【微型PMU与1.2 A降压稳压器和两个300毫安的LDO数据表特点输入电压范围： 2.3 V至5.5】,IC型号ECJ1VB0J225K,ECJ1VB0J225K PDF资料,ECJ1VB0J225K经销商,ic,电子元器件-51电子网

微型PMU与1.2 A降压稳压器

和两个300毫安的LDO

数据表

特点

输入电压范围： 2.3 V至5.5 V

一个1.2 A降压稳压器

两个300毫安的LDO

20引脚，采用4 mm× 4 mm LFCSP封装包

过流和热保护

软启动

欠压锁定

巴克关键指标

输出电压范围： 0.8 V至3.8 V

电流模式拓扑结构提供出色的瞬态响应

3 MHz的工作频率

峰值效率高达96％

使用小型多层电感器和电容器

模式引脚选择强制PWM或自动PWM / PSM模式

100 ％占空比低压差模式

LDO的关键指标

输出电压范围： 0.8 V至5.2 V

低V

从1.7 V至5.5 V

稳定的2.2 μF陶瓷输出电容器

高PSRR

低输出噪声

低压差

-40°C至+ 125°C的结温范围

ADP5040

概述

该

ADP5040

结合了一台高性能降压稳压器

和两个低压降稳压器（ LDO ），一个小型的20引脚

LFCSP封装，以满足严苛的性能和电路板空间

要求。

降压调节器的高开关频率允许使用

小型多层外部器件，减少电路板空间。

当MODE引脚设置为逻辑高电平时，降压稳压器

工作在强制脉冲宽度调制（PWM ）模式。

当MODE引脚设置为逻辑低电平时，降压稳压器

以PWM模式工作时的负荷是围绕标称

值。当负载电流下降到低于预定阈值

稳压器以省电模式（ PSM ）工作改善

的轻负载效率。低静态电流，低

压差电压，并在宽输入电压范围

ADP5040

LDO的延长便携设备的电池寿命。该

ADP5040

LDO能保持电源抑制大于60分贝

频率高达10kHz的同时用低净空操作

电压。

在每个稳压器

ADP5040

由一个高级别上激活

各自的使能引脚。调节器的输出电压

被编程虽然外部电阻分压器，以解决

各种应用程序。

VOUT1

FILT

= 30

AVIN

IN1

= 2.3V至

5.5V

VIN1

4.7F

关闭

IN2

= 1.7V

至5.5V

保护地

EN1

VIN2

关闭

EN2

LDO1

（数字）

EN_LDO1

EN_BK

模式

VOUT2

FB2

FPWM

PSM / PWM

OUT2

300mA

2.2F

巴克

FB1

OUT1

1.2A

10F

功能框图

EN3

IN3

= 1.7V

至5.5V

VIN3

EN_LDO2

LDO2

（ ANALOG ）

VOUT3

FB3

OUT3

300mA

2.2F

09665-001

AGND

图1 。

EV 。 0

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

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联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

传真： 781.461.3113

ADP5040

特点................................................. ............................................. 1

概述................................................ ......................... 1

功能框图............................................... ............... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

一般规格................................................ ................. 3

巴克规格................................................ ....................... 3

LDO1 ， LDO2规格.............................................. 4 .........

输入和输出电容，推荐规格。5

绝对最大额定值............................................... ............. 6

热阻................................................ ...................... 6

ESD注意事项................................................ .................................. 6

引脚配置和功能说明............................. 7

工作原理............................................... ....................... 25

数据表

电源管理单元............................................... ............ 25

巴克科................................................ ................................ 26

LDO部分................................................ ............................... 27

应用信息................................................ .............. 29

巴克外部元件的选择....................................... 29

LDO外部元件的选择...................................... 30

功耗/散热考虑............................. 31

应用框图................................................ ................. 33

PCB布局指南............................................... ................... 34

建议布局................................................ ........................ 34

物料清单............................................... ............................ 35

工厂可编程选项............................................... .... 36

外形尺寸................................................ ....................... 37

订购指南................................................ .......................... 37

