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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第592页 > EC3H07B
订购数量: ENN6578
EC3H07B
NPN外延平面硅晶体管
EC3H07B
UHF至S波段低噪声放大器
和OSC应用
特点
包装尺寸
0.65
0.05
低噪音: NF = 1.5分贝典型值( F = 2GHz的) 。
单位:mm
高截止频率: FT = 10GHz的典型值( VCE = 1V ) 。
2183
: FT = 12.5GHz典型值( VCE = 3V) 。
低工作电压。
0.15
高增益:
S21e
2
= 9.5分贝典型值( F = 2GHz的) 。
0.05
超小型(1006尺寸)及薄( 0.5mm)的无铅
1
封装。
0.25
0.4
0.35
0.2
0.15
[EC3H07B]
2
1.0
3
0.5
0.25
0.05
0.05
(底视图)
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
条件
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
三洋: E- CSP1006-3
评级
9
4
2
30
100
150
--55到150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
0.6
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
反向传输电容
正向传输增益
噪声系数
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT1
fT2
COB
CRE
S21e
2
1
S21e
2
2
NF
VCB = 5V , IE = 0
VEB = 1V , IC = 0
VCE = 1V , IC = 5毫安
VCE = 1V , IC = 5毫安
VCE = 3V , I C = 15毫安
VCB = 1V , F = 1MHz的
VCB = 1V , F = 1MHz的
VCE = 1V , IC = 5毫安, F = 2GHz的
VCE = 3V , IC = 15mA时F = 2GHz的
VCE = 1V , IC = 3mA电流, F = 2GHz的
8
100
8
10
12.5
0.55
0.4
9.5
10.5
1.5
2.3
0.7
条件
评级
典型值
最大
1.0
10
160
GHz的
GHz的
pF
pF
dB
dB
dB
单位
A
A
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
72100 TS IM TA- 2555 No.6578-1 / 6
0.5
EC3H07B
型号含义
( TOP VIEW )
电气连接
( TOP VIEW )
极性标记(上)
G
该产品采用了
高频处理。
请注意,当
处理它beause是
易受静电
电力。
BASE
集热器
辐射源
*电极:在底部
极性标记(上)
集热器
BASE
辐射源
10
IC - VCE
0.05mA
30
IC - VBE
集电极电流, IC - 毫安
集电极电流, IC - 毫安
8
0.04mA
0.03mA
VCE=3V
0.2
0.4
0.6
0.8
20
6
4
0.02mA
10
2
0.01mA
0
0
IB=0
1
2
3
4
5
IT02240
0
0
1.0
1.2
IT02241
集电极 - 发射极电压VCE - V
1000
7
5
的hFE - IC
基极发射极电压VBE - V
100
7
F T - IC
增益带宽积, F T - GHz的
5
3
2
直流电流增益, hFE参数
3
2
VCE=3V
1V
VCE=3V
10
7
5
3
2
100
7
5
3
2
1V
10
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
集电极电流, IC - 毫安
1.0
7 100
IT02242
1.0
1.0
1V
3
5
2
3
5
7
10
2
COB - VCB
反向传输电容, Cre重组酶 - pF的
f=1MHz
集电极电流, IC - 毫安
1.0
100
IT02243
7
CRE - VCB
f=1MHz
7
输出电容,科夫 - pF的
7
5
5
3
3
2
2
0.1
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
集电极 - 基极电压VCB - V
10
IT02244
7
0.1
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
集电极 - 基极电压VCB - V
10
IT02245
7
No.6578-2/6
EC3H07B
18
2
正向传输增益,
S21e
- 分贝
S21e
- 集成电路
2
2
正向传输增益,
S21e
- 分贝
18
S21e
- 集成电路
2
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1.0
=3V
VCE
1V
f=1GHz
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1.0
f=2GHz
VCE=3V
1V
2
3
5
7
10
2
3
5
集电极电流, IC - 毫安
5.0
4.5
100
IT02246
7
2
3
5
7
10
2
3
5
NF - IC
集电极电流, IC - 毫安
120
100
IT02247
7
PC - TA
f=2GHz
集电极耗散,电脑 - 毫瓦
5
2
3
5
4.0
100
噪声系数NF - 分贝
