初步数据表

256M比特DDR SDRAM

具有超强的自刷新

EDD2516KCTA -SI （ 16M字

×

16比特）

特定网络阳离子

密度： 256M位

组织

4M字

×

16位

×

4银行

封装： 66引脚塑料TSOP （ II ）

无铅（符合RoHS）

电源： VDD ， VDDQ

=

2.5V

±

0.2V

数据传输速率： 333Mbps / 266Mbps （最大）

四大银行内部的并发操作

接口： SSTL_2

脉冲串长度（BL） ： 2，4， 8

突发类型（BT） ：

顺序（ 2，4， 8）

交织（ 2，4， 8）

/ CAS延迟（ CL ） ： 2,2.5

预充电：对于每个突发自动预充电操作

ACCESS

驱动力：正常/弱

刷新：自动刷新，超强的自我更新与汽车

温度补偿自刷新（ ATCSR ）

功能

刷新周期： 8192次/ 64ms的

平均更新周期： 7.8μs

工作环境温度范围

TA =

40°C

至+ 85°C

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

66引脚塑料TSOP （ II ）

VDD

DQ0

VDDQ

DQ1

DQ2

VSSQ

DQ3

DQ4

VDDQ

DQ5

DQ6

VSSQ

DQ7

NC

VDDQ

LDQS

SF

VDD

NC

LDM

/ WE

/ CAS

/ RAS

/ CS

NC

BA0

BA1

A10(AP)

A0

A1

A2

A3

VDD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

VSS

DQ15

VSSQ

DQ14

DQ13

VDDQ

DQ12

DQ11

VSSQ

DQ10

DQ9

VDDQ

DQ8

NC

VSSQ

UDQS

NC

VREF

VSS

UDM

/ CK

CK

CKE

NC

A12

A11

A9

A8

A7

A6

A5

A4

VSS

EO

特点

双倍数据速率体系结构;两种数据传输每

时钟周期

高速数据传输是通过2位来实现

预取流水线结构

双向数据选通（ DQS）被发送

/接收的数据，并在接收捕获数据

DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点

与写入的数据一致

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

命令中输入的每个正CK边缘;数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

数据掩码（DM）写入数据

SSR标记功能，可

一号文件E0555E40 （版本4.0 ）

发布日期2005年12月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

L

od

Pr

A0到A12

BA0 ， BA1

DQ0到DQ15

（ TOP VIEW ）

UDQS / LDQS

/ CS

/ RAS

/ CAS

/ WE

UDM / LDM

CK

/ CK

CKE

VREF

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

NC

SF

地址输入

银行选择地址

数据输入/输出

输入和输出数据选通

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

写使能

输入掩码

时钟输入

差分时钟输入

时钟使能

输入参考电压

电源内部电路

地上的内部电路

电源电路DQ

地面DQ电路

无连接

SSR标记

本产品成为了EOL的， 2007年4月。

Elpida

内存方面，公司2004-2005年

t

uc

EDD2516KCTA-SI

订购信息

产品型号

EDD2516KCTA-6BSI-E

EDD2516KCTA-7ASI-E

EDD2516KCTA-7BSI-E

面膜

VERSION

C

组织

（字

×

位）

16M

×

16

国内

银行

4

数据速率

Mbps的（最大）

333

266

266

JEDEC速度斌

（ CL - tRCD的-TRP ）

DDR333B （ 2.5-3-3 ）

DDR266A （ 2-3-3 ）

DDR266B （ 2.5-3-3 ）

包

66引脚塑料

TSOP （II）的

产品型号

E D D 25 16 K C的TA - 6B SI - é

尔必达内存

EO

TYPE

D：单片器件

产品编号

D： DDR SDRAM

密度/银行

25 ： 256M / 4银行

位组织

16: x16

电压，接口

K： 2.5V ， SSTL_2 ，超强的自我更新与SSR标记

初步数据表E0555E40 （版本4.0 ）

环境法规

E：无铅

规格。细节

SI ： WTR （ -40 ° C至85°C ）

速度

6B ： DDR333B （ 2.5-3-3 ）

7A ： DDR266A （ 2-3-3 ）

7B ： DDR266B （ 2.5-3-3 ）

包

TA ： TSOP （ II ）

牧师死亡

L

od

Pr

t

uc

2

EDD2516KCTA-SI

目录

产品规格................................................................................................................................................ 1

产品特点........................................................................................................................................................ 1

针Configurations......................................................................................................................................... 1

订购信息..................................................................................................................................... 2

部分Number.................................................................................................................................................. 2

电气规格................................................................................................................................ 4

块Diagram............................................................................................................................................. 11

引脚功能................................................................................................................................................ 12

命令Operation................................................................................................................................... 14

简化的状态图............................................................................................................................ 21

在DDR SDRAM中运行................................................................................................................... 22

时序波形...................................................................................................................................... 42

包Drawing........................................................................................................................................ 49

推荐焊接条件......................................................................................................... 50

