订购数量： ENN8328
ECH8601R
N沟道MOSFET硅
ECH8601R
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻。
内置栅极保护电阻器。
2.5V驱动器。
最适合于的LiB充电和放电开关。
共漏型。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
!
0.8毫米） 1台
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
!
0.8mm)
条件
评级
20
±12
6.5
40
1.4
1.5
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
RDS(on)4
西塞
科斯
CRSS
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 20V ， VGS = 0V
VGS = ± 8V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ， ID = 3.5A
ID = 4A ， VGS = 4.5V
ID = 4A ， VGS = 4.0V
ID = 4A ， VGS = 3.1V
ID = 2A ， VGS = 2.5V
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
评级
民
20
1
±10
0.5
7.0
10
17
18
20
24
1140
420
190
23
24
30
35
1.3
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
m
m
pF
pF
pF
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
标记： WB
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
62405PE MS IM TB- 00001317 No.8328-1 / 4
ECH8601R
从接下页。
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 6.5A
VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 6.5A
VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 6.5A
IS = 6.5A ， VGS = 0V
评级
民
典型值
425
1500
4000
2860
26.8
1.4
5.1
0.75
1.2
最大
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm
7011-003
顶视图
0.25
0.3
0.15
电气连接
8
7
6
5
8
5
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ：排水
6 ：排水
7 ：漏
8 ：排水
1
2
3
4
2.3
0.65
2.9
0.25
1
4
2.8
顶视图
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ：排水
6 ：排水
7 ：漏
8 ：排水
三洋： ECH8
底部视图
开关时间测试电路
VIN
4V
0V
VIN
ID=3.5A
RL=2.86
VDD=10V
0.07
0.9
D
PW=10s
D.C.≤1%
VOUT
G
Rg
ECH8601R
P.G
50
S
Rg=1k
No.8328-2/4
ECH8601R
100
7
5
3
2
ASO
允许功耗， PD - 含
1.8
PD - TA
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
!0.8mm)
1unit
IDP=40A
≤10s
1m
ID=6.5A
漏极电流ID -
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
10
10
s
1.6
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0m
ms
DC
s
op
ERA
TIO
n
To
ta
1u
lD
ni
t
国际空间站
操作在此
区域由的RDS（on ）的限制。
Ta=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
!0.8mm)
1unit
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
IPA
TIO
n
0.01
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
160
漏极至源极电压VDS - V
IT09496
环境温度，钽 -
°C
IT09497
注意使用情况：由于ECH8601R是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
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