修订历史

12月11日 - 修订版0 ：初始版

第0版|第40 2

数据表

特定网络阳离子

一般特定网络阳离子

ADP5040

AVIN ， VIN1 = 2.3 V至5.5 V ; AVIN ， VIN1 ≥VIN2 ， VIN3 ; VIN2 ， VIN3 = 1.7 V至5.5 V ，T

= -40 ° C至+ 125°C的最小/最大

规格，和T

= 25 ℃，典型的规格，除非另有说明。

表1中。

参数

AVIN欠压闭锁

输入电压崛起

选0

选项1

输入电压下降

选0

选项1

关断电流

热关断阈值

热关断迟滞

启动时间

巴克

LDO1 ， LDO2

ENX ，模式，投入

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入漏电流

符号

UVLO

AVIN

UVLO

AVINRISE

描述

民

典型值

最大

单位

2.275

3.9

UVLO

AVINFALL

1.95

3.1

GND -SD

SD- HYS

START1

START2

我泄漏

ENX = GND

升起

0.1

150

250

1.2

0.05

0.4

°C

OUT2

, V

OUT3

= 3.3 V

2.5 V≤ AVIN ≤ 5.5 V

ENX = AVIN或GND

启动时间从此刻EN1 = EN2 = EN3需要从0 V至所需要的时间

AVIN

到此刻VOUT1 ， VOUT2 ，并且VOUT3 reache 90％的

标称电平。启动时间更短了各个通道是否已经开启另一个通道。有关详情，请典型性能特性部分

信息。

BUCK规格

AVIN ， VIN1 = 2.3 V至5.5 V ; V

OUT1

= 1.8 V ; L = 1 μH ;

= 10 μF ;

OUT

= 10 μF ;牛逼

= -40 ° C至+ 125°C的最小/最大

规格，和T

= 25 ℃，典型的规格，除非另有说明。

表2中。

参数

输入特性

输入电压范围

输出特性

输出电压精度

线路调整

负载调整率

电压反馈

PWM到省电模式

电流阈值

输入电流特性

直流工作电流

关断电流

符号

IN1

测试条件/评论

民

2.3

典型值

最大

5.5

单位

OUT1

(ΔV

OUT1

)/ΔV

IN1

(ΔV

OUT1

)/ΔI

OUT1

FB1

PSM_L

PWM模式，

负载

= 0 mA至1200毫安

PWM模式

负载

=毫安到1200毫安， PWM模式

0.05

0.1

0.5

100

%/V

%/A

0.485

0.515

空载

SHTD

MODE =接地

负载

= 0 mA时，设备没有开关，所有其他

禁用渠道

EN1 = 0 V ，T

= T

= -40 ° C至+ 125°C

0.2

1.0

μA

第0版|第40 3

ADP5040

参数

软件特性

SW导通电阻

符号

PFET

NFET

电流限制

有源下拉

振荡器频率

数据表

测试条件/评论

PFET ， AVIN = VIN1 = 3.6 V

PFET ， AVIN = VIN1 = 5 V

NFET ， AVIN = VIN1 = 3.6 V

NFET ， AVIN = VIN1 = 5 V

PFET开关的峰值电流限制

EN1 = 0 V

民

典型值

180

140

170

150

1950

3.0

最大

240

190

235

210

2300

3.5

单位

mΩ

兆赫

极限

OSC

1600

2.5

所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC ）保证。

LDO1 ， LDO2规格

IN2

, V

IN3

= (V

OUT2

OUT3

+ 0.5 V）或1.7 V （以较高者为准）至5.5V ; AVIN ， VIN1 ≥ VIN2 ， VIN3 ;

= 1 μF ，C

OUT

= 2.2 μF;

