【订购数量： ENA1358ECH8660三洋半导体数据表ECH8660特点N沟道和P沟道MOSFET】,IC型号ECH8660,ECH8660 PDF资料,ECH8660经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA1358

ECH8660

三洋半导体

数据表

ECH8660

特点

N沟道和P沟道MOSFET的硅

通用开关设备

应用

该ECH8660集成了一个N沟道MOSFET和P沟道MOSFET，具有低导通电阻和

高速切换，从而enablimg高密度安装。

4V的驱动器。

无卤素规定。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

总功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

PT

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

当安装在陶瓷基体（ 1200毫米

×0.8mm)

1unit

当安装在陶瓷基体（ 1200毫米

×0.8mm)

2

条件

N沟道

30

±20

4.5

30

1.3

1.5

150

P沟道

--30

±20

--4.5

--30

单位

V

A

W

°C

-

-55到+150

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ N沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

ID = 1mA时， VGS = 0V

VDS = 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = 10V ，ID = 1毫安

1.2

30

1

±10

2.6

V

μA

V

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

标记： TF

接下页。

任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品

"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，

通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得

被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，

航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号

系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁

人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得

其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用

我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序

应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前

使用目的，我们的客户须自行负责使用。

产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定

性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并

不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该

客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估

独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的

产品或设备。

www.semiconductor-sanyo.com/network

N1908PE MS IM TC- 00001695号A1358-1 / 6

ECH8660

从接下页。

参数

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ P沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

|

YFS

|

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

ID = - 1mA时， VGS = 0V

VDS = - 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = - 10V ，ID = - 1毫安

VDS = - 10V ， ID = - 2A

ID = - 2A ， VGS = - 10V

ID = - 1A ， VGS = - 4.5V

ID = - 1A ， VGS = - 4V

VDS = - 10V ， F = 1MHz的

请参阅特定网络版测试电路。

VDS = - 10V ， VGS = - 10V ， ID = - 4.5A

IS = - 4.5A ， VGS = 0V

--30

--1

±10

-

-1.2

2.5

4.2

45

71

82

430

105

75

7.5

26

45

35

10

2.0

2.5

-

-0.85

--1.2

59

100

115

--2.3

V

μA

V

S

mΩ

pF

ns

nC

V

符号

|

YFS

|

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

条件

VDS = 10V ，ID = 2A

ID = 2A ， VGS = 10V

ID = 1A ， VGS = 4.5V

ID = 1A ， VGS = 4V

VDS = 10V ， F = 1MHz的

请参阅特定网络版测试电路。

VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 4.5A

IS = 4.5A ， VGS = 0V

评级

民

1

典型值

1.66

45

85

110

240

45

30

6.2

11

17

7.5

4.4

1.1

0.64

0.84

1.2

59

119

155

最大

单位

S

mΩ

pF

ns

nC

V

第A1358-2 / 6

ECH8660

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7011A-001

顶视图

0.25

2.9

0.15

8

5

0吨 0.02

2.8

2.3

电气连接

8

7

6

5

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

1

2

3

4

顶视图

0.25

1

0.65

4

0.3

0.9

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

博特吨OM查看

0.07

三洋： ECH8

开关时间测试电路

[ N沟道]

10V

0V

VIN

VDD=15V

[ P沟道]

0V

--10V

VIN

VDD = --15V

VIN

PW=10μs

D.C.≤1%

G

D

ID=2A

RL=7.5Ω

VOUT

PW=10μs

D.C.≤1%

VIN

D

ID = --2A

RL=7.5Ω

VOUT

G

P.G

ECH8660

50Ω

S

P.G

ECH8660

50Ω

S

15.0V

10.0V

6.0V

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0

ID - VDS

V

4.5

4.0

V

[ N沟道]

6

ID - VGS

[ N沟道]

VDS=10V

5

漏极电流ID -

4

3.5V

3

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0

1

2

3

25

°

C

VGS=3.0V

1

TA

75

°

C

2

--25

°

C

4

5

IT14211

漏极至源极电压VDS - V

IT14210

栅极 - 源极电压VGS - V

第A1358-3 / 6

ECH8660

240

RDS （ ON） - VGS

ID=1A

[ N沟道]