EO

初步数据表E0555E40 （版本4.0 ）

L

od

Pr

t

uc

3

EDD2516KCTA-SI

电气规格

所有电压参考VSS （ GND） 。

上电后，等待超过200微秒，然后，在序列和CBR （自动）执行开机前更新

实现器件正常工作。

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于VSS的电压

电源电压相对于Vss

短路输出电流

功耗

工作环境温度

储存温度

符号

VT

VDD

IOS

PD

TA

TSTG

等级

-1.0到+3.6

-1.0到+3.6

50

1.0

-40至+85

-55到+125

单位

V

V

mA

W

°C

°C

记

EO

参数

电源电压

输入参考电压

终止电压

输入高电压

输入低电压

输入电压电平，

CK和/ CK投入

输入差分交叉点

电压，CK和/ CK的输入端

输入差分电压，

CK和/ CK投入

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

建议的直流工作条件（ TA = -40+ 85°C ）

符号

VDD ，

VDDQ

VSS ，

VSSQ

VREF

VTT

分钟。

2.3

0

0.49

×

VDDQ

VREF - 0.04

典型值。

2.5

0

0.50

×

VDDQ

VREF

—

马克斯。

2.7

0

0.51

×

VDDQ

VREF + 0.04

VDDQ + 0.3

VREF - 0.15

单位

V

V

V

V

V

V

V

2

3

4

笔记

1

L

VIH （DC）的

VIL （DC）的

VIN （DC）的

VIX （ DC ）

VID （DC）的

od

Pr

VREF + 0.15

–0.3

—

–0.3

—

0.5

×

VDDQ

0.2V

0.36

0.5

×

VDDQ

—

VDDQ + 0.3

0.5

×

VDDQ + 0.2V V

VDDQ + 0.6

V

5, 6

注：1 。

2.

3.

4.

5.

6.

VDDQ必须小于或等于VDD。

VIH被允许超过VDD上升到3.6V的时间短于或等于5ns的。

VIL允许外展低于VSS下降到-1.0V的期间短于或等于5ns的。

VIN （ DC ）指定一个允许直流执行每个差分输入。

VID （直流）指定需要用于切换输入的差分电压。

VIH （ CK ）分以上假设VREF + 0.18V ， VIL （ CK ）下的最大VREF假设 - 0.18V

如果测量。

t

uc

初步数据表E0555E40 （版本4.0 ）

4

EDD2516KCTA-SI

直流特性1 （ TA = -40+ 85°C ， VDD ， VDDQ = 2.5V ± 0.2V ， VSS ， VSSQ = 0V）

马克斯。

参数

工作电流（ ACT-

PRE ）

工作电流

（ ACT - READ - PRE ）

闲置功耗降低待机

当前

符号

IDD0

IDD1

IDD2P

-6B

-7A ， -7B

-6B

-7A ， -7B

GRADE

-6B

-7A ， -7B

-6B

-7A ， -7B

×

16

110

100

140

130

3

35

30

30

25

20

-6B

-7A ， -7B

-6B

-7A ， -7B

-6B

-7A ， -7B

-6B

-7A ， -7B

55

50

205

180

205

180

200

175

250

单位

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

A

测试条件

笔记

CKE

≥

VIH ，

1, 2, 9

的tRC =的tRC （分钟）

CKE

≥

VIH ，BL = 4， CL = 2.5 ，

1, 2, 5

的tRC =的tRC （分钟）

CKE

≤

VIL

CKE

≥

VIH ， / CS

≥

VIH

DQ ， DQS ， DM = VREF

CKE

≥

VIH ， / CS

≥

VIH

DQ ， DQS ， DM = VREF

CKE

≤

VIL

CKE

≥

VIH ， / CS

≥

VIH

tRAS的= tRAS的（最大）

CKE

≥

VIH ，BL = 2，

CL = 2.5

CKE

≥

VIH ， BL = 2

CL = 2.5

tRFC = tRFC （分钟） ，

输入

≤

VIL或

≥

VIH

70℃ < TA

≤

85°C,

输入

≥

VDD - 0.2V ，

输入

≤

0.2V

TA

≤

70°C,

输入

≥

VDD - 0.2V ，

输入

≤

0.2V

TA = 25 ° C，典型状态

输入

≥

VDD - 0.2V ，

输入

≤

0.2V

输入

≥

VDD - 0.2V ，

输入

≤

0.2V

4

4, 5

4, 10

3

3, 5, 6

1, 2, 5, 6

1, 2, 5, 6

浮动空闲待机电流IDD2F

安静的空闲待机电流

主动关闭电源待机

当前

主动待机电流

工作电流

（突发读取操作）

工作电流

（突发写操作）

自动刷新当前

IDD2Q

IDD3P

IDD3N

IDD4R

IDD4W

IDD5

IDD6SSR

EO

超级自刷新电流

工作电流

（ 4银行交织）

注：1.这些IDD数据条件下， DQ引脚没有连接下测得的。

2.一家银行的操作。

3.一家银行主动。

4.所有的银行闲置。

5.命令/地址转换一次每一个时钟周期。

6. DQ ， DM和DQS过渡两次每一个时钟周期。

7.4银行主动。只有一个银行的的tRC = tRC的运行（分钟）

8.在该表上的IDD数据测量关于TCK = TCK （分钟）的总称。

9.命令/地址转换一次，每两个时钟周期。

10.命令/地址稳定在

≥

VIH或

≤

VIL 。

11. IDD6SSR与TA自动改变。

12. IDD6SSRENT是tSSRENT期间的平均电流。不要切换到低电流电源少

比tSSRENT期间IDD6SSRENT 。

13. IDD6SSREX是在“退出SSR ”的平均电流。采用大电流的电源有超过

在“退出SSR ” IDD6SSREX 。 。

仅供参考14.典型值。

初步数据表E0555E40 （版本4.0 ）

L

IDD6SSRPEAK

IDD6SSRENT

IDD6SSREX

IDD7A

-6B

-7A ， -7B

11, 15

150

A

11, 15

40

A

11, 14, 15

15

12

13

1, 5, 6, 7

od

Pr

3.5

3

mA

mA

250

mA

350

300

mA

BL = 4

t

uc

5