= -40 ° C至+ 125°C的最小/最大规格，而T

= 25 ℃，典型的规格，除非另有说明。

表3中。

参数

符号

条件

民

典型值

最大

单位

输入电压范围

工作电源电流

每个LDO的偏置电流

IN2

, V

IN3

VIN2BIAS

VIN3BIAS

= -40 ° C至+ 125°C

OUT3

= I

OUT4

= 0 μA

OUT2

= I

OUT3

= 10毫安

OUT2

= I

OUT3

= 300毫安

1.7

165

5.5

100

245

μA

系统总输入电流

LDO1或仅LDO2

LDO1和LDO2只有

输出电压精度

包括目前所有的进AVIN ， VIN1 ， VIN2和VIN3

OUT2

= I

OUT3

= 0 μA ，所有其它通道禁用

OUT2

= I

OUT3

= 0 μA ，停用降压

100 μA <我

OUT2

< 300毫安， 100 μA <我

OUT3

< 300毫安

IN2

= (V

OUT2

+ 0.5 V）至5.5 V ，

IN3

= (V

OUT3

+ 0.5 V）至5.5 V

μA

OUT2

, V

OUT3

参考电压

规

线路调整

FB2

, V

FB3

(ΔV

OUT2

)/ΔV

IN2

(ΔV

OUT3

)/ΔV

IN3

(ΔV

OUT2

)/ΔI

OUT2

(ΔV

OUT3

)/ΔI

OUT3

降

IN2

= (V

OUT2

+ 0.5 V）至5.5 V

IN3

= (V

OUT3

+ 0.5 V）至5.5 V

OUT2

= I

OUT3

= 1毫安

OUT2

= I

OUT3

= 1 mA至300毫安

0.485

0.03

0.500

0.515

+0.03

%/ V

负载调整率

输入输出电压差

0.002

0.0075

％ / mA的

有源下拉

限流门限

输出噪声

PDLDO

极限

OUT

LDO2NOISE

OUT

LDO1NOISE

OUT2

= V

OUT3

= 5.0 V，I

OUT2

= I

OUT3

= 300毫安

OUT2

= V

OUT3

= 3.3 V，I

OUT2

= I

OUT3

= 300毫安

OUT2

= V

OUT3

= 2.5 V，I

OUT2

= I

OUT3

= 300毫安

OUT2

= V

OUT3

= 1.8 V，I

OUT2

= I

OUT3

= 300毫安

EN2 / EN3 = 0 V

= -40 ° C至+ 125°C

10赫兹至100千赫兹，V

IN3

= 5 V, V

OUT3

= 3.3 V

10赫兹至100千赫兹，V

IN3

= 5 V, V

OUT3

= 2.8 V

10赫兹至100千赫兹，V

IN3

= 5 V, V

OUT3

= 1.5 V

10赫兹至100千赫兹，V

IN2

= 5 V, V

OUT2

= 3.3 V

10赫兹至100千赫兹，V

IN2

= 5 V, V

OUT2

= 2.8 V

10赫兹至100千赫兹，V

IN2

= 5 V, V

OUT2

= 1.5 V

335

107

180

600

470

123

110

140

129

140

μV RMS

第0版|第40 4

数据表

参数

符号

条件

民

典型值

ADP5040

最大

单位

电源抑制

比

PSRR

1千赫，V

IN2

, V

IN3

= 3.3 V, V

OUT2

, V

OUT3

= 2.8 V,

OUT

= 100毫安

100千赫兹，V

IN2

, V

IN3

= 3.3 V, V

OUT2

, V

OUT3

= 2.8 V,

OUT

= 100毫安

1兆赫，V

IN2

, V

IN3

= 3.3 V, V

OUT2

, V

OUT3

= 2.8 V,

OUT

= 100毫安

所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC ）保证。

这是在输入电流中V

IN2

和V

IN3

，这是不传递到输出负载。

基于使用1毫安和300毫安负载的一端点计算。

电压差被定义为当输入电压被设置为标称输出电压的输入 - 输出电压差。这仅适用于输出

电压高于1.7 V.

限流阈值被定义为输出电压下降到90％的指定的典型值的电流。例如，电流限制为3.0 V

输出电压被定义为当前使输出电压下降为3.0V至90％，或2.7 V.