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.0
80
60
VC
E = 3V
1V
40
20
0
2
3
7
10
集电极电流, IC - 毫安
100
IT02248
7
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
IT02249
的S参数(共发射极)
VCE = 1V , IC = 1mA时, ZO = 50Ω
频率(MHz )
S
11
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
0.970
0.939
0.892
0.839
0.791
0.739
0.686
0.649
0.623
0.595
0.568
0.542
0.523
0.505
0.489
∠S
11
--13.4
--26.1
--38.6
--50.0
--59.7
--69.5
--77.7
--85.1
--91.6
--97.8
-
-104.1
-
-109.7
-
-114.6
-
-119.6
-
-124.1
S
21
3.174
3.115
2.986
2.803
2.596
2.426
2.210
2.077
1.987
1.871
1.768
1.682
1.593
1.541
1.468
∠S
21
166.3
153.6
141.5
130.5
121.8
112.0
104.5
97.8
90.9
84.8
78.9
73.4
68.4
64.1
60.2
S
12
0.046
0.087
0.122
0.149
0.171
0.185
0.195
0.204
0.210
0.212
0.213
0.217
0.212
0.209
0.216
∠S
12
79.8
70.3
61.2
54.2
48.5
43.3
39.7
36.1
33.3
31.3
30.0
28.8
27.9
29.2
31.2
S
22
0.981
0.948
0.899
0.849
0.798
0.757
0.708
0.680
0.651
0.632
0.617
0.611
0.579
0.570
0.604
∠S
22
--10.3
--19.9
--28.4
--36.1
--42.4
--48.6
--54.0
--58.0
--61.7
--65.1
--68.2
--72.5
--75.1
--75.8
--75.7
No.6578-3/6
EC3H07B
VCE = 1V , IC = 5毫安, ZO = 50Ω
频率(MHz )
S11
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
0.859
0.740
0.619
0.546
0.480
0.443
0.418
0.393
0.382
0.372
0.360
0.352
0.349
0.348
0.348
∠S
11
-
-31.5
-
-55.7
-
-76.3
-
-90.6
-
-104.5
-
-113.5
-
-121.2
-
-127.4
-
-132.4
-
-138.0
-
-143.3
-
-148.2
-
-152.4
-
-155.5
-
-158.1
S21
11.298
9.494
7.753
6.351
5.414
4.629
4.063
3.615
3.292
3.003
2.764
2.567
2.408
2.272
2.154
∠S
21
153.4
133.0
118.3
108.4
100.0
94.2
88.7
83.7
79.3
75.1
71.2
67.3
63.9
60.5
57.7
S12
0.042
0.072
0.088
0.099
0.108
0.116
0.124
0.130
0.140
0.147
0.157
0.166
0.173
0.183
0.194
∠S
12
70.7
59.4
52.9
49.4
48.0
48.2
48.6
49.3
49.9
51.6
51.9
51.9
52.6
53.8
53.9
S22
0.901
0.763
0.631
0.548
0.471
0.422
0.399
0.372
0.356
0.343
0.333
0.338
0.310
0.301
0.293
∠S
22
-
-22.4
-
-38.4
-
-49.6
-
-56.1
-
-61.0
-
-64.5
-
-67.9
-
-70.3
-
-72.1
-
-74.1
-
-76.7
-
-79.6
-
-81.9
-
-83.5
-
-85.3
VCE = 1V , IC = 10毫安, ZO = 50Ω
频率(MHz )
S11
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
0.747
0.588
0.490
0.438
0.404
0.384
0.371
0.357
0.350
0.348
0.344
0.342
0.341
0.341
0.349
∠S
11
-
-46.5
-
-77.7
-
-98.9
-
-114.0
-
-125.0
-
-133.1
-
-139.6
-
-145.5
-
-150.9
-
-155.0
-
-158.7
-
-163.1
-
-165.4
-
-168.4
-
-171.5
S21
15.679
11.464
8.634
6.882
5.688
4.844
4.207
3.734
3.354
3.069
2.818
2.615
2.435
2.287
2.181
∠S
21
144.0
122.1
108.9
99.9
93.3
87.9
83.1
78.6
74.9
71.0
67.7
64.0
60.8
57.9
55.4
S12
0.039
0.059
0.072
0.082
0.091
0.100
0.111
0.121
0.132
0.141
0.152
0.165
0.175
0.187
