数据表
256M比特DDR SDRAM
EDD2516AMTA -6B -E （ 16M字
×
16比特）
描述
该EDD2516AMTA是256M位双数据速率
（ DDR ） SDRAM组织为4,194,304字
×
16位
×
4银行。读取和写入操作在执行
在CK的交叉点和/ CK 。这个高
高速数据传输是通过2位来实现prefetch-
流水线结构。数据选通（ DQS ）既为
读取和写入可用于高速和可靠
数据总线设计。通过设置扩展模式电阻，
芯片上的延迟锁定环（DLL），可以设置
启用或禁用。它们被封装在标准的66-
引脚塑料TSOP （ II ） 。
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
66引脚塑料TSOP （ II ）
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDDQ
LDQS
NC
VDD
NC
LDM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BA0
BA1
A10(AP)
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
/ CK
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
EO
特点
2.5 V电源： VDD ， VDDQ = 2.5V
±
0.2V
数据传输速率： 333Mbps （最大）
双倍数据速率的架构;两种数据传输每
时钟周期
双向数据选通（ DQS）被发送
/接收的数据，并在接收捕获数据
数据的输入，输出和DM与同步
的DQ
4个内部银行的并发操作
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码（DM）写入数据
自动预充电选项为每个突发访问
SSTL_2兼容的I / O
可编程的脉冲串长度（BL） ： 2，4， 8
可编程/ CAS延迟（CL） ： 2,2.5
可编程输出驱动强度：正常/弱
刷新周期： 8192刷新周期/ 64ms的
7.8μs最大平均周期刷新间隔
刷新2变化
自动刷新
自刷新
TSOP （ II ）封装，无铅焊料（锡铋）
符合RoHS
一号文件E0749E10 （版本1.0 ）
发布日期2005年6月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
L
od
Pr
A0到A12
BA0 ， BA1
DQ0到DQ15
（ TOP VIEW ）
UDQS / LDQS
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
UDM / LDM
CK
/ CK
CKE
VREF
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
输入和输出数据选通
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
写使能
输入掩码
时钟输入
差分时钟输入
时钟使能
输入参考电压
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
本产品成为了EOL 2007年3月。
Elpida
内存方面， 2005年公司
t
uc
EDD2516AMTA-6B-E
目录
描述.................................................................................................................................................... 1
产品特点........................................................................................................................................................ 1
针Configurations......................................................................................................................................... 1
订购信息..................................................................................................................................... 2
部分Number.................................................................................................................................................. 2
电气规格................................................................................................................................ 4
块Diagram............................................................................................................................................. 11
引脚功能................................................................................................................................................ 12
命令Operation................................................................................................................................... 14
简化的状态图............................................................................................................................ 21
在DDR SDRAM中运行................................................................................................................... 22
时序波形...................................................................................................................................... 24
包Drawing........................................................................................................................................三十
推荐焊接条件......................................................................................................... 31
EO
数据表E0749E10 （版本1.0 ）
L
od
Pr
t
uc
3
EDD2516AMTA-6B-E
电气规格
所有电压参考VSS （ GND） 。
上电后，等待超过200微秒，然后，在序列和CBR （自动）执行开机前更新
实现器件正常工作。
绝对最大额定值
参数
在相对于VSS引脚的输入电压
在DQ和DQS引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
电源电压相对于输出到VSS
短路输出电流
功耗
符号
VI
VIO
VDD
VDDQ
IOS
PD
TA
TSTG
等级
-0.5到+0.5 VDD
-0.5到+0.5 VDDQ
-0.5到+3.7
-0.5到+3.7
50
1.0
0至+70
-55到+125
单位
V
V
V
V
mA
W
°C
°C
记
EO
工作温度
储存温度
参数
电源电压
输入参考电压
终止电压
输入高电压
输入低电压
输入电压电平，
CK和/ CK投入
输入差分交叉点
电压，CK和/ CK的输入端
输入差分电压，
CK和/ CK投入
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件（ TA = 0 ° C至70 ° C）
符号
VDD ，
VDDQ
VSS ，
VSSQ
VREF
VTT
分钟。
2.3
0
典型值。
2.5
0
马克斯。
2.7
0
单位
V
V
V
V
V
V
V
2
笔记
1
L
VIH （DC）的
VIL （DC）的
VIN （DC）的
VIX （ DC ）
VID （DC）的
od
Pr
0.49
×
VDDQ
0.50
×
VDDQ
VREF - 0.04
VREF
—
VREF + 0.15
–0.3
—
–0.3
—
0.5
×
VDDQ
0.2V
0.36
0.5
×
VDDQ
—
0.51
×
VDDQ
VREF + 0.04
VDDQ + 0.3
VREF - 0.15
VDDQ + 0.3
0.5
×
VDDQ + 0.2V V
VDDQ + 0.6
V
3, 4
注：1 。
2.
3.
4.
VDDQ必须小于或等于VDD。
VIN （ DC ）指定一个允许直流执行每个差分输入。
VID （直流）指定需要用于切换输入的差分电压。
VIH （ CK ）分以上假设VREF + 0.18V ， VIL （ CK ）下的最大VREF假设 - 0.18V ，如果测量。
t
uc
数据表E0749E10 （版本1.0 ）
4
QQ：2880707522 复制
