RF3934
120W的GaN宽带功率放大器
包装：密封2针法兰瓷
特点
宽带运营直流
3.5GHz
先进的GaN HEMT
技术
先进的散热器
技术
小信号增益= 13分贝在
2GHz
48V的典型操作
性能
输出功率140W的P3dB
漏极效率60 ％ ，在P3dB
-40 ° C至85° C操作
在RF
VG
引脚1 （ CUT ）
GND
BASE
RF OUT
VD
销2
功能框图
产品说明
该RF3934是一种48V 120W高功率分立放大器，专为商用
无线基础设施，移动和WiMAX基础设施，工业/的科
tific /医疗和通用宽带放大器应用。使用
先进的高功率密度的氮化镓（ GaN）的半导体工艺中，这些
高性能放大器实现了高效率和平坦增益点多面广频
昆西范围在单一放大器设计。该RF3934是一种无与伦比的GaN转录
体管封装在一个密闭型，带凸缘的陶瓷封装。这个软件包提供
通过使用先进的散热器和功率耗散优异的热稳定性
而不能使技术。易于集成是通过掺入完成
简单，优化的匹配外部提供包宽网
在单波段放大器增益和功率性能。
应用
商用无线
基础设施
蜂窝和WiMAX
基础设施
民用和军用雷达
通用宽带
放大器器
公共移动无线电
工业，科学和
医
订购信息
RF3934S2
RF3934SB
RF3934SQ
RF3934SR
RF3934TR7
RF3934PCK-411
2件样品袋
5件包
25连体袋
100件7 “短盘
750件7 “卷轴
完全组装的评估板优化
2.14GHz时; 48V
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
HBT的BiFET
LDMOS
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2012 ， RF Micro Devices公司
DS120306
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
1 14
RF3934
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
D
)
栅极电压（V
G
)
栅极电流（I
G
)
工作电压
耐用性（驻波比）
存储温度范围
工作温度范围（T
C
)
工作结温（T
J
)
人体模型
平均无故障时间（T
J
< 200 ° C， 95 ％置信限） *
热阻，R
TH
（结点到外壳）
测量在T
C
只= 85°C ，直流偏置
等级
150
-8至+2
78
65
10:1
-55到+125
-40至+85
200
1A级
3 x 10
6
1.6
单位
V
V
mA
V
°C
°C
°C
小时
° C / W
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
RFMD绿：每个符合RoHS欧盟指令2002/95 / EC ，无卤素合规
符合IEC 61249-2-21 ， < 1000ppm的每个三氧化二锑在聚合物中
材料和红磷作为阻燃剂，和<2 ％的锑中
焊料。
*平均无故障时间 - 平均无故障时间的磨损出的故障模式（30％予
DSS
降解），通过该技术工艺的可靠性来确定。参考
产品认证报告FIT （随机）的故障率。
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行，设备的电压和
电流不得超过表中规定的最大工作值
下文。
偏置条件也应满足下面的表达式：
P
DISS
< （T
J
- T
C
) / R
TH
J- C和T
C
= T
例
参数
推荐工作条件
漏极电压（V
DSQ
)
栅极电压（V
GSQ
)
漏极偏置电流
操作的频率
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
28
-4.5
DC
9
40
27.5
2
2.5
-4.2
0.25
-3.4
10
55
12
60
-12
-3.7
440
3500
48
-2.5
单位
V
V
mA
兆赫
pF
pF
pF
mA
mA
V
V
V
dB
%
dB
条件
电容
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
V
G
= - 8V, V
D
= 0V
V
G
= - 8V, V
D
= 0V
V
G
= - 8V, V
D
= 0V
V
G
= - 8V时， VD = OV
V
G
= - 8V时， VD = 48V
V
D
= 48V ，我
D
= 20mA下
V
G
= 0V ，我
D
= 1.5A
V
D
= 48V ，我
D
= 440毫安
CW ，P
OUT
= 50.8dBm ， F = 2140MHz时
CW ，P
OUT
= 50.8dBm ， F = 2140MHz时
CW ，P
OUT
= 50.8dBm ， F = 2140MHz时
DC功能测试
I
G（ OFF）
- 栅极泄漏
I
D（关闭）
- 漏极漏电
V
