注文コード第N 8 3 9 8
EC4307KF
EC4307KF
特長
½オン抵抗。
1.8V 駆動。
実装高 0.4mm。
PチャネルMOS型シリコン电界效果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
絶対最大定格
绝对最大额定值/ TA = 25 ℃
項目
ドレイン½ース電圧
ゲート½ース電圧
ドレイン電流
（DC）的
ドレイン電流
（パルス）
許容損失
チャネル温度
保存周囲温度
記号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW ≦为10μs ，占空比≦ 1 ％
ガラスエポキシ基板装着時
条件
定格値
12
± 10
1.1
4.4
0.4
150
55 ＋ 150
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
電気的特性
电气特性/ TA = 25 ℃
項目
ドレイン½ース降伏電圧
ドレイン½ースしゃ断電流
ゲート½ースもれ電流
ゲート½ースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン½ース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
総ゲート電荷量
ゲート½ース電荷量
ゲートドレイン電荷量
ダイオード順電圧
記号
条件
民
12
10
0.3
0.9
1.5
250
380
520
160
45
35
11
20
32
30
2.6
0.25
0.65
0.9
1.2
± 10
1.0
327
528
740
定格値
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
V（ BR ） DSS ID = - 1mA时， VGS = 0V
IDSS
VDS = - 12V ， VGS = 0V
IGSS
VGS = ± 8V ， VDS = 0V
VGS （关闭）
VDS = - 6V ，ID = - 1毫安
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
VDS = - 6V ，ID = - 0.5A
ID = - 0.5A ， VGS = - 4.5V
ID = - 0.2A ， VGS = - 2.5V
ID = - 0.1A ， VGS = - 1.8V
VDS = - 6V ， F = 1MHz的
VDS = - 6V ， F = 1MHz的
VDS = - 6V ， F = 1MHz的
指定回路において
指定回路において
指定回路において
指定回路において
VDS = - 6V ，V GS = - 4.5V ，ID = - 1.1A
VDS = - 6V ，V GS = - 4.5V ，ID = - 1.1A
VDS = - 6V ，V GS = - 4.5V ，ID = - 1.1A
IS = - 1.1A ， VGS = 0V
本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を要する用途
（生½維持装½、
航空機のコントロールシステム等、
多大な人的物的損害を及ぼす恐れのある用途）
に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲等) を瞬時たりとも越えて½用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号
71505PE MS IM ◎川浦TB- 00001648 No.8398-1 / 4
EC4307KF
ドレイン½ース間オン抵抗, RDS(on) -- m
1000
900
800
ドレイン½ース間オン抵抗, RDS(on) -- m
RDS （ ON） - VGS
Ta=25°C
800
700
600
500
400
300
200
100
0
--60
RDS （ ON） - TA
--0.5A
700
--0.2A
600
500
400
300
200
100
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--0.
I D =
1A
= --1.
，V GS
8V
ID = --0.1A
--2.5V
V GS =
0.2A,
I D = -
--4.5V
，V S =
= --0.8A摹
ID
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ゲート½ース電圧, VGS -- V
5
3
2
IT09779
5
3
2
周囲温度，钽 -
°C
IT09780
y
fs - ID
IS - VSD
VGS=0V
VDS = --6V
順伝達アドミタンス,
y
fs - S
°
C
25
1.0
7
5
3
2
C
5
°
--2
=
°
C
Ta
75
½ース電流, IS -- A
--1.0
7
5
5
°
C
3
2
--0.1
--0.4
--0.6
25
°
C
0.1
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
Ta=7
--0.8
--25
°
C
--1.0
--1.2
--1.4
IT04358
ドレイン电流， ID -
3
IT04357
5
3
SW时间 - ID
西塞，科斯，的Crss - VDS
f=1MHz
ダイオード顺电圧， VSD - V
スイッチングタイム， SW时间 - NS
2
VDD “
--6V
VGS =
--4.5V
西塞，科斯，的Crss - pF的
100
7
5
3
2
2
tr
TD （关闭）
西塞
tf
100
7
5
3
2
TD （上）
10
7
5
3
2
--0.1
科斯
CRSS
10
2
3
5
7
--1.0
2
3
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
IT04360
ドレイン电流， ID -
--4.5
--4.0
IT04359
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
VGS - 的Qg
ドレイン½ース電圧, VDS -- V
ASO
ゲート½ース電圧, VGS -- V
VDS =
--6V
ID ↓
--1.1A
ドレイン电流， ID -
IDP = --4.4A
≦10s
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
IT09781
1m
ID = --1.1A
10
s
D
C
10
m
s
op
er
0m
s
at
io
n
操作在此
区域由的RDS（on ）的限制。
Ta=25°C
1パルス
ガラスエポキシ基板装着時
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
--0.01
--0.01
総ゲート电荷量，的Qg - 数控
ドレイン½ース電圧, VDS
5 7 --10 2 3
-- V
IT09782
No.8398-3/4
EC4307KF
0.50
0.45
0.40
PD - TA
许容损失， PD - 含
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0
20
40
ガ
ラ
ス
エ
ポ
キ
シ
基
板
装
着
時
60
80
100
120
140
160
周囲温度，钽 -
°C
IT09783
取り扱い上の注意：本½品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の½品は、定められた条件下において、記載部品単½の性½特性機½などを規定するものであ
り、お客様の½品（機器）での性½特性機½などを保証するものではありません。部品単½の評価では
予測できない症状事態を確認するためにも、お客様の½品で必要とされる評価試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質高信頼性の½品を供給することに努めております。しかし、半導½½品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人½にかかわる事故、発煙発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可½性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路誤動½防止回路等の安全設計、冗長設計機構設計等の安全対策を行って下さい。
本書記載の½品が、外½為替及び外½貿易法に定める規制貨物（½務を含む）に該½する場合、輸出する
際に同法に基づく輸出許可が必要です。
弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複½することを禁止します。
本書に記載された内容は、½品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した
がって、ご½用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。
この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す
るものではありませんまた、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その½用
にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実½に対する保証を行うものではありません。
PS No.8398-4 / 4
QQ：2880707522 复制