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

200

RDS （ ON） - TA

[ N沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

200

2A

160

120

A

I =1

4.0V ，D

=

V GS

=1A

V， I D

=4.5

VGS

=2A

V， I D

=10.0

V GS

80

40

0

2

4

6

8

10

12

14

16

0

--60

--40 --20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

5

|

y

fs

|

- ID

IT14212

环境温度，钽 -

°

C

7

5

3

2

[ N沟道]

VDS=10V

IS - VSD

IT14213

[ N沟道]

VGS=0V

正向转移导纳，

|

y

fs

|

-- S

3

源出电流，是 - 个

2

1.0

7

5

2

0.1

7

5

3

2

25

3

2

°

C

0.1

0.01

2

3

5 7 0.1

2

3

5 7 1.0

2

3

5 7

IT14214

0.01

0.2

0.4

TA

75

°

C

0.6

--25

°

C

0.8

25

°

C

°

C

-25

°

C

=-

75

Ta

1.0

7

5

3

1.0

1.2

IT14215

漏极电流ID -

7

5

SW时间 - ID

[ N沟道]

VDD=15V

VGS=10V

5

3

2

西塞，科斯，的Crss - VDS

西塞

二极管的正向电压， VSD - V

[ N沟道]

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

3

2

TD （关闭）

西塞，科斯，的Crss - pF的

100

7

5

3

2

10

7

5

3

2

tf

tr

TD （上）

科斯

CRSS

1.0

0.1

2

3

5

7

1.0

2

3

5

7

10

0

5

10

15

20

25

30

IT14217

漏极电流ID -

10

9

VGS - 的Qg

IT14216

漏极至源极电压VDS - V

7

5

3

2

[ N沟道]

ASO

[ N沟道]

PW≤10μs

0

μ

1m

s

10

ms

10

0m

s

10

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS=10V

ID=4.5A

漏极电流ID -

IDP=30A

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

IT14218

10

7

5

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

ID=4.5A

DC

op

er

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

ATI

on

（大

=

25

°C

)

0.01

0.1

Ta=25°C

单脉冲

当安装在陶瓷基板

(1200mm

2

×0.8mm)

2

3

5

7 1.0

2

3

5

7 10

2

3

5

总栅极电荷QG - 数控

漏极至源极电压VDS - V

IT14195

第A1358-4 / 6

ECH8660

V

--4.0

V

--3

.5V

--4.0

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

0

ID - VDS

--10.0V

[ P沟道]

--6

ID - VGS

VDS = --10V

[ P沟道]

--5

--4.

5

漏极电流ID -

V

--3.0V

漏极电流ID -

--6.

0

--4

--3

--2

0

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

25

°

C

--3.0

VGS = --2.5V

--1

TA

75

°

C

--25

°

C

--3.5

--4.0

漏极至源极电压VDS - V

180

RDS （ ON） - VGS

IT14186

栅极 - 源极电压VGS - V

160

[ P沟道]

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

RDS （ ON） - TA

IT14187

[ P沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

160

140

120

100

80

60

40

20

0

ID = --1A

--2A

140

120

100

80

60

40

20

0

--60

A

= --1

， ID

.0V

= --4

VGS

--1A

， I D =

V

--4.5

S=

VG

= --2A

.0V ， I D

--10

V GS =

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

--40 --20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

2

|

y

fs

|

- ID

IT14188

环境温度，钽 -

°

C

--10

7

5

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

[ P沟道]

IS - VSD

IT14189

[ P沟道]

VGS=0V

正向转移导纳，

|

y

fs

|

-- S

10

7

5

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

VDS = --10V

5

°

C

--2

°

C

=

75

Ta

25

°

C

源出电流，是 - 个

25

°

C

0.01

7

--0.001 2 3

5 7

--0.01 2 3

5 7--0.1 2 3

5 7--1.0

2 3

漏极电流ID -

100

7

SW时间 - ID

TD （关闭）

5 7--10

IT14190

--0.01

--0.2

--0.4

Ta=7

5

°

--0.6

--25

°

C

--0.8

C

--1.0

--1.2

IT14191

[ P沟道]

VDD = --15V

VGS = --10V

1000

7

5

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

[ P沟道]