GS （ TH）
- 阈值电压
V
DS （ ON）
- 漏极电压高电流
RF功能测试
V
GSQ
收益
漏EF网络效率
输入回波损耗
2 14
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
DS120306
RF3934
参数
典型的射频性能
小信号增益
小信号增益
在P3dB输出功率
在P3dB输出功率
漏极效率为P3dB
漏极效率为P3dB
21
13
51.60
51.46
75
60
dB
dB
DBM
DBM
%
%
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
[1], [2]
条件
CW中，f = 900MHz的
CW ， F = 2140MHz时
CW中，f = 900MHz的
CW ， F = 2140MHz时
CW中，f = 900MHz的
CW ， F = 2140MHz时
[1]测试条件： CW操作，V
DSQ
= 48V ，我
DQ
= 440毫安， T = 25℃
[2]在一个标准的调谐测试夹具的性能。
DS120306
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
3 14
RF3934
在标准2.14GHz时调谐测试夹具典型性能
（连续波，T = 25 ℃，除非另有说明）
4 14
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
DS120306
RF3934
DS120306
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
5 14
RF3932
60W的GaN宽带功率放大器
包装：密封2针法兰瓷
特点
宽带运营直流
3.5GHz
先进的GaN HEMT
技术
先进的散热器
技术
小信号增益= 14分贝在
2GHz
48V的典型操作
性能
输出功率75W ，在P3dB
漏极效率为68％ ，在P3dB
-40 ° C至85° C操作
在RF
VG
引脚1 （ CUT ）
GND
BASE
RF OUT
VD
销2
功能框图
产品说明
该RF3932是48V ， 60W的高功率分立放大器，专为商用
无线基础设施，移动和WiMAX基础设施，工业/的科
tific /医疗和通用宽带放大器应用。使用
先进的高功率密度的氮化镓（ GaN）的半导体工艺中，这些
高性能放大器实现了高效率和平坦增益点多面广频
昆西范围在单一放大器设计。该RF3932是一种无与伦比的GaN转录
体管，包装在密封的法兰的陶瓷封装。这个软件包提供
通过使用先进的散热器和功率耗散优异的热稳定性
而不能使技术。易于集成是通过将简单的完成，
外部提供宽带增益包优化的匹配网络
在单个放大器和功率性能。
应用
商用无线
基础设施
蜂窝和WiMAX
基础设施
民用和军用雷达
通用宽带
放大器器
公共移动无线电
工业，科学和
医
订购信息
RF3932S2
RF3932SB
RF3932SQ
RF3932SR
RF3932TR7
RF3932PCK-411
2件样品袋
5件包
25连体袋
100件7 “短盘
750件7 “卷轴
完全组装的评估板为2.14GHz时的优化; 48V
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
HBT的BiFET
LDMOS
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2012 ， RF Micro Devices公司
DS120406
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
1 14
RF3932
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
D
)
栅极电压（V
G
)
栅极电流（I
G
)
工作电压
耐用性（驻波比）
存储温度范围
工作温度范围（T
C
)
工作结温（T
J
)
人体模型
平均无故障时间（T
J
< 200 ° C， 95 ％置信限） *
热阻，R
TH
（结点到外壳）
测量在T
C
只= 85°C ，直流偏置
等级
150
-8至+2
39
65
10:1
-55到+125
-40至+85
200
1A级
3 x 10
6
2.6
单位
V
V
mA
V
°C
°C
°C
小时
° C / W
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
RFMD绿：每个符合RoHS欧盟指令2002/95 / EC ，无卤素合规
符合IEC 61249-2-21 ， < 1000ppm的每个三氧化二锑在聚合物中
材料和红磷作为阻燃剂，和<2 ％的锑中
焊料。
*平均无故障时间 - 平均无故障时间的磨损出的故障模式（30％予
DSS
降解），通过该技术工艺的可靠性来确定。参考
产品认证报告FIT （随机）的故障率。
