初步数据表

256M比特DDR SDRAM

EDD2508AMTA （ 32M字

×

8比特）

EDD2516AMTA （ 16M字

×

16比特）

描述

该EDD2508AM是256M位双数据速率

（ DDR ） SDRAM组织为8,388,608字

×

8位

×

4银行。该EDD2516AM是256M比特DDR

SDRAM组织为4,194,304字

×

16位

×

4

银行。读取和写入操作是在执行

交叉点的CK和/ CK的。这种高速

数据传输是通过2位预取流水线实现

架构。数据选通（DQS ），既用于读和

写可用于高速和可靠的数据总线

设计。通过设置扩展模式电阻，片上

延迟锁定环（DLL ），可以设置允许或禁止。

它们被封装在标准的66引脚塑料TSOP

(II).

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

66引脚塑料TSOP （ II ）

VDD

VDD

DQ0

DQ0

VDDQ VDDQ

NC

DQ1

DQ1

DQ2

VSSQ VSSQ

NC

DQ3

DQ2

DQ4

VDDQ VDDQ

NC

DQ5

DQ3

DQ6

VSSQ VSSQ

NC

DQ7

NC

NC

VDDQ VDDQ

NC LDQS

NC

NC

VDD

VDD

NC

NC

NC

LDM

/ WE

/ WE

/ CAS

/ CAS

/ RAS

/ RAS

/ CS

/ CS

NC

NC

BA0

BA0

BA1

BA1

A10 （AP ）， A10 （ AP）

A0

A0

A1

A1

A2

A2

A3

A3

VDD

VDD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

VSS VSS

DQ15 DQ7

VSSQ VSSQ

DQ14 NC

DQ13 DQ6

VDDQ VDDQ

DQ12 NC

DQ11 DQ5

VSSQ VSSQ

DQ10 NC

DQ9 DQ4

VDDQ VDDQ

DQ8 NC

NC

NC

VSSQ VSSQ

UDQS DQS

NC

NC

VREF VREF

VSS VSS

UDM DM

/ CK / CK

CK

CK

CKE CKE

NC

NC

A12 A12

A11 A11

A9

A9

A8

A8

A7

A7

A6

A6

A5

A5

A4

A4

VSS VSS

EO

特点

2.5 V电源： VDDQ = 2.5V

±

0.2V

： VDD = 2.5V

±

0.2V

数据传输速率： 333Mbps / 266Mbps （最大）

双倍数据速率的架构;两种数据传输每

时钟周期

双向的，数据选通（DQS ）被发送

/接收的数据，在捕获数据中使用

接收器

数据的输入，输出和DM与同步

的DQ

4个内部银行的并发操作

DQS是边沿与读取数据对齐的;中心

与写入的数据一致

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

命令中输入的每个正CK边缘;数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

数据掩码（DM）写入数据

自动预充电选项为每个突发访问

2.5 V （ SSTL_2兼容）I / O

可编程的脉冲串长度（BL） ： 2，4， 8

可编程/ CAS延迟（CL） ： 2,2.5

刷新周期： 8192刷新周期/ 64ms的

7.8μs最大平均周期刷新间隔

刷新2变化

自动刷新

自刷新

一号文件E0405E10 （版本1.0 ）

发布日期2003年9月（K ）日本

网址： http://www.elpida.com

L

od

Pr

X 16

X8

A0到A12

BA0 ， BA1

DQ0到DQ15

（ TOP VIEW ）

DQS ， UDQS ， LDQS

/ CS

/ RAS

/ CAS

/ WE

DM ， UDM ， LDM

CK

/ CK

CKE

VREF

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

NC

地址输入

银行选择地址

数据输入/输出

输入和输出数据选通

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

写使能

输入掩码

时钟输入

差分时钟输入

时钟使能

输入参考电压

电源内部电路

地上的内部电路

电源电路DQ

地面DQ电路

无连接

本产品成为了EOL 2007年3月。

Elpida

内存方面，公司2003

t

uc

EDD2508AMTA ， EDD2516AMTA

订购信息

产品型号

EDD2508AMTA-6B

EDD2508AMTA-7A

EDD2508AMTA-7B

EDD2516AMTA-6B

EDD2516AMTA-7A

EDD2516AMTA-7B

面膜

VERSION

M

组织

（字

×

位）

32M

×

8

国内

银行

4

数据速率

Mbps的（最大）

333

266

266

333

266

266

JEDEC速度斌

（ CL - tRCD的-TRP ）

DDR- 333B （ 2.5-3-3 ）

DDR- 266A （ 2-3-3 ）

DDR- 266B （ 2.5-3-3 ）

DDR- 333B （ 2.5-3-3 ）

DDR- 266A （ 2-3-3 ）

DDR- 266B （ 2.5-3-3 ）

包

66引脚塑料

TSOP （II）的

16M

×

16

产品型号

E D D 25 16 A M TA - 6B

EO

尔必达内存

TYPE

D：单片器件

产品编号

D： DDR SDRAM

密度/银行

25 ： 256M / 4银行

位组织

08: x8

16: x16

电压，接口

答： 2.5V ， SSTL_2

牧师死亡

包

TA ： TSOP （ II ）

速度

6B ： DDR333B （ 2.5-3-3 ）

7A ： DDR266A （ 2-3-3 ）

7B ： DDR266B （ 2.5-3-3 ）

初步数据表E0405E10 （版本1.0 ）

L

od

Pr

t

uc

2

EDD2508AMTA ， EDD2516AMTA

目录

描述.................................................................................................................................................... 1

产品特点........................................................................................................................................................ 1