0.200
∠S
12
66.9
55.5
51.8
52.0
53.3
55.0
56.1
56.4
57.6
58.8
59.4
58.9
60.2
60.5
59.5
S22
0.807
0.614
0.485
0.410
0.362
0.330
0.312
0.299
0.287
0.280
0.275
0.280
0.262
0.257
0.255
∠S
22
-
-30.4
-
-46.8
-
-55.5
-
-60.2
-
-62.9
-
-64.4
-
-67.3
-
-69.3
-
-70.4
-
-72.5
-
-75.6
-
-78.4
-
-79.9
-
-81.5
-
-83.7
VCE = 1V , IC = 20mA时, ZO = 50Ω
频率(MHz )
S11
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
0.598
0.476
0.429
0.410
0.398
0.393
0.388
0.383
0.382
0.382
0.382
0.381
0.383
0.386
0.390
∠S
11
-
-71.6
-
-108.0
-
-128.1
-
-141.1
-
-149.3
-
-155.7
-
-160.9
-
-165.3
-
-169.0
-
-172.0
-
-175.0
-
-177.9
179.9
177.0
175.0
S21
16.506
10.451
7.427
5.736
4.699
3.949
3.420
3.042
2.726
2.491
2.294
2.131
2.003
1.859
1.765
∠S
21
131.7
110.5
99.3
91.8
85.9
81.0
76.7
72.4
68.7
65.1
61.9
58.4
55.4
52.4
49.6
S12
0.036
0.050
0.061
0.071
0.080
0.092
0.104
0.116
0.126
0.139
0.152
0.166
0.175
0.191
0.205
∠S
12
57.2
52.1
54.2
56.7
58.4
60.5
61.9
62.8
63.5
64.4
65.1
64.7
64.6
65.0
64.2
S22
0.648
0.448
0.353
0.307
0.282
0.268
0.265
0.261
0.261
0.259
0.258
0.268
0.254
0.253
0.252
∠S
22
-
-37.6
-
-50.7
-
-55.1
-
-57.5
-
-59.0
-
-60.1
-
-63.5
-
-65.4
-
-67.7
-
-70.2
-
-74.0
-
-77.5
-
-80.2
-
-82.3
-
-85.1
No.6578-4/6
EC3H07B
VCE = 3V , IC = 1mA时, ZO = 50Ω
频率(MHz )
S11
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
0.973
0.946
0.901
0.850
0.813
0.753
0.713
0.678
0.643
0.609
0.581
0.552
0.530
0.510
0.493
∠S
11
--12.2
--24.1
--35.8
--46.4
--55.6
--64.9
--72.1
--79.4
--86.8
--92.9
--98.9
-
-104.5
-
-109.0
-
-113.8
-
-118.3
S21
3.240
3.185
3.049
2.870
2.679
2.493
2.332
2.215
2.042
1.916
1.811
1.726
1.632
1.552
1.505
∠S
21
167.1
155.4
144.0
134.1
124.0
116.4
108.5
100.4
93.6
87.7
81.8
76.4
71.6
67.4
63.6
S12
0.040
0.077
0.108
0.133
0.155
0.167
0.178
0.188
0.191
0.195
0.196
0.200
0.195
0.194
0.200
∠S
12
80.6
72.0
63.2
56.5
51.3
46.1
42.5
39.1
36.2
34.4
33.1
32.3
31.3
33.0
35.3
S22
0.984
0.957
0.915
0.871
0.825
0.784
0.740
0.713
0.689
0.670
0.653
0.646
0.611
0.601
0.635
∠S
22
-
-9.2
--17.9
--25.8
--33.0
--39.1
--44.9
--49.7
--53.8
--57.5
--60.9
--64.1
--68.2
--70.8
--71.5
--71.4
VCE = 3V , IC = 5毫安, ZO = 50Ω
频率(MHz )
S11
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
0.876
0.756
0.634
0.555
0.490
0.450
0.421
0.392
0.376
0.359
0.345
0.336
0.333
0.329
0.333
∠S
11
--27.6
--50.7
--70.0
--83.7
--95.2
-
-103.5
-
-111.2
-
-117.2
-
-123.2
-
-128.9
-
-133.9
-
-138.9
-
-142.0
-
-145.8
-
-148.6
S21
11.400
9.463
8.035
6.684
5.807
5.045
4.444
3.968
3.601
3.300
3.026
2.798
2.636
2.477
2.369
∠S
21
155.7
137.5
122.7
112.7
103.8
97.1
91.5
86.3
82.0
77.8
74.3
70.4
