数据表

128M比特DDR SDRAM

EDD1232ABBH （ 4M字

×

32位）

特定网络阳离子

密度： 128M位

组织

100万字

×

32位

×

4银行

包装： 144球FBGA

无铅（符合RoHS）

电源： VDD ， VDDQ

=

2.5V

±

0.125V

数据传输速率： 400Mbps的（最大）

四大银行内部的并发操作

接口： SSTL_2

脉冲串长度（BL） ： 2，4， 8

突发类型（BT） ：

顺序（ 2，4， 8）

交织（ 2，4， 8）

/ CAS延迟（ CL ） ： 3

预充电：对于每个突发自动预充电操作

ACCESS

驱动器强度：弱/匹配

刷新：自动刷新，自刷新

特点

×32

组织

双倍数据速率体系结构;两种数据传输每

时钟周期

高速数据传输是通过2位来实现

预取流水线结构

双向数据选通（ DQS）被发送

/接收的数据，并在接收捕获数据

数据的输入，输出和DM与同步

的DQ

DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点

与写入的数据一致

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

命令中输入的每个正CK边缘;数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

数据掩码（DM）写入数据

刷新周期： 4096次/ 32ms的

平均更新周期： 7.8μs

工作环境温度范围

TA = 0°C至+ 70°C

一号文件E0874E40 （版本4.0 ）

发布日期2007年4月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面，公司2006-2007年

EDD1232ABBH

订购信息

产品型号

EDD1232ABBH-5C-E

面膜

VERSION

B

组织

（字

×

位）

4M

×

32

国内

银行

4

数据速率

Mbps的（最大）

400

JEDEC速度斌

（ CL - tRCDRD -TRP ）

DDR400C （ 3-4-4 ）

包

144球FBGA

产品型号

E D D 12 32 A B BH - 5C - é

尔必达内存

TYPE

D：单片器件

产品系列

D： DDR SDRAM

密度/银行

12 ： 128M / 4银行

组织

32: x32

电源，接口

答： 2.5V ， SSTL_2

牧师死亡

包

BH ： FBGA

速度

5C ： DDR400C （ 3-4-4 ）

环境法规

E：无铅

（符合RoHS ）

数据表E0874E40 （版本4.0 ）

2

EDD1232ABBH

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

144球FBGA

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

B

DQS0

DM0 VSSQ

VDDQ

DQ5

NC

DQ3

VDDQ

DQ2

DQ1

DQ0

DQ31 DQ29 DQ28 VSSQ

NC

DM3

DQS3

C

DQ4

VDDQ VDDQ DQ30 VDDQ

VDD

VSS

VSS

VSS

VDD

VSS

VSS

VSS

VSS

VDDQ DQ27

D

DQ6

VSSQ VSSQ VSSQ

VSS

VSSQ

VSS

VSS

VSS

VSSQ VSSQ VSSQ DQ26 DQ25

VSSQ

VSS

VSS

VSS

VSS

VSS

俄罗斯足协

A5

A6

VSS

VDD

VDDQ DQ24

E

F

G

DQ7

VDDQ VDD

DQ17 DQ16 VDDQ VSSQ

DQ19 DQ18 VDDQ VSSQ

热热热热

VSSQ VDDQ DQ15 DQ14

VSSQ VDDQ DQ13 DQ12

VSSQ

NC

DM1

DQS1

DQ10

DQ8

NC

NC

VREF

热热热热

H

J

K

L

DQS2

DM2

NC

VSSQ

热热热热

VSS

VSS

DQ21 DQ20 VDDQ VSSQ

DQ22 DQ23 VDDQ VSSQ

/ CAS

/ WE

NC

NC

VDD

NC

BA0

VSS

BA1

A0

热热热热

VSS

VSS

VSSQ VDDQ DQ11

VDDQ VSSQ

VSS

俄罗斯足协

A7

VDD

CK

A8

（美联社）

VSS

A10

A2

A1

VSS

VDD

A11

A3

VSS

VDD

A9

A4

DQ9

NC

/ CK

CKE

M

/ RAS

N

/ CS

（ TOP VIEW ）

引脚名称

A0到A11

BA0 ， BA1

DQ0到DQ31

DQS0到DQS3

/ CS

/ RAS

/ CAS

/ WE

DM0到DM3

NC

功能

地址输入

银行选择地址

数据输入/输出

输入和输出数据选通

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

写使能

输入掩码

无连接

引脚名称

CK

/ CK

CKE

VREF

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

俄罗斯足协

功能

时钟输入

差分时钟输入

时钟使能

输入参考电压

电源内部电路

地上的内部电路

电源电路DQ

地面DQ电路

留作将来使用

数据表E0874E40 （版本4.0 ）

3

EDD1232ABBH

目录

Specifications.................................................................................................................................................1

Features.........................................................................................................................................................1

订购Information......................................................................................................................................2

产品型号..................................................................................................................................................2

引脚配置.........................................................................................................................................3

电动Specifications.................................................................................................................................5

框图.............................................................................................................................................11

针Function.................................................................................................................................................12

命令操作...................................................................................................................................14

简化的状态图.............................................................................................................................21

在DDR SDRAM中运行....................................................................................................................22

定时Waveforms.......................................................................................................................................42

包装图........................................................................................................................................48

推荐焊接Conditions..........................................................................................................49

数据表E0874E40 （版本4.0 ）

4

EDD1232ABBH

电气规格

所有电压参考VSS （ GND） 。

上电后，等待超过200微秒，然后，在序列和CBR （自动）执行开机前更新

实现器件正常工作。

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于VSS的电压

电源电压相对于Vss

短路输出电流

功耗

工作环境温度

储存温度

符号

VT

VDD

IOS

PD

TA

TSTG

等级

-1.0到+3.6

-1.0到+3.6

50

1.0

0至+70

-55到+125

单位

V

V

mA

W

°C

°C

记

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

建议的直流工作条件（ TA = 0 + 70 ° C）

参数

电源电压

符号

VDD ，

VDDQ

VSS ，

VSSQ

VREF

VTT

VIH （DC）的

VIL （DC）的

VIN （DC）的

VIX （ DC ）

VID （DC）的

分钟。

2.375

0

0.49

×

VDDQ

VREF - 0.04

VREF + 0.15

–0.3

–0.3

0.5

×

VDDQ

0.2V

0.36

典型值。

2.5

0

0.50

×

VDDQ

VREF

—

—

—

0.5

×

VDDQ

—

马克斯。

2.625

0

0.51

×

VDDQ

VREF + 0.04

VDDQ + 0.3

VREF - 0.15

VDDQ + 0.3

单位

V

V

V

V

V

V

V

2

3

4

笔记

1

输入参考电压

终止电压

输入高电压

输入低电压

输入电压电平，

CK和/ CK投入

输入差分交叉点

电压，CK和/ CK的输入端

输入差分电压，

CK和/ CK投入

0.5

×

VDDQ + 0.2V V

VDDQ + 0.6

V

5, 6

注：1 。

2.

3.

4.

5.

6.

VDDQ必须小于或等于VDD。

VIH被允许超过VDD上升到3.6V的时间短于或等于5ns的。

VIL允许外展低于VSS下降到-1.0V的期间短于或等于5ns的。

VIN （ DC ）指定一个允许直流执行每个差分输入。

VID （直流）指定需要用于切换输入的差分电压。

VIH （ CK ）分以上假设VREF + 0.18V ， VIL （ CK ）下的最大VREF假设 - 0.18V

如果测量。

数据表E0874E40 （版本4.0 ）

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