针Configurations......................................................................................................................................... 1

订购信息..................................................................................................................................... 2

部分Number.................................................................................................................................................. 2

电气规格................................................................................................................................ 4

块Diagram............................................................................................................................................. 11

引脚功能................................................................................................................................................ 12

命令Operation................................................................................................................................... 14

简化的状态图............................................................................................................................ 22

在DDR SDRAM中运行................................................................................................................... 23

时序波形...................................................................................................................................... 25

包Drawing........................................................................................................................................ 31

推荐焊接条件......................................................................................................... 32

EO

初步数据表E0405E10 （版本1.0 ）

L

od

Pr

t

uc

3

EDD2508AMTA ， EDD2516AMTA

电气规格

所有电压参考VSS （ GND） 。

上电后，等待超过200微秒，然后，在序列和CBR （自动）执行开机前更新

实现器件正常工作。

绝对最大额定值

参数

在相对于VSS引脚的输入电压

在DQ和DQS引脚相对于VSS的电压

电源电压相对于Vss

电源电压相对于输出到VSS

短路输出电流

功耗

符号

VI

VIO

VDD

VDDQ

IOS

PD

TA

TSTG

等级

-0.5到+0.5 VDD

-0.5到+0.5 VDDQ

-0.5到+3.7

-0.5到+3.7

50

1.0

0至+70

-55到+125

单位

V

V

V

V

mA

W

°C

°C

记

EO

工作温度

储存温度

参数

电源电压

输入参考电压

终止电压

输入高电压

输入低电压

输入电压电平，

CK和/ CK投入

输入差分交叉点

电压，CK和/ CK的输入端

输入差分电压，

CK和/ CK投入

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

建议的直流工作条件（ TA = 0 70 ° C）

符号

VDD ，

VDDQ

VSS ，

VSSQ

VREF

VTT

民

2.3

0

典型值

2.5

0

最大

2.7

0

单位

V

V

V

V

V

V

V

2

笔记

1

L

VIH （DC）的

VIL （DC）的

VIN （DC）的

VIX （ DC ）

VID （DC）的

od

Pr

0.49

×

VDDQ

0.50

×

VDDQ

VREF - 0.04

VREF

—

VREF + 0.15

–0.3

—

–0.3

—

0.5

×

VDDQ

0.2V

0.36

0.5

×

VDDQ

—

0.51

×

VDDQ

VREF + 0.04

VDDQ + 0.3

VREF - 0.15

VDDQ + 0.3

0.5

×

VDDQ + 0.2V V

VDDQ + 0.6

V

3, 4

注：1 。

2.

3.

4.

VDDQ必须小于或等于VDD。

VIN （ DC ）指定一个允许直流执行每个差分输入。

VID （直流）指定需要用于切换输入的差分电压。

VIH （ CK ）分以上假设VREF + 0.18V ， VIL （ CK ）下的最大VREF假设 - 0.18V ，如果测量。

t

uc

初步数据表E0405E10 （版本1.0 ）

4

EDD2508AMTA ， EDD2516AMTA

AC过冲/下冲规格

参数

允许的最大过冲峰值

允许的最大冲峰值

过冲信号和VDD之间的区域必须小于或等于

下冲信号和GND之间的区域必须小于或等于

规范

1.6V

1.6V

4.5V-ns

4.5V-ns

5

4

3

2

伏（V） 1

0

1

2

3

0

1

2

3

时间（纳秒）

最大振幅= 1.6V

冲区域

4.5V - ns的（最大）

VDD

地

冲区

4.5V - ns的（最大）

EO

4

5

6

初步数据表E0405E10 （版本1.0 ）

L

od

Pr

t

uc

5