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

5

西塞

tf

3

2

西塞，科斯，的Crss - pF的

3

2

tr

10

7

5

3

--0.1

100

7

5

3

科斯

CRSS

TD （上）

2

3

5

7

--1.0

2

3

5

7

--10

0

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT14193

漏极电流ID -

IT14192

漏极至源极电压VDS - V

第A1358-5 / 6

订购数量： ENA1358A

ECH8660

三洋半导体

数据表

ECH8660

特点

N沟道和P沟道MOSFET的硅

通用开关设备

应用

该ECH8660集成了一个N沟道MOSFET和P沟道MOSFET，具有低导通电阻和

高速切换，从而enablimg高密度安装

4V DRIVE

无卤合规

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

总功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

PT

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

当安装在陶瓷基体（ 1200毫米

×0.8mm)

1unit

当安装在陶瓷基体（ 1200毫米

×0.8mm)

2

条件

N沟道

30

±20

4.5

30

1.3

1.5

150

P沟道

-

-30

±20

--4.5

--30

单位

V

A

W

°C

--55到150

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ N沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

ID = 1mA时， VGS = 0V

VDS = 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = 10V ，ID = 1毫安

1.2

30

1

±10

2.6

V

μA

V

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

标记： TF

接下页。

任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品

"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，

通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得

被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，

航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号

系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁

人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得

其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用

我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序

应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前

使用目的，我们的客户须自行负责使用。

产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定

性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并

不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该

客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估

独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的

产品或设备。

http://semicon.sanyo.com/en/network

D2210 TKIM / N1908PE MSIM TC- 00001695号A1358-1 / 6

ECH8660

从接下页。

参数

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ P沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

|

YFS

|

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

ID = - 1mA时， VGS = 0V

VDS = - 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = - 10V ，ID = - 1毫安

VDS = - 10V ， ID = - 2A

ID = - 2A ， VGS = - 10V

ID = - 1A ， VGS = - 4.5V

ID = - 1A ， VGS = - 4V

VDS = - 10V ， F = 1MHz的

请参阅特定网络版测试电路。

VDS = - 10V ， VGS = - 10V ， ID = - 4.5A

IS = - 4.5A ， VGS = 0V

--30

--1

±10

-

-1.2

2.5

4.2

45

71

82

430

105

75

7.5

26

45

35

10

2.0

2.5

-

-0.85

--1.2

59

100

115

--2.3

V

μA

V

S

mΩ

pF

ns

nC

V

符号

|

YFS

|

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

条件

VDS = 10V ，ID = 2A

ID = 2A ， VGS = 10V

ID = 1A ， VGS = 4.5V

ID = 1A ， VGS = 4V

VDS = 10V ， F = 1MHz的

请参阅特定网络版测试电路。

VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 4.5A

IS = 4.5A ， VGS = 0V

评级

民

1

典型值

1.66

45

85

110

240

45

30

6.2

11

17

7.5

4.4

1.1

0.64

0.84

1.2

59

119

155

最大

单位

S

mΩ

pF

ns

nC

V

第A1358-2 / 6

ECH8660

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7011A-001

顶视图

0.25

2.9

0.15

8

5

0吨 0.02

2.8

2.3

电气连接

8

7

6

5

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

1

2

3

4

顶视图

0.25

1

0.65

4

0.3

0.9

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

博特吨OM查看

0.07

三洋： ECH8

开关时间测试电路

[ N沟道]

10V

0V

VIN

VDD=15V

[ P沟道]

0V

--10V

VIN

VDD = --15V

VIN

PW=10μs

D.C.≤1%

G

D

ID=2A

RL=7.5Ω

VOUT

PW=10μs

D.C.≤1%

VIN

D

ID = --2A

RL=7.5Ω

VOUT

G

P.G

ECH8660

50Ω

S

P.G

ECH8660

50Ω

S

15.0V

10.0V

6.0V

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0

ID - VDS

V

4.5

4.0

V

[ N沟道]

6

ID - VGS

[ N沟道]

VDS=10V

5

漏极电流ID -

4

3.5V

3

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0

1

2

3

25

°

C

VGS=3.0V

1

TA

75

°

C

2

--25

°

C

4

5

IT14211

漏极至源极电压VDS - V

IT14210

栅极 - 源极电压VGS - V

第A1358-3 / 6

ECH8660

240

RDS （ ON） - VGS

ID=1A

[ N沟道]

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

200

RDS （ ON） - TA

[ N沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

200

2A

160

120

A

I =1

4.0V ，D

=

V GS

=1A

V， I D

=4.5

VGS

=2A

V， I D

=10.0

V GS

80

40

0

2

4

6

8

10

12

14

16

0

--60

--40 --20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

5

|

y

fs

|

- ID

IT16223

环境温度，钽 -

°

C

7

5

3

2

[ N沟道]

