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高压陶瓷电容器( SMD )
高压陶瓷电容器
为表面安装
1-5 KVDC
树脂成型SMD型再溢流solderings
通过使用圆盘电容器元件的高可靠性
宽的额定电压范围为1千伏至5千伏,通过一个
其承受高电压和outcurve盘元件
码头
宽的额定电压范围为1至5千伏
特点
推荐应用
LCD背光逆变器镇流器电路
( 3 5 KVDC Char.SL/GP )
开关电源的缓冲电路
( 1 2 KVDC Char.B / Y5P )
零件编号的说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
E
C
C
T
3
F
4
7
0
J
G
产品编号
CODE
ECC
Class1
ECK
Class2
包装风格
代码风格
T
录音类型
额定电压
代号额定电压
1 KVDC
3A
2 KVDC
3D
3 KVDC
3F
4 KVDC
3G
5 KVDC
3H
标称电容量
恩。
电容
100
10 pF的
470
47 pF的
101
100 pF的
221
220 pF的
帽。公差
CODE
TOL 。
D
±0.5
pF
J
±5
%
K
±10
%
M
±20
%
温度。字符。
代码温度。字符。
G
SL / GP
B
B/Y5P
苏FFI X
代码样式代码
NIL
1
M
2
2
3
Y
4
施工
在终端
尺寸以毫米(不按比例)
风格1 , 3
电极
模压树脂
S
L
S
E
W
终奌站
陶瓷元件
A
B
外部端子
风格2,4
L
此图适用于
样式代码2,4 (添加dim.L1 )
电极
模压树脂
L1
符号
风格1
陶瓷元件
终奌站
暗淡
(mm)
方式2
方式3
方式4
L1
L
W
H
S
E
A
B
7.1±0.5 6.3±0.3 2.5±0.3 1.45±0.30 2.5±0.2 (2.0) (3.7)
2.5±0.2 (2.0) (3.7)
2.5±0.2 (1.7) (3.1)
5.7 ± 0.5 4.5 ± 0.3 2.3max 。 0.85 ± 0.30 2.5 ± 0.2 ( 1.7 ) ( 3.1 )
10.8±0.5 6.8±0.5 6.3±0.3 2.5±0.3
9.4±0.3 5.5±0.5 4.5±0.3 2.3±0.2
设计和特异性阳离子每个如有更改,恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前,目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品,请务必立即与我们联系。
H
2007年12月
高压陶瓷电容器( SMD )
特定网络阳离子
特征
工作温度范围
额定电压
电介质
耐电压
电容
Q或损耗因数
(谭
δ)
绝缘电阻
温度
特征
字符。 SL / GP
字符。 B / Y5P
-25 105℃
2至3 KVDC
4至5 KVDC
5 KVDC
1至2 KVDC
的额定电压额定电压200 %额定电压120 %额定电压150 % 200 %
为15秒
为15秒
为15秒
为15秒
内的特定网络版宽容,当测得的内特定网络版公差,测量时
在1 MHz ± 20% , 15 Vrms的。和20℃下
在1kHz ± 20% , 15 Vrms的。和20℃下
30 pF或者在Q
& GT ;
400 + 20℃ ( C: Cap.pF )
黄褐色
δ
& LT ;
0.025
30 pF的
Q
& GT ;
1000
在1kHz ± 20% , 15 Vrms的。和20℃下
在1 MHz ± 20% , 15 Vrms的。和20℃下
10000米最少。在500 VDC 1分钟ELECTRI网络阳离子
温度COEF网络cient :
马克斯。帽。变化: ± 10 %
350 -1000 PPM /°C的
(温度范围: -25 85°C )
(温度范围: 2085 ℃)下
包装方法: (大坪)
TYPE
1-5 KVDC
(样式1 )
5 KVDC
(样式2 )
4 KVDC
(样式3 )
5 KVDC
(方式4)
REEL
包装风格
压纹载体
TAPING
压纹载体
TAPING
压纹载体
TAPING
压纹载体
TAPING
最低订购数量/包装单位
产品型号
EC T3
ECCT3H
ECCT3G
ECCT3H
M
JG2
Y
5 470 pF的
5至27 pF的
10至27 pF的
515 pF的
最小包装装箱数量纸箱尺寸
在纸箱
QUANTITY
在毫米长宽高
2000
件/卷
2000
件/卷
3000
件/卷
3000
件/卷
6000个。
4000个。
9000个。
6000个。
350 350 62
350 350 62
350 350 62
350 350 62
压纹载体带
风格1 , 3 , 4
(W = 12mm)中
E
C
A
B
F
W
P
1
磁带运行
方向
容屑槽
E
磁带运行
方向
(单位:毫米)
–0
–0
t
1
进料口
φD
0
容屑槽
E
F
W
P
1
2007年12月
P
2
P
0
r
D
t
2
片式元件
B
方式2
A
W
t
t
1
进料口
φD
0
A
B
P
2
P
0
t
2
(单位:毫米)
片式元件
符号
风格1 , 3
DIM 。
(mm)
方式2
方式4
A
B
C
D
E
330
±5
60
分钟。
13.0
±0.5
21.0
±1.0
2.0
±0.5
W
t
r
13.5
±1.5
25.5
±1.5
2.0
±0.5
R1.0
17.5
±1.5
符号
P
0
φD
0
t
1
t
2
6.5 7.5
5.5 1.75 8.0 2.0 4.0 1.5 0.3 3.2
style1
±0.2 ±0.2
12.0
±0.1 ±0.10 ±0.1 ±0.1 ±0.1 +0.1 ±0.1 ±0.3
±0.3
A
B
W
F
E
P
1
P
2
6.65
1.75
2.0 4.0 1.5 0.3 3.2
style2
±0.20
11.2 24.0 11.5
±0.10
12.0
±0.1 ±0.1 +0.1 ±0.1 ±0.3
±0.2 ±0.3 ±0.1
±0.1
–0
DIM 。
(mm)
4.8 6.0
5.5 1.75 8.0 2.0 4.0 1.5 0.3 2.8
style3
±0.2 ±0.2
12.0
±0.1 ±0.10 ±0.1 ±0.1 ±0.1 +0.1 ±0.1 ±0.3
±0.3
4.7
7.5 1.75 8.0 2.0 4.0 1.5 0.3 2.85
style4
±0.2
10.0 16.0