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行，设备的电压和
电流不得超过表中规定的最大工作值
下文。
偏置条件也应满足下面的表达式：
P
DISS
< （T
J
- T
C
) / R
TH
J- C和T
C
= T
例
参数
推荐工作
条件
漏极电压（V
DSQ
)
栅极电压（V
GSQ
)
漏极偏置电流
操作的频率
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
28
-4.5
DC
5
23
16.5
-3.7
220
48
-2.5
3500
V
V
mA
兆赫
pF
pF
pF
V
G
= -8V, V
D
= 0V
V
G
= -8V, V
D
= 0V
V
G
= -8V, V
D
= 0V
V
G
= -8V, V
D
= 0V
V
G
= -8V, V
D
= 48V
V
D
= 48V ，我
D
= 10毫安
V
G
= 0V ，我
D
= 1.5A
[1], [2]
V
D
= 48V ，我
D
= 220毫安
CW ，P
OUT
=
47.8dBm ， F = 2140MHz时
CW ，P
OUT
= 47.8dBm ， F = 2140MHz时
CW ，P
OUT
= 47.8dBm ， F = 2140MHz时
电容
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
DC功能测试
I
G
（关） - 栅极漏
I
D
（关） - 漏极漏电
V
GS
（日） - 阈值电压
V
DS
（上） - 漏极电压高电流
-4.2
0.25
-3.4
11
55
13
60
-12
2
2.5
mA
mA
V
V
V
dB
%
dB
RF功能测试
V
GSQ
收益
漏EF网络效率
输入回波损耗
2 14
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
DS120406
RF3932
参数
典型的射频性能
小信号增益
小信号增益
在PDB输出功率
在P3dB输出功率
漏极效率为P3dB
漏极效率为P3dB
21
14
48.80
48.70
68
66
dB
dB
DBM
DBM
%
%
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
[1], [2]
CW中，f = 900MHz的
CW ， F = 2140MHz时
CW ，女
=
900MHz
CW ，女
=
2140MHz
CW ，女
=
900MHz
CW ，女
=
2140MHz
条件
[1]测试条件： CW操作，V
DSQ
= 48V ，我
DQ
= 220毫安， T = 25℃
[2]在一个标准的调谐测试夹具的性能。
DS120406
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
3 14
RF3932
在标准2.14GHz时调谐测试夹具典型性能
（连续波，T = 25 ℃，除非另有说明）
增益与输出功率（ F = 2140MHz时）
（脉冲占空比为10％ ，在10uS ， VD = 48V ， IDQ = 220毫安）
16
FFI效率与输出功率（ F = 2140MHz时）
（脉冲占空比为10％ ，在10uS ， VD = 48V ， IDQ = 220毫安）
70
15
排水 FFI效率（ ％ ）
%)
60
ê FF 85℃
ê FF 25℃
ê FF -25℃
14
增益（dB ）
50
13
40
12
增益85C
11
增益25C
增益-25℃
10
32
34
36
38
40
42
44
46
48
输出功率（dBm ）
30
20
10
32
34
36
38
40
42
44
46
48
输出功率（dBm ）
输入回波损耗与输出功率（ F = 2140MHz时）
（脉冲占空比为10％ ，在10uS ， VD = 48V ， IDQ = 220毫安）
-6
-8
-10
IRL ，输入回波损耗（分贝）
NPUT
rn
-12
-14
增益（dB ）
小信号性能与频率的关系，噘= 30dBm的
（VD = 48V ， IDQ = 220毫安）
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
收益
IRL
固定调谐测试电路
-13
-14
-15
-16
-18
-19
-20
-21
-22
-23
-24
-25
-26
-27
2120
2130
2140
频率（MHz）
2150
2160
2170
输入回波损耗（dB ）
-17
-16
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
32
34
36
38
40
频率（MHz）
42
44
46
48
IRL 85℃
IRL 25℃
IRL -25℃
2110
增益/ IRL与频率噘= 47 8dBm的
与频率，
47.8dBm
