订购数量： EN8718
ECH8621R
三洋半导体
数据表
N沟道MOSFET硅
ECH8621R
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻。
最适合于锂离子电池的应用。
2.5V驱动器。
复合型，促进高密度安装。
排水常用规格。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
!0.8mm)
1unit
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
!0.8mm)
条件
评级
20
±12
8
40
1.4
1.5
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
RDS(on)4
西塞
科斯
CRSS
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 20V ， VGS = 0V
VGS = ± 8V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 4A
ID = 4A ， VGS = 4.5V
ID = 4A ， VGS = 4.0V
ID = 4A ， VGS = 3.1V
ID = 2A ， VGS = 2.5V
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
评级
民
20
1
±10
0.5
6.6
11
11.2
12
13.2
11
15.5
16
18.5
22
1250
240
210
20
21
24
30
1.3
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
m
m
pF
pF
pF
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
标记： WF
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
82306 / 62006PE MS IM TB- 00002065 No.8718-1 / 4
ECH8621R
从接下页。
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 8A
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 8A
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 8A
IS = 8A ， VGS = 0V
评级
民
典型值
544
2200
4400
3700
15
2.5
5
0.85
1.2
最大
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm
7011A-003
顶视图
0.25
电气连接
8
7
6
5
2.9
0.15
8
5
0至0.02
1
2
3
4
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ：排水
6 ：排水
7 ：漏
8 ：排水
顶视图
2.8
2.3
0.25
1
0.65
4
0.3
0.9
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ：排水
6 ：排水
7 ：漏
8 ：排水
底部视图
0.07
三洋： ECH8
开关时间测试电路
VIN
4V
0V
VIN
ID=4A
RL=2.5
VDD=10V
D
PW=10s
D.C.≤1%
Rg
VOUT
G
ECH8621R
P.G
50
S
Rg=1k
No.8718-2/4
ECH8621R
1.6
PD - TA
安装在陶瓷基板
(900mm
2
!0.8mm)
1unit
允许功耗， PD - 含
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
To
t
al
D
1u
ni
国际空间站
ip
t
at
io
n
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT08323
注意使用情况：由于ECH8621R是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何规范，并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，
并且不保证的性能，特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状，并指出不能
在一个独立的设备进行评估，客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障
可能引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起冒烟或
火，或可能造成损害的其他财产。在设计产品时，必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计，多余的设计和结构设计，电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品（包括技术数据和服务）
或此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规，控制，
产品在没有得到来自有关的部门的出口许可证出口
按照上述规律。
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PS No.8718-4 / 4
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