数据表

256M比特DDR SDRAM

EDD2508AETA （ 32M字

×

8比特）

EDD2516AETA （ 16M字

×

16比特）

特定网络阳离子

密度： 256M位

组织

8M字

×

8位

×

4银行（ EDD2508AETA ）

4M字

×

16位

×

4银行（ EDD2516AETA ）

封装： 66引脚塑料TSOP （ II ）

无铅（符合RoHS）

电源：

DDR400 ：

VDD ， VDDQ

=

2.6V

±

0.1V

DDR333 ， 266 ： VDD ， VDDQ

=

2.5V

±

0.2V

数据传输速率： 400Mbps的/ 333Mbps / 266Mbps （最大）

四大银行内部的并发操作

接口： SSTL_2

脉冲串长度（BL） ： 2，4， 8

突发类型（BT） ：

顺序（ 2，4， 8）

交织（ 2，4， 8）

/ CAS延迟（CL） ： 2 ，2.5％， 3

预充电：对于每个突发自动预充电选项

ACCESS

驱动力：正常/弱

刷新：自动刷新，自刷新

刷新周期： 8192次/ 64ms的

平均更新周期： 7.8μs

工作环境温度范围

TA = 0°C至+ 70°C

特点

双倍数据速率体系结构;两种数据传输每

时钟周期

高速数据传输是通过2位来实现

预取流水线结构

双向数据选通（ DQS）被发送

/接收的数据，并在接收捕获数据

数据的输入，输出和DM与同步

的DQ

DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点

与写入的数据一致

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

命令中输入的每个正CK边缘;数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

数据掩码（DM）写入数据

一号文件E0859E50 （版本5.0 ）

发布日期2007年9月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面，公司2006-2007年

EDD2508AETA ， EDD2516AETA

订购信息

产品型号

EDD2508AETA-5B-E

EDD2508AETA-5C-E

EDD2508AETA-6B-E

EDD2508AETA-7A-E

EDD2508AETA-7B-E

EDD2516AETA-5B-E

EDD2516AETA-5C-E

EDD2516AETA-6B-E

EDD2516AETA-7A-E

EDD2516AETA-7B-E

面膜

VERSION

E

组织

（字

×

位）

32M

×

8

国内

银行

4

数据速率

Mbps的（最大）

400

333

266

16M

×

16

400

333

266

JEDEC速度斌

（ CL - tRCD的-TRP ）

DDR400B （ 3-3-3 ）

DDR400C （ 3-4-4 ）

DDR333B （ 2.5-3-3 ）

DDR266A （ 2-3-3 ）

DDR266B （ 2.5-3-3 ）

DDR400B （ 3-3-3 ）

DDR400C （ 3-4-4 ）

DDR333B （ 2.5-3-3 ）

DDR266A （ 2-3-3 ）

DDR266B （ 2.5-3-3 ）

包

66引脚塑料

TSOP （II）的

产品型号

E D D 25 08 A E TA - 5B - é

尔必达内存

TYPE

D：单片器件

产品系列

D： DDR SDRAM

环境法规

E：无铅

（符合RoHS ）

速度

5B ： DDR400B （ 3-3-3 ）

5C ： DDR400C （ 3-4-4 ）

6B ： DDR333B （ 2.5-3-3 ）

7A ： DDR266A （ 2-3-3 ）

7B ： DDR266B （ 2.5-3-3 ）

包

TA ： TSOP （ II ）

密度/银行

25 ： 256M / 4银行

组织

08: x8

16: x16

电源，接口

答： 2.5V ， SSTL_2

牧师死亡

速度等级的兼容性

工作频率

速度斌

DDR400B

DDR400C

DDR333B

DDR266A

DDR266B

CL2

133MHz

133MHz

133MHz

133MHz

100MHz

CL2.5

166MHz

166MHz

166MHz

133MHz

133MHz

CL3

200MHz

200MHz

166MHz

133MHz

133MHz

数据表E0859E50 （版本5.0 ）

2

EDD2508AETA ， EDD2516AETA

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

66引脚塑料TSOP （ II ）

VDD

VDD

DQ0

DQ0

VDDQ

VDDQ

NC

DQ1

DQ1

DQ2

VSSQ

VSSQ

NC

DQ3

DQ2

DQ4

VDDQ

VDDQ

NC

DQ5

DQ3

DQ6

VSSQ

VSSQ

NC

DQ7

NC

NC

VDDQ

VDDQ

NC

LDQS

NC

NC

VDD

VDD

NC

NC

NC

LDM

/ WE

/ WE

/ CAS

/ CAS

/ RAS

/ RAS

/ CS

/ CS

NC

NC

BA0

BA0

BA1

BA1

A10(AP)