（ CW ， VD = 48V ， IDQ = 220毫安）
17
16
15
14
13
12
)
增益（dB ）
11
10
9
8
7
6
5
4
2110
2120
2130
2140
频率（MHz）
2150
2160
收益
IRL
固定调谐测试电路
-5
-6
-7
-8
-9
-10
11
-11
-12
-13
-14
-15
-16
-17
18
-18
2170
输入回波损耗（dB ）
NPUT
排水ê FFI效率与频率，噘= 47.8dBm
与频率的关系
47 8dBm的
（ CW ， VD = 48V ， IDQ = 220毫安）
66
固定调谐测试电路
64
排水 FFI效率（ ％ ）
艾因
62
60
E
58
56
2110
2120
2130
2140
频率（MHz）
2150
2160
2170
4 14
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
DS120406
RF3932
增益/ E FFI效率与噘， F = 2140MHz时
（ CW ， VD = 48V ， IDQ = 220毫安）
16
15
14
13
增益（dB ）
增益/ E FFI效率与噘， F = 2140MHz时
（脉冲占空比为10％ ，在10uS ， VD = 48V ， IDQ = 220毫安）
80
70
60
50
40
30
排水 FFI效率（ ％ ）
艾因
16
15
14
增益（dB ）
13
12
11
10
9
8
30
35
40
噘嘴，输出功率（dBm ）
45
50
收益
排水ê FF
80
70
60
50
40
30
20
10
0
排水 FFI效率（ ％ ）
100
12
11
10
9
8
30
35
40
噘嘴，输出功率（dBm ）
45
50
收益
排水ê FF
20
10
0
IMD3与噘
（ 2音1MHz的Sepera上， VD = 48V ， IDQ多样， FC = 2140MHz时）
-15
IMD3 ， Intermodula上Distor上（ DBC）
termodula
18
增益与噘
（ 2音1MHz的Sepera上， VD = 48V ， IDQ多样， FC = 2140MHz时）
-20
16
增益（dB ）
-25
110mA
165mA
-30
220mA
275mA
-35
330mA
110mA
14
165mA
220mA
275mA
12
330mA
-40
1
10
噘嘴，输出功率（ W- PEP ）
100
10
1
10
噘嘴，输出功率（ W- PEP ）
IMD与输出功率
（VD = 48V ， IDQ = 220毫安， F1 = 2139.5MHz ， F2 = 2140.5MHz ）
-10
-IMD3
Intermodula上Distor上（ IMD - DBC）
乌拉
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
1
10
噘嘴，输出功率（W- PEP ）
100
-IMD5
-IMD7
IMD3
IMD5
IMD7
DS120406
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
5 14
RF3933
90W的GaN宽波段功率放大器
包装：密封2针法兰瓷
特点
宽带运营直流
3.5GHz
先进的GaN HEMT
技术
先进的散热器
技术
小信号增益= 21分贝在
0.9GHz
48V的典型操作
性能：
输出功率90W ，在P3dB
漏极效率75 ％ ，在P3dB
-40 ° C至85° C操作
在RF
VGQ
引脚1 （ CUT ）
GND
BASE
RF OUT
VDQ
销2
功能框图
产品说明
该RF3933是48V ， 90W的高功率分立放大器，专为商用
无线基础设施，移动和WiMAX基础设施，工业/的科
tific /医疗和通用宽带放大器应用。使用
先进的高功率密度的氮化镓（ GaN）的半导体工艺中，这些
高性能放大器实现了高效率和平坦增益点多面广频
昆西范围在单一放大器设计。该RF3933是一种无与伦比的GaN转录
体管封装在一个密闭型，带凸缘的陶瓷封装。这个软件包提供
通过使用先进的散热器和功率耗散优异的热稳定性
而不能使技术。易于集成是通过掺入完成
简单，优化的匹配外部提供包宽网
在单波段放大器增益和功率性能。
应用
商用无线
基础设施
蜂窝和WiMAX
基础设施
民用和军用雷达
通用宽带
放大器器
公共移动无线电
工业，科学和
医
订购信息
RF3933S2
RF3933SB
RF3933SQ
RF3933SR
RF3933TR7
RF3933PCK-411
2件样品袋
5件包
25连体袋
100件7 “短盘
750件7 “卷轴
完全组装的评估板优化
2.14GHz时; 48V
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
HBT的BiFET
LDMOS