±0.1 ±0.10 ±0.1 ±0.1 ±0.1 +0.1 ±0.1 ±0.30
±0.5 ±0.3
–0
设计和特异性阳离子每个如有更改,恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前,目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品,请务必立即与我们联系。
高压陶瓷电容器( SMD )
部分领导者和录音片段结束
未加载
40毫米分钟。
片式元件的位置
未加载
20毫米分钟。
引导带
400毫米分钟。
额定值和特性
额定电压为1 5 KVDC
额定电压
产品型号
ECCT3H050DGM
ECCT3H100JGM
ECCT3H120JGM
ECCT3H150JGM
ECCT3H180JGM
ECCT3H220JGM
ECCT3H270JGM
ECCT3H050DGY
ECCT3H080DGY
ECCT3H100JGY
ECCT3H120JGY
ECCT3H150JGY
ECCT3G100DG2
ECCT3G120JG2
ECCT3G150JG2
ECCT3G180JG2
ECCT3G220JG2
ECCT3G270JG2
ECCT3G330JG
ECCT3G390JG
ECCT3G470JG
ECCT3F100DG2
ECCT3F120JG2
ECCT3F150JG2
ECCT3F180JG2
ECCT3F220JG2
ECCT3F270JG2
ECCT3F330JG2
ECCT3F390JG
ECCT3F470JG
ECCT3F560JG
ECCT3D680JG
ECKT3D101KB
ECKT3D121KB
ECKT3D151KB
ECKT3D181KB
ECKT3D221KB
ECKT3D271KB
ECKT3D331KB
ECKT3A391KB
ECKT3A471KB
电容(pF)
5
10
12
15
18
22
27
5
8
10
12
15
10
12
15
18
22
27
33
39
47
10
12
15
18
22
27
33
39
47
56
68
100
120
150
180
220
270
330
390
470
帽。容差( % )
±0.5 pF的
±5
±5
±5
±5
±5
±5
±0.5 pF的
±0.5 pF的
±5
±5
±5
±0.5 pF的
±5
±5
±5
±5
±5
±5
±5
±5
±0.5 pF的
±5
±5
±5
±5
±5
±5
±5
±5
±5
±5
±10
±10
±10
±10
±10
±10
±10
±10
±10
温度。烧焦
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
SL / GP
B/Y5P
B/Y5P
B/Y5P
B/Y5P
B/Y5P
B/Y5P
B/Y5P
B/Y5P
B/Y5P
风格
方式2
5 KVDC
方式4
方式3
4 KVDC
风格1
方式3
3 KVDC
2 KVDC
风格1
1 KVDC
笔记
½
这部分数字表示录音类型。
½
电容9 pF或者下可通过特殊订单。
设计和特异性阳离子每个如有更改,恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前,目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品,请务必立即与我们联系。
2006年9月
高压陶瓷电容器( SMD )
典型特征
字符。 SL / GP
( Temp.Coeff :+ 350 -1000 ppm的/℃)
电容变化( % )
电容变化( % )
温度特性
(
+10
0
– 10
字符。 B / Y5P
Temp.Range : -25至85°C
Max.Cap.Change :± 10%的
)
+10
+5
0
–5
–10
–15
–20
0
20
40
60
温度(℃)
80
100
120
– 20
0
20
40
60
温度(℃)
80
100
电压 - 频率特性
额定电压3 KVDC
5000
3000
电压(
VP-P
)
电压(
VP-P
)
额定电压4 KVDC
5000
3000
电压(
VP-P
)
额定电压5 KVDC
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
10pF
22pF
2000
1000
700
500
47pF
300
200
10pF
22pF
33pF
2000
1000
700
500
300
200
10pF
22pF
33pF
47pF
10
20 30
200 300 500
50 70 100
频率( KH
Z
)
10
20 30
200 300 500
50 70 100
频率( KH
Z
)
10
20 30
200 300 500
50 70 100
频率( KH
Z
)
上面的图表显示的最大容许的电压
使用与交流正弦波电压的电容时。
当测定该电压在室温(25 ℃)时,
电容器自身发热将升至最高20 ℃。
当使用脉冲电压或交流电压比正弦波等
波, CON组fi RM ,电容器自身发热少
超过20 ℃,在25 ℃的环境室温下进行。
自发热体温度之间的差
的表面温度和环境室温。
作为用于这种情况时的自发热温度是
超过25 ℃时,是指在正确的网络连接gure 。
允许自发电的热温度
- 环境温度
25
允许自发电
耐热温度( ℃)
20
15
10
5
0
20
40
60
80
100
120
应用实例
环境温度( ℃)
LCD背光逆变器
3至5千伏, 10 47 pF的
主电路和缓冲电路
开关电源
千伏/ 2kV的, 100 470 pF的
BC型或FC型1000 4700 pF的
AC
IN PUT
DC
OUT PUT
2kV的, 100到330 pF的
设计和特异性阳离子每个如有更改,恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前,目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品,请务必立即与我们联系。
2006年2月
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ECCT3G180JG2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
ECCT3G180JG2
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