输入和输出电容，推荐规格

表4 。

参数

输入电容（ BUCK ）

输出电容（ BUCK ）

输入和输出电容

（ LDO1 ， LDO2 ）

电容的ESR

符号

MIN1

MIN2

MIN34

ESR

条件

= -40 ° C至+ 125°C

民

4.7

0.70

0.001

典型值

最大

单位

最小输入电容应大于4.7 μF的整个范围内的工作条件。在应用程序的全方位的工作条件

必须在设备的选择来考虑，以确保最小电容要求。 X7R和X5R型电容建议，而

Y5V和Z5U电容不推荐用于降压使用。

最小的输出电容应大于7 μF的整个范围内的运行条件。在应用程序的全方位的工作条件

必须在设备的选择来考虑，以确保最小电容要求。 X7R和X5R型电容建议，而

Y5V和Z5U电容不推荐用于降压使用。

最小输入和输出电容应大于0.70 μF的整个范围内的运行条件。全范围的操作条件

应用程序必须在设备的选择来考虑，以确保最小电容要求。 X7R和X5R型电容建议，

而Y5V和Z5U电容不推荐用LDO的使用。

第0版|第40 5

多层陶瓷电容器（高容量）

多层陶瓷电容器

（大容量）

系列：

ECJ

■

特点

●

小尺寸，高容量

●

低ESR / ESL和出色的高频特性

●

理想的替代钽电容器芯片

与铝电解电容器

●

符合RoHS

■

推荐应用

●

第2类（高K型）

·电源去耦电路的应用

的DC-DC转换器的电源电路

高速LSI滤波电路

■

操作注意事项

请参见第48页至53

■

包装特定网络阳离子

参见第45页， 46 ， 56

■

停产/修零件编号，

替代零件编号

参见第54页， 55

■

零件编号的说明

（例）

产品编号

（ ECJ ：多层陶瓷

贴片电容）

包装

额定电压编码

样式代码

尺寸代码

温度

特征代码

电容

公差代号

标称电容量

■

施工

名字

陶瓷介质

内部电极

终奌站

电极

基板电极

中间电极

外部电极

■

尺寸以毫米（不按比例）

尺寸代号尺寸（ EIA ）

0402

0603

1.00±0.05

1.00

+0.15

–0.05

1.6±0.1

1.60±0.15

2.0±0.1

0.50±0.05

0.50

+0.15

–0.05

0.8±0.1

0.80±0.15

1.25±0.10

1.25±0.15

1.25±0.20

1.25±0.15

1.60±0.15

1.6±0.2

0805

2.00±0.15

2.0±0.2

2.00±0.15

3.20±0.15

1206

3.2±0.2

0.50±0.05

0.50

+0.15

–0.05

0.8±0.1

0.80±0.15

0.85±0.10

1.25±0.10

1.25±0.15

1.25±0.20

0.85±0.10

1.15±0.10

1.6±0.2

0.85±0.10

1.15±0.10

, L

0.2±0.1

0.3±0.2

0.50±0.25

0.6±0.3

设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。

如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。

2008年12月2日

- EC2 -

多层陶瓷电容器（高容量）

■

包装样式和标准包装数量

包装

SIZE

风格

厚度

代号包装样式

纸带包装

（间距为2mm）

纸带包装

（间距为4mm ）

φ180

REEL

压纹带卷

（间距为4mm ）

φ330

卷轴和批量案件类型：请与我们联系。

数量：个/卷

0402

T=0.5

10,000

—

0603

T=0.8

—

4,000

—

0805

T=0.85

—

4,000

—

T=1.25

—

3,000

—

T=0.85

—

4,000

—

1206

T=1.15

—

3,000

—

T=1.6

—

2,000

■

温度特性

●

2级

温度

特征代码

B，X

温度

特征

X7R

X5R

Y5V

静电容量变化

±10 %

±15 %

+30, –80 %

+22, –82 %

测量

温度范围

-25 85°C

-55到125°C

-55到85°C

-25 85°C

-30至85 ℃的

参考

温度

20 °C

25 °C

20 °C

25 °C

对于适用“温度特性” ，看到的标准产品6页的名单7 。

■

额定电压

CODE

额定电压

DC 50 V

DC 25 V

DC 16 V

DC 10 V

DC 6.3 V

■

标称电容量

恩。

标称电容量

105

百万pF的

(1 F)

225

2200000 pF的

(2.2 F)

106

千万pF的

(10 F)

226

22000000 pF的

(22 F)

■

电容容差

类

温度特性

B， X7R ， X5R

男， Y5V

电容公差代号

电容容差

±10 %

±20 %

+80, –20 %

设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。

如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。

2008年12月2日

- EC3 -

多层陶瓷电容器（高容量）

■

说明和测试方法

项

操作

温度

范围

电介质

承受

电压

绝缘

阻力

（ I.R. ）

电容

耗散

因素

（谭

δ)