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2012 ， RF Micro Devices公司
DS120306
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
1 14
RF3933
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
D
)
栅极电压（V
G
)
栅极电流（I
G
)
工作电压
耐用性（驻波比）
存储温度范围
工作温度范围（T
C
)
工作结温（T
J
)
人体模型
平均无故障时间（T
J
< 200 ° C， 95 ％置信度
限制） *
热电阻R
TH
（结
到情况下）测得的
T
C
只= 85°C ，直流偏置
等级
150
-8至+2
54
65
10:1
-55到+125
-40至+85
200
1A级
3 x 10
6
2.1
单位
V
V
mA
V
°C
°C
°C
小时
° C / W
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
RFMD绿：每个符合RoHS欧盟指令2002/95 / EC ，无卤素合规
符合IEC 61249-2-21 ， < 1000ppm的每个三氧化二锑在聚合物中
材料和红磷作为阻燃剂，和<2 ％的锑中
焊料。
*平均无故障时间 - 平均无故障时间的磨损出的故障模式（30％予
DSS
降解），通过该技术工艺的可靠性来确定。
请参阅产品合格报告FIT （随机）的故障率。
该设备超出这些限制的任何一个操作可能会造成永久性的损害。为了保证可靠的连续运行，设备的电压
和电流不能超过最大操作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：P
DISS
< （T
J
- T
C
)/R
第j个-C
和T
C
= T
例
参数
漏极电压（V
DSQ
)
栅极电压（V
GSQ
)
漏极偏置电流
操作的频率
分钟。
28
-4.5
DC
规范
典型值。
马克斯。
48
单位
V
V
mA
兆赫
pF
pF
pF
条件
推荐工作条件
-3.7
300
3500
7
30
21
2
2.5
-4.2
0.25
-2.5
电容
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
V
G
= -8V, V
D
= 0V
DC功能测试
I
G（ OFF）
- 栅极泄漏
I
D（关闭）
- 漏极漏电
V
GS （ TH）
=门限电压
V
DS （ ON）
- 漏极电压的高
当前
mA
mA
V
V
V
G
= -8V, V
D
= 0V
V
G
= -8V, V
D
= 48V
V
D
= 48V ，我
D
= 20mA下
V
G
= 0V时，我
D
= .5A
[1], [2]
-3.4
10
55
-10
12
60
-12
V
dB
%
dB
V
D
= 48V ，我
D
=300mA
CW ，P
OUT
= 49.5dBm ， F = 2140MHz时
CW ，P
OUT
= 49.5dBm ， F = 2140MHz时
CW ，P
OUT
= 49.5dBm ， F = 2140MHz时
RF功能测试
V
GS （ Q）
收益
漏EF网络效率
输入回波损耗
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7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
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RF3933
参数
典型的射频性能
小信号增益
小信号增益
在P3dB输出功率
在P3dB输出功率
漏极效率为P3dB
漏极效率为P3dB
21
13.5
49.5
49.5
75
75
dB
dB
DBM
DBM
%
%
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
[1], [2]
CW中，f = 900MHz的
条件
CW ， F = 2140MHz时
CW中，f = 900MHz的
CW ， F = 2140MHz时
CW中，f = 900MHz的
CW ， F = 2140MHz时
[1]测试条件： CW操作，V
DSQ
= 48V ，我
DQ
= 300毫安，T = 25 ℃。
[2]在一个标准的调谐测试夹具的性能。
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7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
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RF3933
在标准2.14GHz时调谐测试夹具典型性能
（连续波，T = 25 ℃，除非另有说明）
增益与输出功率（ F = 2140MHz时）