66.9
63.6
60.7
S12
0.036
0.065
0.081
0.093
0.101
0.107
0.116
0.123
0.131
0.138
0.149
0.157
0.164
0.174
0.184
∠S
12
73.0
61.9
55.4
51.2
50.0
50.0
50.3
51.4
52.0
53.2
53.9
54.0
54.2
55.5
55.7
S22
0.919
0.788
0.673
0.588
0.515
0.477
0.442
0.413
0.393
0.377
0.360
0.361
0.335
0.331
0.327
∠S
22
--19.4
--34.8
--44.7
--50.8
--55.3
--58.1
--61.5
--63.7
--65.4
--67.3
--69.6
--72.2
--73.9
--74.9
--77.1
VCE = 3V , IC = 10毫安, ZO = 50Ω
频率(MHz )
S11
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
0.782
0.618
0.512
0.444
0.398
0.372
0.352
0.333
0.323
0.318
0.311
0.306
0.303
0.305
0.308
∠S
11
--38.7
--67.3
--86.2
-
-101.0
-
-112.0
-
-120.3
-
-127.6
-
-133.0
-
-139.0
-
-143.6
-
-147.8
-
-152.1
-
-154.0
-
-158.4
-
-161.8
S21
16.264
12.556
9.670
7.790
6.474
5.540
4.824
4.287
3.864
3.524
3.233
3.008
2.801
2.623
2.503
∠S
21
148.0
126.5
113.1
103.6
96.8
91.1
86.4
82.0
78.3
74.6
71.3
67.7
64.6
61.6
59.1
S12
0.034
0.055
0.067
0.077
0.086
0.096
0.105
0.115
0.122
0.135
0.144
0.155
0.165
0.175
0.188
∠S
12
68.7
58.7
55.8
54.5
55.1
56.5
57.9
58.3
59.6
60.3
60.7
60.3
61.1
62.0
61.5
S22
0.853
0.671
0.544
0.462
0.408
0.373
0.351
0.334
0.320
0.311
0.302
0.306
0.286
0.281
0.275
∠S
22
--25.8
--41.8
--49.9
--54.7
--57.2
--59.0
--61.1
--62.8
--63.9
--65.0
--67.6
--70.4
--71.5
--72.2
--73.7
No.6578-5/6
订购数量: ENN6578
EC3H07B
NPN外延平面硅晶体管
EC3H07B
UHF至S波段低噪声放大器
和OSC应用
特点
包装尺寸
0.65
0.05
低噪音: NF = 1.5分贝典型值( F = 2GHz的) 。
单位:mm
高截止频率: FT = 10GHz的典型值( VCE = 1V ) 。
2183
: FT = 12.5GHz典型值( VCE = 3V) 。
低工作电压。
0.15
高增益:
S21e
2
= 9.5分贝典型值( F = 2GHz的) 。
0.05
超小型(1006尺寸)及薄( 0.5mm)的无铅
1
封装。
0.25
0.4
0.35
0.2
0.15
[EC3H07B]
2
1.0
3
0.5
0.25
0.05
0.05
(底视图)
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
条件
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
三洋: E- CSP1006-3
评级
9
4
2
30
100
150
--55到150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
0.6
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
反向传输电容
正向传输增益
噪声系数
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT1
fT2
COB
CRE
S21e
2
1
S21e
2
2
NF
VCB = 5V , IE = 0
VEB = 1V , IC = 0
VCE = 1V , IC = 5毫安
VCE = 1V , IC = 5毫安
VCE = 3V , I C = 15毫安
VCB = 1V , F = 1MHz的
VCB = 1V , F = 1MHz的
VCE = 1V , IC = 5毫安, F = 2GHz的
VCE = 3V , IC = 15mA时F = 2GHz的
VCE = 1V , IC = 3mA电流, F = 2GHz的
8
100
8
10
12.5
0.55
0.4
9.5
10.5
1.5
2.3
0.7
条件
评级
典型值
最大
1.0
10
160
GHz的
GHz的
pF
pF
dB
dB
dB
单位
A
A
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
72100 TS IM TA- 2555 No.6578-1 / 6
0.5
EC3H07B
型号含义
( TOP VIEW )
电气连接
( TOP VIEW )
极性标记(上)
G
该产品采用了
高频处理。
请注意,当
处理它beause是
易受静电
电力。
BASE
集热器
辐射源
*电极:在底部
极性标记(上)
集热器
BASE
