据表E1453E20 （版本2.0 ）
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