订购数量： ENA0509
EC3A04B
三洋半导体
数据表
N沟道结硅场效应管
EC3A04B
APPLICATINS
低频通用放大器，
阻抗转换器应用
低频通用放大器，阻抗转换，红外线传感器的应用程序。
特点
小IGSS 。
小西塞。
超小型封装有助于终端产品的小型化。
无卤符合（ UL94HB ） 。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 漏极电压
栅电流
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
VDSX
VGDS
IG
ID
PD
Tj
TSTG
条件
评级
30
--30
10
10
100
150
--55到150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极耐压
栅极 - 源极漏电流
截止电压
符号
V（ BR ） GDS
IGSS
VGS （关闭）
条件
IG = -
-10μA ， VDS = 0V
VGS = - 20V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1μA
评级
民
--30
--1.0
--0.18
--0.65
--2.2
典型值
最大
单位
V
nA
V
标记： KC
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
70407GB TI IM TC- 00000742号A0509-1 / 4
EC3A04B
从接下页。
参数
漏电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
静态漏 - 源极导通电阻
符号
IDSS
YFS
西塞
CRSS
RDS （ ON）
条件
VDS = 10V ， VGS = 0V
VDS = 10V ， VGS = 0V ， F = 1kHz时
VDS = 10V ， VGS = 0V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， VGS = 0V ， F = 1MHz的
VDS = 10mV的， VGS = 0V
评级
民
0.6*
3.0
5.0
4
1.1
200
典型值
最大
3.0*
单位
mA
mS
pF
pF
*
：本EC3A04B分类由IDSS如下：（单位： mA）的。
秩
2
3
IDSS
0.6 1.5
1.2 3.0
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7039-002
顶视图
3
极性判别标志
2
1
0.6
0.05
0.05
1
0.25
0.25
0.65
0.5
0.05
3
0.15
2
0.05
0.15
0.2
0.35
0.4
0.5
1.0
1 ：源
2 ：排水
3 ：门
三洋： ECSP1006-3B
底部视图
型号含义
（ TOP VIEW ）
电气连接
（ TOP VIEW ）
极性标记（上）
KC
极性标记（上）
来源
门
漏
来源
*电极：底部
漏
门
第A0509-2 / 4
EC3A04B
10
西塞 - VDS
VGS=0V
f=1MHz
输出电容的Crss - pF的
5
CRSS - VDS
VGS=0V
f=1MHz
7
输入电容，西塞 - pF的
3
5
2
3
2
1.0
7
1.0
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
5
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
漏极至源极电压VDS - V
120
IT11456
PD - TA
漏极至源极电压VDS - V
IT11457
允许功耗， PD - 毫瓦
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
ITR00646
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，或其他方式，
没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照，应准予
关于知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或任何第三
派对。三洋半导体有限公司。不得与有关第三方的任何索赔或诉讼承担责任
这导致从使用的技术信息和产品提intellctual产权
以上。
该目录规定的7月， 2007年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS第A0509-4 / 4
订购数量： ENA0509B
EC3A04B
三洋半导体
数据表
N沟道结硅场效应管
EC3A04B
APPLICATINS
低频通用放大器，
阻抗转换器应用
低频通用放大器，阻抗转换，红外线传感器的应用程序。
特点
小IGSS 。
小西塞。
超小型封装有助于终端产品的小型化。
无卤符合（ UL94HB ） 。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 漏极电压
栅电流
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
VDSX
VGDS
IG
ID
PD
Tj
TSTG
条件
评级
30
--30
10
10
100
150
--55到150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极耐压
栅极 - 源极漏电流
截止电压
符号
V（ BR ） GDS
IGSS
VGS （关闭）
条件
IG = -
-10μA ， VDS = 0V
VGS = -
-20V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1μA
评级
民
--30
--1.0
--0.18
--0.65
--2.2
典型值
最大
单位
V
nA
V
标记： KC
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
21209 MS IM TC- 00001840 / 41608 TI IM TC- 00001316 / 70407GB TI IM TC- 00000742号A0509-1 / 4
EC3A04B
从接下页。
参数
漏电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
静态漏 - 源极导通电阻
符号
IDSS
YFS
西塞
CRSS
RDS （ ON）
条件
VDS = 10V ， VGS = 0V
VDS = 10V ， VGS = 0V ， F = 1kHz时
VDS = 10V ， VGS = 0V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， VGS = 0V ， F = 1MHz的
VDS = 10mV的， VGS = 0V
评级
民
0.6*
3.0
5.0
4
1.1
200
典型值
最大
3.0*
单位
mA
mS
pF
pF
Ω
*