辐射源
10
IC - VCE
0.05mA
30
IC - VBE
集电极电流, IC - 毫安
集电极电流, IC - 毫安
8
0.04mA
0.03mA
VCE=3V
0.2
0.4
0.6
0.8
20
6
4
0.02mA
10
2
0.01mA
0
0
IB=0
1
2
3
4
5
IT02240
0
0
1.0
1.2
IT02241
集电极 - 发射极电压VCE - V
1000
7
5
的hFE - IC
基极发射极电压VBE - V
100
7
F T - IC
增益带宽积, F T - GHz的
5
3
2
直流电流增益, hFE参数
3
2
VCE=3V
1V
VCE=3V
10
7
5
3
2
100
7
5
3
2
1V
10
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
集电极电流, IC - 毫安
1.0
7 100
IT02242
1.0
1.0
1V
3
5
2
3
5
7
10
2
COB - VCB
反向传输电容, Cre重组酶 - pF的
f=1MHz
集电极电流, IC - 毫安
1.0
100
IT02243
7
CRE - VCB
f=1MHz
7
输出电容,科夫 - pF的
7
5
5
3
3
2
2
0.1
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
集电极 - 基极电压VCB - V
10
IT02244
7
0.1
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
集电极 - 基极电压VCB - V
10
IT02245
7
No.6578-2/6
EC3H07B
18
2
正向传输增益,
S21e
- 分贝
S21e
- 集成电路
2
2
正向传输增益,
S21e
- 分贝
18
S21e
- 集成电路
2
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1.0
=3V
VCE
1V
f=1GHz
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1.0
f=2GHz
VCE=3V
1V
2
3
5
7
10
2
3
5
集电极电流, IC - 毫安
5.0
4.5
100
IT02246
7
2
3
5
7
10
2
3
5
NF - IC
集电极电流, IC - 毫安
120
100
IT02247
7
PC - TA
f=2GHz
集电极耗散,电脑 - 毫瓦
5
2
3
5
4.0
100
噪声系数NF - 分贝
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.0
80
60
VC
E = 3V
1V
40
20
0
2
3
7
10
集电极电流, IC - 毫安
100
IT02248
7
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
IT02249
的S参数(共发射极)
VCE = 1V , IC = 1mA时, ZO = 50Ω
频率(MHz )
S
11
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
0.970
0.939
0.892
0.839
0.791
0.739
0.686
0.649
0.623
0.595
0.568
0.542
0.523
0.505
0.489
∠S
11
--13.4
--26.1
--38.6
--50.0
--59.7
--69.5
--77.7
--85.1
--91.6
--97.8
-
-104.1
-
-109.7
-
-114.6
-
-119.6
-
-124.1
S
21
3.174
3.115
2.986
2.803
2.596
2.426
2.210
2.077
1.987
1.871
1.768
1.682
1.593
1.541
1.468
∠S
21
166.3
153.6
141.5
130.5
121.8
112.0
104.5
97.8
90.9
84.8
78.9
73.4
68.4
64.1
60.2
S
12
0.046
0.087
0.122
0.149
0.171
0.185
0.195
0.204
0.210
0.212
0.213
0.217
0.212
0.209
0.216
∠S
12
79.8
70.3
61.2
54.2
48.5
43.3
39.7
36.1
33.3
31.3
30.0
28.8
27.9
29.2
31.2
S
22
0.981
0.948
0.899
0.849
0.798
0.757
0.708
0.680
0.651
0.632
0.617
0.611
0.579
0.570
0.604
∠S
22
--10.3
--19.9
--28.4
--36.1
--42.4
--48.6
--54.0
--58.0
--61.7
--65.1
--68.2
--72.5
--75.1
--75.8
--75.7
No.6578-3/6
EC3H07B
VCE = 1V , IC = 5毫安, ZO = 50Ω
频率(MHz )
S11
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
0.859
0.740
0.619
0.546
0.480
0.443
0.418
0.393
0.382
0.372
0.360
0.352
0.349
0.348
0.348
∠S
11
-
-31.5
-
-55.7
-
-76.3
-
-90.6
-
-104.5
-
-113.5
-
-121.2
-
-127.4
-
-132.4
-
-138.0
-
-143.3
-
-148.2
-
-152.4
-
-155.5
-
-158.1
S21