VDS=10V

IS - VSD

IT14213

[ N沟道]

VGS=0V

正向转移导纳，

|

y

fs

|

-- S

3

源出电流，是 - 个

2

1.0

7

5

2

0.1

7

5

3

2

25

3

2

°

C

0.1

0.01

2

3

5 7 0.1

2

3

5 7 1.0

2

3

5 7

IT14214

0.01

0.2

0.4

TA

75

°

C

0.6

--25

°

C

0.8

25

°

C

°

C

-25

°

C

=-

75

Ta

1.0

7

5

3

1.0

1.2

IT14215

漏极电流ID -

7

5

SW时间 - ID

[ N沟道]

VDD=15V

VGS=10V

5

3

2

西塞，科斯，的Crss - VDS

西塞

二极管的正向电压， VSD - V

[ N沟道]

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

3

2

TD （关闭）

西塞，科斯，的Crss - pF的

100

7

5

3

2

10

7

5

3

2

tf

tr

TD （上）

科斯

CRSS

1.0

0.1

2

3

5

7

1.0

2

3

5

7

10

0

5

10

15

20

25

30

IT14217

漏极电流ID -

10

9

VGS - 的Qg

IT14216

漏极至源极电压VDS - V

7

5

3

2

[ N沟道]

ASO

[ N沟道]

PW≤10μs

0

μ

1m

s

10

ms

10

0m

s

10

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS=10V

ID=4.5A

漏极电流ID -

IDP=30A

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

IT14218

10

7

5

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

ID=4.5A

DC

op

er

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

ATI

on

（大

=

25

°C

)

0.01

0.1

Ta=25°C

单脉冲

当安装在陶瓷基板

(1200mm

2

×0.8mm)

2

3

5

7 1.0

2

3

5

7 10

2

3

5

总栅极电荷QG - 数控

漏极至源极电压VDS - V

IT14195

第A1358-4 / 6

ECH8660

V

--4.0

V

--3

.5V

--4.0

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

0

ID - VDS

--10.0V

[ P沟道]

--6

ID - VGS

VDS = --10V

[ P沟道]

--5

--4.

5

漏极电流ID -

V

--3.0V

漏极电流ID -

--6.

0

--4

--3

--2

0

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

25

°

C

--3.0

VGS = --2.5V

--1

TA

75

°

C

--25

°

C

--3.5

--4.0

漏极至源极电压VDS - V

180

RDS （ ON） - VGS

IT14186

栅极 - 源极电压VGS - V

160

[ P沟道]

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

RDS （ ON） - TA

IT14187

[ P沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

160

140

120

100

80

60

40

20

0

ID = --1A

--2A

140

120

100

80

60

40

20

0

--60

A

= --1

， ID

.0V

= --4

VGS

--1A

， I D =

V

--4.5

S=

VG

= --2A

.0V ， I D

--10

V GS =

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

--40 --20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

2

|

y

fs

|

- ID

IT16224

环境温度，钽 -

°

C

--10

7

5

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

[ P沟道]

IS - VSD

IT14189

[ P沟道]

VGS=0V

正向转移导纳，

|

y

fs

|

-- S

10

7

5

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

VDS = --10V

5

°

C

--2

°

C

=

75

Ta

25

°

C

源出电流，是 - 个

25

°

C

0.01

7

--0.001 2 3

5 7

--0.01 2 3

5 7--0.1 2 3

5 7--1.0

2 3

漏极电流ID -

100

7

SW时间 - ID

TD （关闭）

5 7--10

IT14190

--0.01

--0.2

--0.4

Ta=7

5

°

--0.6

--25

°

C

--0.8

C

--1.0

--1.2

IT14191

[ P沟道]

VDD = --15V

VGS = --10V

1000

7

5

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

[ P沟道]

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

5

西塞

tf

3

2

西塞，科斯，的Crss - pF的

3

2

tr

10

7

5

3

--0.1

100

7

5

3

科斯

CRSS

TD （上）

2

3

5

7

--1.0

2

3

5

7

--10

0

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT14193

漏极电流ID -

IT14192

漏极至源极电压VDS - V

第A1358-5 / 6