特定网络阳离子

温度。字符。 B， X7R ： -55 125℃

温度。字符。 B， X5R ： -55至85°C

温度。字符。男， Y5V ： -30 85°C

没有电介质击穿和/或损坏

测试电压：额定电压250 ％

持续时间： 15秒。

充电/放电电流： 50mA以下。

测量电压：额定电压

时间：60 ± 5秒

充电/放电电流： 50mA以下。

测定温度： 20±2 ℃下

预处理：电容器应

保持在150 + 0 / -10 ° C的温度

1小时后，在标准

条件

48 ±4小时才初步

测量。

标称电容量C

<10

C>10 μF

测量频率为1kHz ±10％ 120赫兹±20％

测量电压1.0 ± 0.2 Vrms的0.5 ± 0.2 Vrms的

温度

温度特性

特征

: ±10 %

X7R ： ± 15％的

X5R ： ±15 ％

: +30, –80 %

Y5V ： +22 ， -82 ％

最大容量变化在阶段1 5

温度。字符。

第1阶段

第2阶段

第三阶段

（参考温度）。

第4阶段

STAGE 5

B，F X7R X5R Y5V

20 °C 25 °C 25 °C 25 °C

–25 °C –55 °C –55 °C –30 °C

20 °C

25 °C

85 °C

25 °C

测试方法

500 / C（ M）分钟。

注： 100 / C （ M）分钟。对于DC 10 V最大。

C：标称帽。在μF

内的特定网络版公差

最大0.2 。

请参见技术特定网络阳离子了解详细信息。

85 °C 125 °C 85 °C

20 °C 25 °C 25 °C

请参见技术特定网络阳离子

详细信息，如测量电压。

附着

端子电极应无剥落或体征

剥离。

施加的力： 5N的

持续时间： 10秒

尺寸： 0402

1.0

R0.5

0.5

样品

PC西非开发银行

尺寸： 0603至1206

1.0

样品

单位：mm

弯曲

实力

R340

45±2

单位：mm

振动

证明

外观：无机械损伤。

电容：在特定网络版公差

介损：初始标准值

总振幅： 1.5毫米

振动频率： 1055 10赫兹

1分钟

2小时3垂直的方向上

每个，共进行6小时的

½Standard

条件：温度为15 35℃，相对湿度45 75％的

设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。

如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。

2008年12月2日

- EC4 -

弯曲的价值

外观：无机械损伤

电容量变化：

温度。字符。 B， X7R ， X5R ：± 12.5 ％

男， Y5V ：±30 ％

弯曲值： 1毫米

弯曲速度1毫米/秒

多层陶瓷电容器（高容量）

项

阻力

焊

热

特定网络阳离子

外观：无机械损伤

电容量变化：

温度。字符。 B， X7R ， X5R ：± 7.5 ％

男， Y5V ：在± 20 ％

介损：初始标准值

IR ：初始标准值

耐压：无绝缘击穿或损坏

测试方法

焊浴法

预处理：热处理

(½1)

焊锡温度： 270 ± 5℃

浸泡期间： 3.0 ± 0.5秒

预热条件：

为了温度。（ ° C）尺寸0805最大。尺寸1206

为80100 120 180秒300至360

150 200 120 180秒300至360

恢复（标准状态）： 48 ± 4小时

焊浴法

焊锡温度： 230 ± 5℃

浸泡期间： 4 ± 1秒

焊料： H63A （ JIS -Z- 3282 ）

可焊性

超过95％的两个末端的焊接区的

电极应覆盖新鲜焊锡。

温度

周期

外观：无机械损伤

预处理：热处理

(½1)

第1步：最低工作温度。 30±3分钟

电容量变化：

第2步：室温。 3分钟最大。

温度。字符。 B， X7R ， X5R ：± 7.5 ％

第3步：最大工作温度。 30±3分钟

男， Y5V ：在± 20 ％

第4步：室温。 3分钟最大。

介损：初始标准值

循环次数： 5次

IR ：初始标准值

恢复（标准状态）： 48 ± 4小时

耐电压：没有电介质击穿和/或损坏

预处理：热处理

(½1)

