【订购数量： ENA1430AECH8310三洋半导体数据表ECH8310特点P沟道MOSFET硅通用】,IC型号ECH8310-TL-H,ECH8310-TL-H PDF资料,ECH8310-TL-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA1430A

ECH8310

三洋半导体

数据表

ECH8310

特点

P沟道MOSFET硅

通用开关设备

应用

4V DRIVE

无卤合规

在保护二极管

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

当安装在陶瓷基体（ 900毫米

×0.8mm)

条件

评级

--30

±20

-9

--60

1.5

150

--55到150

单位

°C

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7011A-002

顶视图

0.25

2.9

0.15

产品&包装信息

包

： ECH8

JEITA ， JEDEC

最小包装数量： 3000个/卷。

ECH8310-TL-H

包装类型： TL

0吨 0.02

记号

LOT号

2.8

2.3

0.25

0.65

0.3

电气连接

1 ：源

2 ：源

3 ：源

4 ：门

5 ：排水

6 ：排水

7 ：漏

8 ：排水

0.07

0.9

博特吨OM查看

三洋： ECH8

http://semicon.sanyo.com/en/network

60612 TKIM / O1409PE TK IM TC- 00002092号A1430-1 / 7

ECH8310

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

IS = - 9A ， VGS = 0V

VDS = - 15V ，V GS = - 10V ，ID = - 9A

请参阅特定网络版测试电路。

VDS = - 10V ， F = 1MHz的

条件

ID = - 1mA时， VGS = 0V

VDS = - 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = - 10V ，ID = - 1毫安

VDS = - 10V ，ID = - 4.5A

ID = - 4.5A ， VGS = - 10V

ID = - 2A ， VGS = - 4.5V

ID = - 2A ， VGS = - 4.0V

评级

民

--30

-1

±10

--1.2

13.5

1400

350

250

134

--0.8

--1.2

32.5

-2.6

典型值

最大

单位

μA

mΩ

开关时间测试电路

--10V

VIN

VDD = --15V

VIN

PW=10μs

D.C.≤1%

ID = --4.5A

RL=3.3Ω

VOUT

P.G

ECH8310

50Ω

订购信息

设备

ECH8310-TL-H

包

ECH8

航运

3,000pcs./reel

备忘录

无铅和无卤素

第A1430-2 / 7

ECH8310

--10.0V

--8.0V

--9

--8

--7

ID - VDS

--4.0

--4.5

--3.5

--9

--8

--7

ID - VGS

VDS = --10V

漏极电流ID -

--5

--4

--3

--2

--1

--0.1

--6.0

--6

2.5V

V GS = -

漏极电流ID -

--6

--5

--4

--2

--1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

--0.5

--1.0

--1.5

Ta=7

--2.0

--3

--2.5

--3.0

--25

--3.5

漏极至源极电压VDS - V

RDS （ ON） - VGS

IT15075

栅极 - 源极电压VGS - V

RDS （ ON） - TA

IT14478

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

ID = --2A

--4.5A

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

--60

= --

VGS

= --2

V， I D

--4.5

--4.5A

， I D =

.0V

= --10

V GS

4.0

= --

， ID

2.0A

.0A

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

--40

--20

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

- ID

IT14479

环境温度，钽 -

IS - VSD

IT14480

正向转移导纳，

-- S

VDS = --10V

源出电流，是 - 个

1.0

0.1

--0.01

--10

--1.0

--0.1

VGS=0V

--2

5 7 --0.1

5 7 --1.0

5 7 --10

--0.01

--0.001

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--25

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

漏极电流ID -

SW时间 - ID

TD （关闭）

IT14481

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

IT14482

VDD = --15V

VGS = --10V

西塞，科斯，的Crss - pF的

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

100

西塞

1000

TD （上）

科斯

CRSS

--0.1

7 --1.0

7 --10

100

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

--18

--20

漏极电流ID -

IT14483

漏极至源极电压VDS - V

IT14484

第A1430-3 / 7

ECH8310

--10

VGS - 的Qg

VDS = --15V

ID = --9A

--100

--10

--1.0

ASO

IDP =

--60A

PW≤10μs

栅极 - 源极电压VGS - V

--8

漏极电流ID -

ID = --9A

--6

ERA

TIO

--4

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

)

--2

IT14485

总栅极电荷QG - 数控

1.8

PD - TA

--0.1

Ta=25°C

单脉冲

--0.01

当安装在陶瓷基体（ 900毫米

×0.8mm)

--0.01 2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5

漏极至源极电压VDS - V

IT14500

允许功耗， PD - 含

1.6

1.5

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

当安装在陶瓷基板

(900mm

×0.8mm)

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT14486

第A1430-4 / 7

ECH8310

压纹带包装特定网络阳离子

ECH8310-TL-H

第A1430-5 / 7

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