11.298
9.494
7.753
6.351
5.414
4.629
4.063
3.615
3.292
3.003
2.764
2.567
2.408
2.272
2.154
∠S
21
153.4
133.0
118.3
108.4
100.0
94.2
88.7
83.7
79.3
75.1
71.2
67.3
63.9
60.5
57.7
S12
0.042
0.072
0.088
0.099
0.108
0.116
0.124
0.130
0.140
0.147
0.157
0.166
0.173
0.183
0.194
∠S
12
70.7
59.4
52.9
49.4
48.0
48.2
48.6
49.3
49.9
51.6
51.9
51.9
52.6
53.8
53.9
S22
0.901
0.763
0.631
0.548
0.471
0.422
0.399
0.372
0.356
0.343
0.333
0.338
0.310
0.301
0.293
∠S
22
-
-22.4
-
-38.4
-
-49.6
-
-56.1
-
-61.0
-
-64.5
-
-67.9
-
-70.3
-
-72.1
-
-74.1
-
-76.7
-
-79.6
-
-81.9
-
-83.5
-
-85.3
VCE = 1V , IC = 10毫安, ZO = 50Ω
频率(MHz )
S11
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
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22
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No.6578-4/6
EC3H07B
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∠S
22
-
-9.2
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--25.8
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--39.1
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--53.8
--57.5
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0.333
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-
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∠S
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∠S
22
--19.4
--34.8
--44.7
--50.8
--55.3
--58.1
--61.5
--63.7
--65.4
--67.3
--69.6
--72.2
--73.9
--74.9
--77.1
VCE = 3V , IC = 10毫安, ZO = 50Ω
频率(MHz )
S11
200
400
600
800
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1200
1400
1600
1800
2000
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2400
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11
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-
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-
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-120.3
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-
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-154.0
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-158.4
-
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S21
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∠S
21
148.0
126.5
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∠S
12
68.7
58.7
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54.5
55.1
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60.3
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0.306
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∠S
22
--25.8
--41.8
--49.9
--54.7
--57.2
--59.0
--61.1
--62.8
--63.9
--65.0
--67.6
--70.4
--71.5
--72.2
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