订购号： ENA1437
ECH8675
三洋半导体
数据表
ECH8675
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
1.8V驱动器。
复合型，促进高密度安装。
无卤素规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 1200毫米
2
×0.8mm)
1unit
当安装在陶瓷基体（ 1200毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
--20
±10
--4.5
--30
1.3
1.5
150
-
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
条件
ID = - 1mA时， VGS = 0V
VDS = - 20V ， VGS = 0V
VGS = ± 8V ， VDS = 0V
VDS = - 10V ，ID = - 1毫安
VDS = - 10V ， ID = - 3A
-
-0.4
3.5
5.9
评级
民
--20
--1
±10
--1.3
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
标记： TW
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号
系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序
应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的，我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并
不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估
独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
40809PE MS IM TC- 00001913号A1437-1 / 4
ECH8675
从接下页。
参数
符号
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
ID = - 3A ， VGS = - 4.5V
ID = - 1.5A ， VGS = - 2.5V
ID = - 0.5A ， VGS = - 1.8V
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
VDS = - 10V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = - 10V ，V GS = - 4.5V ，ID = - 4.5A
VDS = - 10V ，V GS = - 4.5V ，ID = - 4.5A
VDS = - 10V ，V GS = - 4.5V ，ID = - 4.5A
IS = - 4.5A ， VGS = 0V
评级
民
典型值
35
51
75
670
130
94
8.4
45
69
63
7.3
1.3
2.1
--0.82
--1.2
最大
46
72
115
单位
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
静态漏 - 源极导通电阻
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7011A-001
顶视图
0.25
2.9
0.15
8
5
0吨 0.02
2.8
2.3
电气连接
8
7
6
5
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ： Drain2
6 ： Drain2
7 ： Drain1
8 ： Drain1
顶视图
1
2
3
4
0.25
1
0.65
4
0.3
0.9
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ： Drain2
6 ： Drain2
7 ： Drain1
8 ： Drain1
博特吨OM查看
0.07
三洋： ECH8
开关时间测试电路
0V
--4.5V
VIN
VDD = --10V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
D
ID = --3A
RL=3.33Ω
VOUT
P.G
ECH8675
50Ω
S
第A1437-2 / 4
ECH8675
--4.5
--4.0
--3.5
VGS - 的Qg
VDS = --10V
ID = --4.5A
漏极电流ID -
栅极 - 源极电压VGS - V
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
ASO
IDP = --30A
PW≤10μs
10
1m
0
μ
s
s
ms
ID = --4.5A
DC
op
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IT13006
10
10
ERA
TIO
0m
s
在这一领域
由RDS （ ON）的限制。
n(
Ta
=2
5
°
C
)
--0.01
--0.01
Ta=25°C
单脉冲
当安装在陶瓷基体（ 1200毫米
2
×0.8mm)
1unit
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
总栅极电荷QG - 数控
1.6
PD - TA
漏极至源极电压VDS - V
IT14508
允许功耗， PD - 含
1.5
1.4
1.3
1.2
1.0
0.8
当安装在陶瓷基板
(1200mm
2
×0.8mm)
1u
0.6
0.4
0.2
0
t
To
ni
t
d
al
国际空间站
ip
io
at
n
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT14505
注意使用情况：由于ECH8675是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，
采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及
结构设计。
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PS第A1437-4 / 4
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