A10(AP)

A0

A0

A1

A1

A2

A2

A3

A3

VDD

VDD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

VSS

VSS

DQ15

DQ7

VSSQ

VSSQ

DQ14

NC

DQ13

DQ6

VDDQ

VDDQ

DQ12

NC

DQ11

DQ5

VSSQ

VSSQ

DQ10

NC

DQ9

DQ4

VDDQ

VDDQ

DQ8

NC

NC

NC

VSSQ

VSSQ

UDQS

的DQ

NC

NC

VREF

VREF

VSS

VSS

UDM

DM

/ CK

/ CK

CK

CK

CKE

CKE

NC

NC

A12

A12

A11

A11

A9

A9

A8

A8

A7

A7

A6

A6

A5

A5

A4

A4

VSS

VSS

X 16

X8

（ TOP VIEW ）

引脚名称

A0到A12

BA0 ， BA1

DQ0到DQ15

DQS ， LDQS ， UDQS

/ CS

/ RAS

/ CAS

/ WE

DM ， UDM ， LDM

功能

地址输入

银行选择地址

数据输入/输出

输入和输出数据选通

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

写使能

输入掩码

引脚名称

CK

/ CK

CKE

VREF

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

NC

功能

时钟输入

差分时钟输入

时钟使能

输入参考电压

电源内部电路

地上的内部电路

电源电路DQ

地面DQ电路

无连接

数据表E0859E50 （版本5.0 ）

3

EDD2508AETA ， EDD2516AETA

目录

Specifications.................................................................................................................................................1

Features.........................................................................................................................................................1

订购Information......................................................................................................................................2

产品型号..................................................................................................................................................2

速度等级Compatibility............................................................................................................................2

引脚配置.........................................................................................................................................3

电动Specifications.................................................................................................................................5

框图.............................................................................................................................................13

针Function.................................................................................................................................................14

命令操作...................................................................................................................................16

简化的状态图.............................................................................................................................23

在DDR SDRAM中运行....................................................................................................................24

定时Waveforms.......................................................................................................................................43

包装图........................................................................................................................................49

推荐焊接Conditions..........................................................................................................50

数据表E0859E50 （版本5.0 ）

4

EDD2508AETA ， EDD2516AETA

电气规格

所有电压参考VSS （ GND） 。

上电后，等待超过200微秒，然后，在序列和CBR （自动）执行开机前更新

实现器件正常工作。

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于VSS的电压

电源电压相对于Vss

短路输出电流

功耗

工作环境温度

储存温度

符号

VT

VDD

IOS

PD

TA

TSTG

等级

-1.0到+3.6

-1.0到+3.6

50

1.0

0至+70

-55到+125

单位

V

V

mA

W

°C

°C

记

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

建议的直流工作条件（ TA = 0 ° C至+ 70 ° C）

参数

电源电压

符号

VDD ， VDDQ

VDD ， VDDQ

VSS ，

VSSQ

输入参考电压

终止电压

输入高电压

输入低电压

VREF

VTT

VIH （DC）的

VIL （DC）的

速度

DDR400

DDR333 ， 266

分钟。

2.5

2.3

0

0.49

×

VDDQ

VREF - 0.04

VREF + 0.15

–0.3

–0.3

0.5

×

VDDQ

0.2V

0.36

典型值。

2.6

2.5

0

0.50

×

VDDQ

VREF

—

—

—

0.5

×

VDDQ

—

马克斯。

2.7

2.7

0

0.51

×

VDDQ

VREF + 0.04

VDDQ + 0.3

VREF - 0.15

VDDQ + 0.3

0.5

×

VDDQ +

0.2V

VDDQ + 0.6

单位

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

5, 6

2

3

4

笔记

1

1

输入电压电平，

VIN （DC）的

CK和/ CK投入

输入差分交叉点

VIX （ DC ）

电压，CK和/ CK的输入端

输入差分电压，

VID （DC）的

CK和/ CK投入

注：1 。

2.

3.

4.

5.

6.

VDDQ必须小于或等于VDD。

VIH被允许超过VDD上升到3.6V的时间短于或等于5ns的。

VIL允许外展低于VSS下降到-1.0V的期间短于或等于5ns的。

VIN （ DC）指定各差分输入的允许直流偏移。

VID （直流）指定需要用于切换输入的差分电压。

VIH （ CK ）分以上假设VREF + 0.18V ， VIL （ CK ）下的最大VREF假设 - 0.18V

如果测量。

数据表E0859E50 （版本5.0 ）

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