温度： 40±2 ℃下

相对湿度： 9095％

测试期间： 500 + 24 / 0 H

恢复（标准状态）： 48 ± 4小时

湿热

外观：无机械损伤

（稳态）静电容量变化：

温度。字符。 B， X7R ， X5R ：± 20 ％

男， Y5V ：± 30 ％

介损：温度。字符。 B， X7R ， X5R ： 0.25最高。

男， Y5V ： 0.3最大。

IR： 50 / C （ M）分钟。

注： 10 / C （ M）分钟。额定容积。 DC 10 V最大。

C：标称帽。在μF

请参见技术特定网络阳离子了解详细信息。

湿热

负载

外观：无机械损伤

电容量变化：

温度。字符。 B， X7R ， X5R ：± 20 ％

男， Y5V ：± 30 ％

介损：温度。字符。 B， X7R ， X5R ： 0.25最高。

男， Y5V ： 0.3最大。

IR： 25 / C （ M）分钟。

注： 5 / C（ M）分钟。额定容积。 DC 10 V最大。

C：标称帽。在μF

请参见技术特定网络阳离子了解详细信息。

外观：无机械损伤

电容量变化：

温度。字符。 B， X7R ， X5R ：± 20 ％

男， Y5V ：± 30 ％

介损：温度。字符。 B， X7R ， X5R ： 0.25最高。

男， Y5V ： 0.3最大。

IR： 50 / C （ M）分钟。

注： 10 / C （ M）分钟。额定容积。 DC 10 V最大。

C：标称帽。在μF

请参见技术特定网络阳离子了解详细信息。

预处理：电压处理

(½2)

温度： 40±2 ℃下

相对湿度： 9095％

施加电压：额定电压

充电/放电电流： 50mA以下。

测试期间： 500 + 24 / 0 H

恢复（标准状态）： 48 ± 4小时

高

温度

负载

预处理：电压处理

(½2)

温度：最高工作温度。 ± 3°C

适用电压：（ 1 ）额定电压200 ％

（ 2 ）额定电压150 ％

（ 3 ）额定电压100 ％

请参见技术特定网络阳离子

了解详细信息。

充电/放电电流： 50mA以下。

测试期间： 1000 + 48 / 0 H

恢复（标准状态）： 48 ± 4小时

（＆ frac12 ; 1）热处理：热处理在150 + 0 / -10 ℃下1小时，随后在标准条件下放置48± 4小时恢复。

（＆ frac12 ; 2 ）电压处理：电压处理的特定网络版温度和电压进行测试后恢复下放置48± 4小时，在1小时

标准条件。

设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。

如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。

2008年12月2日

- EC5 -

多层陶瓷电容器（高容量）

■

标准产品的环境影响评估大小“ 0402 ” ，编带版本

额定电压

DC 16 V

电容电容

暗淡。温度。

CHAR 。

tance

产品型号

公差

(F)

（毫米） X5R

ECJ0EB1C105M

0.5

±10 %(K)

2.2

或±20％（M）的

4.7

●

2级

◆

温度特性代号： B（温度特性： X5R ）

DC 10 V

暗淡。温度。

CHAR 。

产品型号

（毫米） X5R

ECJ0EB1A105

0.5

DC 6.3 V

暗淡。温度。

CHAR 。

产品型号

（毫米） X5R

ECJ0EB0J105

0.5

ECJ0EB0J225M

0.5

ECJ0EB0J475M

0.5

：电容公差代号： “ ”为“K”或“M”

的L，W ，T尺寸公差： ±0.05毫米，无标记，

+0.15

毫米“＆ frac12 ; ”标志。

–0.05

。包装样式代码“ E” （T = 0.5 mm）标准包装数量：10,000个/卷。

避免溢流焊接。

◆

温度特性代码： F（温度特性：F ， Y5V ）

额定电压

DC 6.3 V

电容电容

暗淡。温度。

CHAR 。

tance

产品型号

（ μF ）公差

（毫米）F Y5V

1 +80, –20 % (Z)

ECJ0EF0J105Z

0.5

。包装样式代码“ E” （T = 0.5 mm）标准包装数量：10,000个/卷。

推荐焊接方法：重新溢流焊接。

■

标准产品的环境影响评估大小“ 0603 ” ，编带版本

额定电压

DC 25 V

电容电容

暗淡。温度。

CHAR 。

tance

产品型号

（ μF ）公差

（毫米） X5R

ECJ1VB1E105

0.8

±10 %(K)

2.2

4.7

±20 %(M)

●

2级

◆

温度特性代号： B（温度特性： X5R ）

DC 16 V

暗淡。温度。

CHAR 。

产品型号

（毫米） X5R

ECJ1VB1C105

0.8

ECJ1VB1C225

0.8

ECJ1VB1C475

0.8

½½

DC 10 V

暗淡。温度。

CHAR 。

产品型号

（毫米） X5R

ECJ1VB1A105

0.8

ECJ1VB1A225

0.8

ECJ1VB1A475

0.8

ECJ1VB1A106M

0.8

½½

DC 6.3 V

暗淡。温度。

CHAR 。

产品型号

（毫米） X5R

ECJ1VB0J105

0.8

ECJ1VB0J225

0.8

ECJ1VB0J475

0.8

ECJ1VB0J106M

0.8

½½

：电容公差代号： “ ”为“K”或“M”

