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订购数量： ENA1886A
ECH8419
三洋半导体
数据表
ECH8419
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
导通电阻RDS （ ON） 1 = 13米
Ω
（典型值）。
4V DRIVE
无卤合规
在保护二极管
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 900毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
35
±20
9
40
1.5
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7011A-002
顶视图
0.25
2.9
0.15
产品&包装信息
包
： ECH8
JEITA ， JEDEC
:-
最小包装数量： 3000个/卷。
ECH8419-TL-H
包装类型： TL
记号
8
5
0吨 0.02
KZ
TL
2.8
2.3
LOT号
0.25
1
0.65
4
0.3
电气连接
1 ：源
2 ：源
3 ：源
4 ：门
5 ：排水
6 ：排水
7 ：漏
8 ：排水
8
7
6
5
0.07
0.9
博特吨OM查看
三洋： ECH8
1
2
3
4
http://semicon.sanyo.com/en/network
60612 TKIM / 20211PE TKIM TC- 00002564号A1886-1 / 7
ECH8419
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 9A ， VGS = 0V
VDS = 20V ， VGS = 10V ， ID = 9A
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 35V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 5A
ID = 5A ， VGS = 10V
ID = 2.5A ， VGS = 4.5V
ID = 2.5A ， VGS = 4V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
评级
民
35
1
±10
1.2
4.3
13
21
27
960
130
80
13
请参阅特定网络版测试电路。
26
66
31
19
3.9
3.8
0.85
1.2
17
30
38
2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VIN
VDD=20V
ID=5A
RL=4Ω
D
VOUT
10V
0V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
ECH8419
P.G
50Ω
S
订购信息
设备
ECH8419-TL-H
包
ECH8
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
第A1886-2 / 7
ECH8419
14.0V
10.0V
10
9
8
ID - VDS
6.0V
4.5V
14
12
ID - VGS
VDS=10V
4.0
V
漏极电流ID -
漏极电流ID -
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
8
6
4
2
0
3.5V
Ta=75
°
C
0
1
2
3
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
25
°
C
VGS=3.0V
--25
°
C
4
5
IT15794
漏极至源极电压VDS - V
60
RDS （ ON） - VGS
IT15793
60
栅极 - 源极电压VGS - V
RDS （ ON） - TA
Ta=25
°
C
ID=2.5A
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
5A
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
50
50
40
40
30
30
20
20
A
I =2.5
= 4.0V ，D
V GS
=2.5A
为4.5V ， I D
4
V GS =
=5.0A
.0V ， I D
10
V GS =
10
10
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压VGS - V
10
|
y
fs
|
- ID
C
25
°
IT16144
3
2
10
7
5
环境温度，钽 -
°
C
IS - VSD
IT16145
正向转移导纳，
|
y
fs
|
-- S
7
5
3
2
VDS=10V
VGS=0V
源出电流，是 - 个
7
5
3
2
0.1
0.01
3
2
0.1
7
5
3
2
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
漏极电流ID -
2
SW时间 - ID
5 7 10
2
IT15797
0.01
0.2
0.4
TA
75
1.0
0.6
--25
°
C
0.8
25
°
C
°
C
C
5
°
--2
=
°
C
Ta
75
3
2
1.0
7
5
1.0
1.2
IT15798
3
西塞，科斯，的Crss - VDS
二极管的正向电压， VSD - V
切换时间， SW时间 - NS
100
7
5
3
2
VDD=20V
VGS=10V
西塞，科斯，的Crss - pF的
TD （关闭）
f=1MHz
2
1000
7
5
3
2
西塞
tf
TD （上）
10
7
5
3
0.1
tr
科斯
100
7
CRSS
0
5
10
15
20
25
30
35
IT15800
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
IT15892
5
漏极电流ID -
漏极至源极电压VDS - V
第A1886-3 / 7
ECH8419
10
9
VGS - 的Qg
VDS=20V
ID=9A
漏极电流ID -
栅极 - 源极电压VGS - V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ASO
IDP = 40A （ PW
≤
10
μs)
ID=9A
DC
op
e
10
ms
10
0m
s
10
0
1m
μ
s
s
RAT
离子
操作在此
区域由的RDS（on ）的限制。
(T
a=
25
°
C
)
0.01
0.01
Ta=25°C
单脉冲
当安装在陶瓷基体（ 900毫米
2
×0.8mm)
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
总栅极电荷QG - 数控
2.0
PD - TA
IT16146
漏极至源极电压VDS - V
5 7 100
IT16147
允许功耗， PD - 含
1.8
1.6
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
当安装在陶瓷基板
(900mm
2
×0.8mm)
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT16148
第A1886-4 / 7
ECH8419
压纹带包装特定网络阳离子
ECH8419-TL-H
第A1886-5 / 7
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EEUEB2C680S
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E82802AC8
E693AHJ
ESD9D3.3
E39-L93V
E1SFBS-20000M
EVD15F0S500S
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型号
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封装
单价/备注
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ECH8419-TL-H
    -
    -
    -
    -
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