【订购数量： ENA0658ECH8619三洋半导体数据表N沟道和P沟道MOSFET的硅ECH8619】,IC型号ECH8619,ECH8619 PDF资料,ECH8619经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA0658

ECH8619

三洋半导体

数据表

N沟道和P沟道MOSFET的硅

ECH8619

特点

通用开关设备

应用

该ECH8619集成了一个N沟道MOSFET和P沟道MOSFET，具有低导通电阻和

超高速的切换，从而可实现高密度安装。

4V的驱动器。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

总功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

PT

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷板（ 900毫米

0.8mm)

1unit

2

条件

N沟道

60

±20

3

20

1.3

1.5

150

2

P沟道

-

-60

±20

--2

-

-20

单位

V

A

W

°C

安装在陶瓷板（ 900毫米

0.8mm)

--55到150

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ N沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

ID = 1mA时， VGS = 0V

VDS = 60V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ，ID = 1.5A

ID = 1.5A ， VGS = 10V

ID = 0.5A ， VGS = 4V

1.2

2.2

3.8

70

92

93

133

60

1

±10

2.6

V

A

V

S

m

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

标记： FM

接下页。

任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品

"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，

通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得

意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天

仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全

设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，

故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证

物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们

客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请

与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们

客户应自行负责使用。

产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定

的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不

的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证

客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态

设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或

设备。

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

22107PE TI IM TC- 00000521号A0658-1 / 6

ECH8619

从接下页。

参数

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ P沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

ID = - 1mA时， VGS = 0V

VDS = - 60V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = - 10V ，ID = -

-1mA

VDS = - 10V ，ID = -

-1A

ID = - 1A ， VGS = - 10V

ID = - 0.5A ， VGS = -

-4V

VDS = - 20V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = - 30V ， VGS = -

-10V ， ID = - 2A

VDS = - 30V ， VGS = -

-10V ， ID = - 2A

VDS = - 30V ， VGS = -

-10V ， ID = - 2A

IS = - 2A ， VGS = 0V

--1.2

2.1

3.5

160

210

660

54

42

10.5

7.0

93

30

15

2.1

2.7

--0.82

--1.2

210

295

--60

--1

±10

--2.6

V

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

符号

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

条件

VDS = 20V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 3A

IS = 3A ， VGS = 0V

评级

民

典型值

560

60

41

11

61

32

12.8

2.1

2.7

0.81

1.2

最大

单位

pF

ns

nC

V

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7011A-001

电气连接

8

顶视图

0.25

7

6

5

2.9

0.15

8

5

0至0.02

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

顶视图

2.8

2.3

1

0.65

2

3

4

0.3

0.9

0.25

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

底部视图

0.07

三洋： ECH8

第A0658-2 / 6

ECH8619

开关时间测试电路

[ N沟道]

[ P沟道]

VIN

0V

--10V

VIN

ID = --1A

RL=30

VDD = --30V

VIN

10V

0V

VIN

VDD=30V

ID=1.5A

RL=20

D

PW=10s

D.C.≤1%

VOUT

D

PW=10s

D.C.≤1%

VOUT

G

ECH8619

P.G

50

ECH8619

P.G

50

S

10V

8.0V

6.0

V

3.0V

漏极电流ID -

--1.5

2

5.0

V

--1.0

--15

.0V

--5.

0V

--6

.0V

-

-4.

0V

--3

.0V

3

ID - VDS

4.0

V

[ N沟道]

--2.0

ID - VDS

--10.

0V

[ P沟道]

VGS =

--2.5V

1

--0.5

VGS=2.5V

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

漏极至源极电压VDS - V

3.0

IT08979

ID - VGS

漏极至源极电压VDS - V

--4

IT10644

[ N沟道]

ID - VGS

[ P沟道]

VDS=10V

VDS =

--10V

2.5

漏极电流ID -

2.0

漏极电流ID -

--3

1.5

--2

1.0

5

°

C

0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

5

°

C

0.5

TA

7

0

0.5

1.0

1.5

2.0

25

0

3.0

3.5

IT08980

--2.5

--3.0

--3.5

IT10645

2.5

栅极 - 源极电压VGS - V

TA

7

--1

25

°

--25

C

°

C

第A0658-3 / 6

°

C

--2

5

°

C

ECH8619

200

RDS （ ON） - VGS

[ N沟道]

Ta=25

°

C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 米

450

400

350

300

250

200

150

100

50

0

RDS （ ON） - VGS

[ P沟道]