4000个/卷：包装种类代码“V” （T = 0.8 mm）标准包装数量。

“＆ frac12 ; ” ：避免溢流焊接。

“＆ frac12 ;＆ frac12 ; ” ： “L” ， “W” ， “T”尺寸公差± 0.15毫米

◆

温度特性代码： F（温度特性：F ， Y5V ）

额定电压

DC 25 V

电容电容

暗淡。温度。

CHAR 。

tance

产品型号

（ μF ）公差

(mm)

+80,

ECJ1VF1E105Z

0.8

2.2 –20 %(Z)

DC 16 V

暗淡。温度。

CHAR 。

产品型号

(mm)

ECJ1VF1C105Z

0.8

DC 10 V

DC 6.3 V

温度。

DIM 。

暗淡。温度。

CHAR 。

产品型号

（毫米）F Y5V

ECJ1VF1A105Z

0.8

ECJ1VF1A225Z

0.8

ECJ1VF0J225Z

0.8

4000个/卷：包装种类代码“V” （T = 0.8 mm）标准包装数量。

■

标准产品的环境影响评估大小“ 0805 ” ，编带版本

额定电压

DC 25 V

电容电容

暗淡。温度。

CHAR 。

tance

产品型号

（ μF ）公差

（毫米） X5R

ECJ2FB1E105

1.25

2.2 ±10 %(K)

ECJ2FB1E225

1.25

ECJ2FB1E475

1.25

4.7

10 ±20 %(M)

●

2级

◆

温度特性代号： B（温度特性： B， X5R ）

DC 16 V

暗淡。温度。

CHAR 。

产品型号

（毫米） X5R

ECJ2FB1C105

1.25

ECJ2FB1C225

1.25

ECJ2FB1C475

1.25

ECJ2FB1C106

1.25

½½

DC 10 V

DIM 。

产品型号

(mm)

ECJ2FB1A105

1.25

ECJ2FB1A225

1.25

ECJ2FB1A475

1.25

ECJ2FB1A106

1.25

½½

ECJ2FB1A226M

1.25

½½

温度。

CHAR 。

B X5R

—

DC 6.3 V

暗淡。温度。

CHAR 。

产品型号

（毫米） X5R

ECJ2FB0J225

ECJ2FB0J475

ECJ2FB0J106

ECJ2FB0J226M

1.25

½½

1.25

½½

：电容公差代号： “ ”为“K”或“M”

的L尺寸公差， W，T ： ±0.1毫米，无标记， ±0.15毫米“＆ frac12 ; ”标志，±0.2毫米“＆ frac12 ;＆ frac12 ; ”标志。

3000个/卷：包装种类代码“F” （T = 1.50 mm）标准包装数量。

避免溢流焊接。

◆

温度特性代码： F（温度特性：F ， Y5V ）

额定电压

DC 50 V

电容电容

暗淡。温度。

CHAR 。

tance

产品型号

公差

(F)

(mm)

ECJ2FF1H105Z

1.25

+80,

2.2

4.7 –20 %(Z)

DC 25 V

暗淡。温度。

CHAR 。

产品型号

(mm)

ECJ2FF1E105Z

1.25

ECJ2FF1E225Z

1.25

DC 16 V

DC 10 V

温度。

DIM 。

暗淡。温度。

CHAR 。

产品型号

（毫米）F Y5V

ECJ2VF1C105Z

0.85

ECJGVF1C225Z

0.85

ECJGVF1C475Z

0.85

ECJGVF1A475Z

0.85

ECJ2FF1A106Z

1.25

的L尺寸公差， W，T ： L，W ： ±0.15 mm / T： ±0.1毫米，无标记， ±0.15毫米“＆ frac12 ; ”标志。

包装样式代码“ V” （T = 0.85 mm）标准包装数量： 4,000个/卷， “F” （T = 1.50毫米）： 3000个/卷。

的尺寸T焊接方法> 1毫米：避免溢流焊接。

设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。

如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。

2008年12月2日

- EC6 -