：本EC3A04B分类由IDSS如下：（单位： mA）的。
秩
2
3
IDSS
0.6 1.5
1.2 3.0
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7039A-004
0.6
极性判别标志
3
2
1.0
1
0.5
0.025
0.5
1
0.65
0.25
3
0.35
2
0.15
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
三洋： ECSP1006-3
型号含义
（ TOP VIEW ）
电气连接
（ TOP VIEW ）
极性标记（上）
KC
极性标记（上）
来源
门
漏
来源
*电极：底部
漏
门
第A0509-2 / 4
EC3A04B
10
西塞 - VDS
VGS=0V
f=1MHz
输出电容的Crss - pF的
5
CRSS - VDS
VGS=0V
f=1MHz
7
输入电容，西塞 - pF的
3
5
2
3
2
1.0
7
1.0
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
5
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
漏极至源极电压VDS - V
120
IT11456
PD - TA
漏极至源极电压VDS - V
IT11457
允许功耗， PD - 毫瓦
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
ITR00646
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，或其他方式，
没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照，应准予
关于知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或任何第三
派对。三洋半导体有限公司。不得与有关第三方的任何索赔或诉讼承担责任
这导致从使用的技术信息和产品中提到的知识产权
以上。
该目录规定的2月， 2009年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS第A0509-4 / 4
订购数量： ENA0509A
EC3A04B
三洋半导体
数据表
N沟道结硅场效应管
EC3A04B
APPLICATINS
低频通用放大器，
阻抗转换器应用
低频通用放大器，阻抗转换，红外线传感器的应用程序。
特点
小IGSS 。
小西塞。
超小型封装有助于终端产品的小型化。
无卤符合（ UL94HB ） 。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 漏极电压
栅电流
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
VDSX
VGDS
IG
ID
PD
Tj
TSTG
条件
评级
30
--30
10
10
100
150
--55到150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极耐压
栅极 - 源极漏电流
截止电压
符号
V（ BR ） GDS
IGSS
VGS （关闭）
条件
IG = -
-10μA ， VDS = 0V
VGS = -
-20V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1μA
评级
民
--30
--1.0
--0.18
--0.65
--2.2
典型值
最大
单位
V
nA
V
标记： KC
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
41608 TI IM TC- 00001316 / 70407GB TI IM TC- 00000742号A0509-1 / 4
EC3A04B
从接下页。
参数
漏电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
静态漏 - 源极导通电阻
符号
IDSS
YFS
西塞
CRSS
RDS （ ON）
条件
VDS = 10V ， VGS = 0V
VDS = 10V ， VGS = 0V ， F = 1kHz时
VDS = 10V ， VGS = 0V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， VGS = 0V ， F = 1MHz的
VDS = 10mV的， VGS = 0V
评级
民
0.6*
3.0
5.0
4
1.1
200
典型值
最大
3.0*
单位
mA
mS
pF
pF
Ω
*
：本EC3A04B分类由IDSS如下：（单位： mA）的。
秩
2
3
IDSS
0.6 1.5
1.2 3.0
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7039-004
顶视图
3
极性判别标志
2
1
0.6
0.05
0.5
0.05
1
0.5
0.25
0.25
0.65
0.05
3
0.15
0.15
0.2
0.35
底部视图
2
0.05
0.4
1.0
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
三洋： ECSP1006-3B
型号含义
（ TOP VIEW ）
电气连接
（ TOP VIEW ）
极性标记（上）
KC
极性标记（上）
来源
门
漏
来源
*电极：底部
漏
门
第A0509-2 / 4
EC3A04B
10
西塞 - VDS
VGS=0V
f=1MHz
输出电容的Crss - pF的
5
CRSS - VDS
VGS=0V
f=1MHz
7
输入电容，西塞 - pF的
3
5
2
3
2
1.0
7
1.0
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
5
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
漏极至源极电压VDS - V
120
IT11456
PD - TA
漏极至源极电压VDS - V
IT11457
允许功耗， PD - 毫瓦
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
ITR00646
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，或其他方式，
没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照，应准予
关于知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或任何第三
派对。三洋半导体有限公司。不得与有关第三方的任何索赔或诉讼承担责任
这导致从使用的技术信息和产品中提到的知识产权
以上。
本产品目录提供的信息截至4月， 2008年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS第A0509-4 / 4
QQ：2881677436 复制
