ED43_ _21
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
双可控硅隔离
POW -R - BLOK 模块
210安培/ 600-2000伏
外形绘图
D
C
THD 。 （2）
DIA 。 （4）
S DIA 。
E
F
A
—
K
+
J
L
G
B
A
V
U
R
Q
T
N
O
M
连接图
K1
G1
—
G2
K2
SCR 2
SCR 1
+
P
ED43_ _21
双二极管隔离
POW -R - BLOK 模块
210安培/ 600-2000伏
AK
外形绘图
维
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
英寸
4.57
3.66
1.38
1.12
1.97
1.50
3.15
0.22
0.71
—
0.35
2.05
1.93
1.34
0.394
2.16
0.55
—
2.09
0.110 x 0.032
0.54
MILLIMETERS
116
93
35
28.5
50
38
80
5.5
18
M8
9
52
49
34
10
55
14
M8
53.1
2.8 x 0.8
14
订货信息：
选择完整的八位
你想要的模块部件号
从下表中。
例如： ED432021是
2000伏， 210安培双可控硅
隔离POW -R - BLOK 模块。
电压
伏（ X100 ）
06
08
12
14
16
18
20
额定电流
安培（ X10 ）
21
描述：
该POW -R - BLOK 结合
多个功率半导体
在一个单一的，电气设备
隔离模块。 POW - R- BLOK
可以作为基本电路
在许多工业应用的元素
系统蒸发散，如电机速度控制
和电池充电器。这种双
可控硅模块可用于在使用中
120 ， 240 ， 480或575伏电源
行的应用程序。
POW -R - BLOK 拥有自主
包含电气隔离系
统。通过使用较高的热导
电导率氧化铍陶瓷绝缘体，
优异的电路对基板间隔离
化（ ≥2500伏RMS）已
实现的，同时保持
在semicon-的高效冷却
ductors 。所有ED系列可控硅使用
对于“ DI /动力学”栅结构
缓解触发和高di / dt的
能力。
产品特点：
压接
分子
隔离底座
绝缘包
金属基板
低热阻
UL认可
好处：
无附加Insualting
组件所需
易于安装
减少工程时间
改善传热
电压稳定
2
1
AK
TYPE
ED43
R-69
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
ED43_ _21
双可控硅隔离
POW -R - BLOK 模块
210安培/ 600-2000伏
绝对最大额定值
特征
重复峰值正向阻断电压
重复峰值反向阻断电压
瞬态峰值反向阻断电压（不重复） ，T < 5ms的
DC反向阻断电压
RMS通态电流
平均通态电流
峰值单周期浪涌（不重复）通态电流（ 60Hz）的
峰三周期浪涌（不重复）通态电流（ 60Hz）的
山顶十周期浪涌（不重复）通态电流（ 60Hz）的
的I2t （用于热熔）为一周期
爆击率-的高层通态电流（不重复）的*
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
储存温度
工作温度
最大安装扭矩M6安装螺丝
最大安装扭矩M8端子螺丝
V绝缘
*每JEDEC STD RS - 397 ， 5.2.2.6 。
使用推荐的栅极驱动。
符号
VDRM
VRRM
VRSM
VR （ DC ）
IT （ RMS ）
IT （ AV ）
ITSM
ITSM
ITSM
I2t
的di / dt
PGM
PG （AV）
VGFM
VGRM
IGFM
TSTG
Tj
—
—
VRMS
ED43_ _21
2000
2000
2200
1600
330
210
6000
4325
3730
149,000
800
16
3.0
10
5.0
4.0
-40至150
-40至130
50
130
2500
单位
伏
伏
伏
伏
安培
安培
安培
安培
安培
A2sec
安培/秒
瓦
瓦
伏
伏
安培
°C
°C
磅 - 英寸
磅 - 英寸
伏
R-70
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
ED43_ _21
双可控硅隔离
POW -R - BLOK 模块
210安培/ 600-2000伏
电气和热特性，
TJ = 25 ° C除非另有说明
特征
阻塞状态最高配置
正向漏电流，峰值
反向漏电流，峰值
开展国家最高配置
峰值通态电压
开关最低金额
爆击率-的高层断态电压
关断时间（典型）
符号
IDRM
IRRM
VTM
dv / dt的
tq
测试条件
TJ = 130 ° C， VDRM =额定
TJ = 130 ° C， VRRM =额定
ITM = 625A ，
TJ = 130 ° C， VD = 2/3 VDRM
TJ = 130 ° C， IT = 250A
重新申请的dv / dt = 20V /秒
线性到0.8 VDRM
ITM = 100A ， VD = 100V
每个模块
每个模块
VD = 12V
VD = 12V
TJ = 130 ° C， VD = 1/2 VDRM
ED43_ _21
50
50
1.40
500
150
单位
mA
mA
伏
伏/秒
s
导通时间（典型）
热最高配置
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器（润滑）
门最高配置参数
栅电流到触发
栅极电压 - 触发
非触发栅极电压
吨
R（ J- C）
R（ C- S）
IGT
VGT
VGDM
7
0.09
0.03
150
3
0.15
s
° C /瓦
° C /瓦
mA
伏
伏
警告：
使用内部绝缘氧化铍。
用户应避免研磨，粉碎，研磨或这些部分。
护理必须正确处理不需要的设备来行使。
R-71
Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
ED43_ _21
双可控硅隔离
POW -R - BLOK 模块
210安培/ 600-2000伏
最大通态FORWARD
电压降
最大瞬态热
阻抗（结点到外壳）
（ PER SCR ）
最大功耗，P
的AV （MAX）
（瓦）
最大通态功耗
（正弦波）
（ PER SCR ）
5
T
j
= 130
o
C
热阻抗，R
（J -C ）
, (
o
C / W ）
通态电压，V
TM
（伏）
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
250
180
o
120
o
4
200
60
o
30
o
90
o
3
150
= 15
o
2
100
1
50
0
o
180
o
360
o
导通角
0
10
1
10
2
10
3
10
4
0
10
-4
0
100
0
50
100
150
200
250
平均通态电流I
T（ AV ）
,
（安培）
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
瞬时通态电流I
TM
,
（安培）
时间t （秒）
最大允许外壳温度
（正弦波）
最大功耗，P
的AV （MAX）
（瓦）
最大通态功耗
（方波）
（ PER SCR ）
最大允许外壳温度
（方波）
130
最大外壳温度，T
C
, (
o
C)
350
360
o
130
270
o
180
o
最大外壳温度，T
C
, (
o
C)
300
250
200
150
=
15
o
30
o
90
o
60
o
120
o
120
110
100
90
80
70
60
= 15
o
30
o
60
o
90
o
120
o
180
o
270
o
360
o
0
o
180
o
360
o
导通角
120
0
180
360
导通角
o
o
o
110
100
= 15
o
30
o
60
o
90
o
120
o
180
o
100
50
0
0
50
100 150 200 250 300 350
平均通态电流I
T（ AV ）
,
（安培）
0
o
180
o
360
o
导通角
90
80
0
50
100
150
200
250
平均通态电流I
T（ AV ）
,
（安培）
0
50
100 150 200 250 300 350
平均通态电流I
T（ AV ）
,
（安培）
R-72
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