Ta=25

°

C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 米

180

160

--1A

ID=0.5A

140

1.5A

120

100

80

60

40

0

2

4

6

8

10

IT08981

ID = --0.5A

0

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

栅极 - 源极电压VGS - V

200

栅极 - 源极电压VGS - V

450

IT10646

RDS （ ON） - TA

[ N沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 米

RDS （ ON） - TA

[ P沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 米

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

--60

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

400

350

300

250

200

150

100

50

0

--60

=4V

， VGS

V

0.5A

=10

I D =

VGS

,

1.5A

I D =

--4V

S=

VG

V

A,

--10

0.5

=

--

S=

ID

A， VG

--1.0

I D =

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

10

7

5

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

0.01

0.001 2 3

5 70.01

2 3

5 7 0.1

2 3

5 7 1.0

2 3

IT08982

环境温度，钽 -

°C

10

IT10647

y

fs - ID

VDS=10V

[ N沟道]

正向转移导纳，

y

fs - S

y

fs - ID

VDS =

--10V

[ P沟道]

正向转移导纳，

y

fs - S

7

5

3

2

=

Ta

--

°

C

25

°

C

75

1.0

7

5

3

2

=

Ta

C

5

°

--2

25

°

C

75

°

C

°

C

漏极电流ID -

10

7

5

3

2

5 7 10

IT08983

0.1

--0.01

2

3

5

7 --0.1

2

3

5

7 --1.0

2

3

5

7

IS - VSD

漏极电流ID -

7

5

3

2

IT10648

[ N沟道]

IS - VSD

[ P沟道]

VGS=0V

源出电流，是 - 个

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

0.01

7

5

3

2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

TA

75

°

C

25

°

C

--25

°

C

--0.01

7

5

3

2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

IT10649

0.001

0.2

--0.001

--0.2

二极管的正向电压， VSD - V

IT08984

二极管的正向电压， VSD - V

TA

7

--25

°

C

5

°

C

25

°

C

第A0658-4 / 6

ECH8619

1000

7

5

SW时间 - ID

[ N沟道]

VDD=30V

VGS=10V

1000

7

5

SW时间 - ID

[ P沟道]

VDD = --30V

VGS = --10V

切换时间， SW时间 - NS

3

2

100

7

5

3

2

10

7

5

3

2

1.0

0.01

2

3

5 7 0.1

2

3

5 7 1.0

2

3

5 7 10

IT08985

切换时间， SW时间 - NS

3

2

100

7

5

3

2

TD （关闭）

tf

TD （上）

TD （关闭）

tf

TD （上）

tr

10

7

5

3

2

1.0

--0.01

2

3

5 7 --0.1

tr

2

3

5 7 --1.0

2

3

5 7

IT10650

3

2

1000

西塞，科斯，的Crss - VDS

漏极电流ID -

[ N沟道]

f=1MHz

2

西塞，科斯，的Crss - VDS

漏极电流ID -

[ P沟道]

f=1MHz

1000

西塞，科斯，的Crss - pF的

7

5

3

2

100

7

5

3

2

10

0

5

10

西塞

7

5

3

2

西塞

科斯

CRSS

100

7

5

3

2

科斯

CRSS

15

20

25

30

IT08986

0

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT10651

漏极至源极电压VDS - V

10

9

VGS - 的Qg

漏极至源极电压VDS - V

--10

--9

[ N沟道]

VGS - 的Qg

[ P沟道]

栅极 - 源极电压VGS - V

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS=30V

ID=3A

VDS =

--30V

ID ↓

--2A

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10 11 12 13 14 15

IT10652

总栅极电荷QG - 数控

5

3

2

10

7

5

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

IT08987

总栅极电荷QG - 数控

5

3

2

--10

7

5

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

ASO

IDP=20A

10

ID=3A

[ N沟道]

ASO

IDP = --20A

[ P沟道]

PW

≤10s

PW

≤10s

漏极电流ID -

10

漏极电流ID -

1m

DC

m

10

op

0m

er

s

ATI

on

(T

a=

2

0

s

10

0

s

1m

s

ID ↓

--2A

s

DC

op

ERA

t

10

0m

s

离子

（大

10

ms

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

5

°

C)

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

=2

5

°

C

)

0.01

Ta=25

°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 900毫米

2

0.8mm)

1unit

2 3

5 7 0.1

2 3

5 7 1.0

2 3

5 7 10

2 3

漏极至源极电压VDS - V

5 7 100

IT08988

--0.01

--0.1

Ta=25

°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 900毫米

2

0.8mm)

1unit

2

3

5 7 --1.0

2

3

5 7 --10

2

3

漏极至源极电压VDS - V

5 7 --100

IT10653

第A0658-5 / 6