（脉冲占空比为10％ ，在10uS ， VD = 48V ， IDQ = 300毫安）
18
17
16
15
增益（dB ）
14
13
12
11
10
30
32
34
36
38
40
42
输出功率（dBm ）
44
46
48
50
增益-40℃
增益25C
增益85C
FFI效率与输出功率（ F = 2140MHz时）
（脉冲占空比为10％ ，在10uS ， VD = 48V ， IDQ = 300毫安）
65
60
55
50
排水 FFI效率（ ％ ）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
30
32
34
36
38
40
42
输出功率（dBm ）
44
46
48
50
ê FF -40℃
ê FF 25℃
ê FF 85℃
输入回波损耗与输出功率（ F = 2140MHz时）
（脉冲占空比为10％ ，在10uS ， VD = 48V ， IDQ = 300毫安）
-6
IRL -40℃
-8
IRL 25℃
IRL 85℃
-10
增益（dB ）
小信号性能与频率的关系，噘= 30dBm的
（VD = 48V ， IDQ = 300毫安）
16
15
14
13
12
11
10
9
收益
IRL
固定调谐测试电路
0
-1
-2
输入回波损耗（dB ）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
2120
2130
2140
2150
频率（MHz）
2160
-10
2170
-12
-14
8
7
-16
30
32
34
36
38
40
42
输出功率（dBm ）
44
46
48
50
6
2110
增益/ IRL与频率的关系，噘= 49.5dBm
（ CW ， VD = 48V ， IDQ = 300毫安）
15
14
13
12
11
增益（dB ）
排水ê FFI效率与频率的关系，噘= 49.5dBm
（ CW ， VD = 48V ， IDQ = 300毫安）
-6
70
68
66
输入回波损耗（dB ）
固定调谐测试电路
-7
-8
-9
-10
-11
-12
-13
固定调谐测试电路
64
排水 FFI效率（ ％ ）
62
60
58
56
54
52
50
2100
2110
2120
2130
2140
2150
频率（MHz）
2160
2170
2180
E
10
9
8
7
6
5
2110
2120
2130
2140
2150
频率（MHz）
2160
2170
收益
IRL
-14
-15
-16
2180
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DS120306
RF3933
增益/ E FFI效率与噘， F = 2140MHz时
（ CW ， VD = 48V ， IDQ = 300毫安）
16
14
12
70
60
50
增益/ E FFI效率与噘， F = 2140MHz时
（脉冲占空比为10％ ，在10uS ， VD = 48V ， IDQ = 300毫安）
16
14
12
排水 FFI效率（ ％ ）
70
60
50
40
10
增益（dB ）
增益（dB ）
10
8
6
收益
4
2
30
35
40
噘嘴，输出功率（dBm ）
45
50
E
40
30
20
10
0
8
30
6
4
2
0
30
35
40
噘嘴，输出功率（dBm ）
45
50
收益
排水ê FF
20
10
0
IMD3与噘
（ 2音1MHz的Separa上， VD = 48V ， IDQ多样， FC = 2140MHz时）
-20
IMD3 ， Intermodula上Distor上（ DBC）
增益与噘
（ 2音1MHz的Separa上， VD = 48V ， IDQ多样， FC = 2140MHz时）
15.2
15
-25
14.8
14.6
14.4
增益（dB ）
-30
14.2
14
13.8
13.6
13.4
13.2
13
12.8
1
10
噘嘴，输出功率（ W- PEP ）
100
260mA
300mA
330mA
370mA
-35
260mA
-40
300mA
330mA
-45
1
10
噘嘴，输出功率（ W- PEP ）
100
370mA
IMD与输出功率
（VD = 48V ， IDQ = 300毫安， F1 = 2139.5MHz ， F2 = 2140.5MHz ）
0
-IMD3
Intermodula上Distor上（ IMD - DBC）
IMD3
IMD5
IMD7
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
1
-IMD5
-IMD7
10
噘嘴，输出功率（W- PEP ）
100
DS120306
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排水 FFI效率（ ％ ）
QQ：2880707522 复制
