飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
特点
低电流（最大25 mA）的
低电压（最大20V）
高增益。
应用
通用的开关和放大。
1
手册， halfpage
ED1502
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
描述
NPN晶体管在一个塑料的TO- 92 ; SOT54封装。
2
3
3
2
1
MAM182
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.参考TO- 92 ; SOT54标准安装条件。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
40
20
4
25
25
25
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
1999年04月27
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考TO- 92 ; SOT54标准安装条件。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
ED1502B
ED1502C
ED1502D
ED1502E
V
BE
C
re
f
T
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
基射极电压
反馈电容
跃迁频率
I
C
= 7毫安; V
CE
= 10 V ;注1
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
= 40 V
I
E
= 0; V
CB
= 20V;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
I
C
= 7毫安; V
CE
= 10 V
48
66
84
105
361
0.5
分钟。
典型值。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
250
ED1502
单位
K / W
马克斯。
10
5
10
75
100
127
210
925
825
单位
A
A
A
mV
pF
兆赫
1999年04月27
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
ED1502
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月27
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
ED1502
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年04月27
5
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